测定半导体导电类型的方法有几种

一种。霍尔效应。

确定半导体导电类型的实验方法就是霍尔效应测量了。再就是理论推导，根据元素类型，进行计算。

在磁场中，通电导体会出现横向电压的现象，多子为电子的n型和多子为空穴的p型半导体，由于载流子的正负属性不同，会使横向电压方向不同，从而可以测出类型。

扩展资料：

在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场力与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集，此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移，这个现象称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。

参考资料来源：百度百科-霍尔效应

二极管的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。二极管的正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗二极管约为0.2V,硅二极管约为0.6V)以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗二极管约为0.3V,硅二极管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。二极管反向特性：在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当普通二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，二极管会反向热击穿而损坏。稳压二极管：稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，其伏安特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡，稳压二极管工作于反向击穿区，由于它在电路中与适当电阴配合后能起到稳定电压的作用，故称为稳压管。稳压管反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小，当反向电压增高到击穿电压时，反向电流突然猛增，稳压管从而反向击穿，此后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压的变化却相当小，利于这一特性，稳压管访问就在电路到起到稳压的作用了。而且，稳压管与其它普通二极管不同，反向击穿是可逆性的，当去掉反向电压稳压管又恢复正常，但如果反向电流超过允许范围，二极管将会发热击穿而损坏，所以要用电阻限制其电流。如果满意记得采纳哦！你的好评是我前进的动力。(*^__^*)嘻嘻……我在沙漠中喝着可口可乐，唱着卡拉ok，骑着狮子赶着蚂蚁，手中拿着键盘为你答题！！！

嗯，实际上很难测量，因为受影响的因素很多。比如热密封不好，外部的热量会进入到你的冷面热面影响测量。或者热面的热扩散至冷面。

给你个不太精确的计算方法吧，测量半导体制冷片两端的电压和电流，然后算出他们的乘积，也就是半导体制冷片消耗的功率。一般的半导体制冷片在散热良好的情况下制冷量是消耗功率的30%~40%，热面的发热量就是消耗功率+制冷量。

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