用金属和半导体接触,什么条件下,可以出现类似pn结的整流作用?

在不考虑表面态的作用下，金属与n型半导体接触，金属的功函数大于半导体的功函数，形成阻挡层，即整流作用。金属与p型半导体接触，金属的功函数小于于半导体的功函数，形成阻挡层。

但在实际情况中，表面态不可忽略，会直接影响阻挡层和反阻挡层的形成。

当然是金属中的自由电子多。

在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，称他们为施主杂质或n型杂质。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电，由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

该半导体中，是由掺入的V族元素改变原硅晶体的原子结构，提供自由电子。

而金属中每个原子都能够提供自由电子。

---