半导体二极管的导通电压是多少？

二极管有正向和反向的区别，不同材质也会有所不同，一般正向导通电压，锗二极管是0.2~0.3V，普通硅二极管是0.5~0.7V，硅整流管是1~1.2V，肖特基二极管大约是0.3V~1V。

锗二极管导通电压为0.1V-0.3V,一般取0.2V,死区电压为0.1V左右。对于锗二极管 ，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。锗二极管就是用锗材料制作的二极管。几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。

锗二极管与硅二极管差别：

1. 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流很小。

2.在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V， 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。