请微电子高手帮忙回答几个关于半导体物理的问题？尽量详细点小弟不懂器件这块

2都是整流，都是正向随着qv指数增加反向几乎饱和，肖特基结比pn导电能力强，无论正反。开启电压pn大，0.6v。pn借功耗大。（2）肖特基对于正向导电是多子器件，载流子无存储，没有寿命的问题，没有寿命，没有扩散电容，所以适合高频。pn正向时，少子器件，电荷存储效应，有电容，不适合高频。

4见2，以为主要是电子在起作用，多子起作用，因为金半接触嘛！

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（1）由于本征下ni=1.5*10^10判定为重掺杂,掺杂大小知，整体属于P型半导体。

(2) 考查费米能级与掺杂深度关系

(3)(4)考查费米能级的关系

详细解法上图。不过你这个ni=1.5*10^10是比较少见。

这老师是不是你们数学老师啊，搞得算术那么复杂，本来一直ni=10^10cm-3还要弄成1.5倍。估计是防抄的吧，虽然难算了点，还是算出来了，你再演算一次，大体解法是对了。

1.5*10^10少第二行少写了，最后一行应是6*10^15其它的没什么错了