平带电位(Flat band voltage)就是在MOS系统中,使半导体表面能带拉平(呈平带状态)所需要外加的电压时的电位。
用来表征:平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。
测量:电化学方法:在三电极体系下,使用入射光激发半导体电极,并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负的时候,光生电子不能够进入外电路,也就是说不会产生光电流。
相反,当施加的电位比平带电位偏正的时候,光生电子则能偶进入外电路,进而产生光电流。所以开始产生光电流的电势即为该纳米半导体的平带电位。
扩展资料:
平带电压计算
平带电压可分为两部分相加,Vfb=Vfb1+Vfb2,Vfb1用来抵消功函数差的影响,Vfb2用来消除氧化层及界面电荷的影响
1)Vfb1
Vfb1=φms=φg-φf;
对于多晶硅栅,高掺杂的情况下,φg≈0.56V,+用于p型栅,-用于n型栅。
φf是相对于本征费米能级的费米势。
2)Vfb2
以固定的有效界面电荷Q0来等效所有各类电荷作用,Vfb2=-Q0/Cox。
Cox为单位面积氧化层电容,可用ε0/dox求得。
总结起来,Vfb=φg-φf-Q0/Cox。
参考资料来源:百度百科-平带电位
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