的悖论啊!---书上说：ZnO是直接带隙氧化物半导体，具有宽的带隙（3.3eV）。既然是直接带隙，哪来的宽带隙

直接带隙是导带最小值（导带底）和满带最大值（价带顶）在k空间中同一位置，但是从能量来看，导带底与价带顶之间存在一个能量间隙——禁带；由于这个禁带的宽度较大，所以称为宽带隙半导体。可参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

越大越好。宽带隙半导体，是指室温下带隙大于2.0电子伏特的半导体材料。从物理学上带隙越宽，其物理化学性质就越稳定，抗辐射性能越好，寿命越长，与此相对应，带隙宽的一个缺点是这种材料对太阳光的吸收较少，光电转换效率低。

宽带隙半导体，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

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