矽半导体，什么是矽半导体

矽半导体，什么是矽半导体

半导体矽

质量符合半导体器件要求的矽材料。包括多晶矽、单晶矽、矽晶片(包括切片、磨片、抛光片)、外延片、非晶矽薄膜、微晶矽薄膜等。

半导体IP，什么是半导体IP

主要是指的关于半导体的专利技术以及非专利的专有技术。

IP核是具有智慧财产权的、功能具体、介面规范的可以在多个积体电路中重复使用的功能模组，是实现系统晶片的基本构件。 你可以简单理解为设计完善的功能模组。（而这里的【设计】是根据完善程度有不同的形式，可分为三类：软核、固核、硬核）

软核：理解为【程式程式码】，是用硬体描述语言实现对功能模组进行描述（比如用VHDL编写的一个触发器，是文字形式），不包含任何物理实现资讯。（软核特点是对使用者来讲可移植性强、设计周期短、成本低。缺点是物理实现效能不定不全面，产权保护不佳）

固核：除了实现功能模组的程式程式码之外，还包括门级电路综合和时序模拟等设计环节，一般是以门级电路网表的形式提供给使用者。固核可以理解为是不仅包括软核程式程式码，还包括【程式设计师模组设计意图与硬体物理实现之间的规则】。

硬核：基于物理描述，并且已经通过工艺验证可行的，效能有保证。是以电路物理结构掩模版图和全套工艺档案的形式提供给使用者（晶片生产厂家）的。

半导体IP是semiconductor Intelligence Properties 半导体相关的智慧财产权，半导体的智慧财产权

NXP半导体，什么是NXP半导体

恩智浦，全球有名的半导体公司，在多个领域都有作为，比如汽车电子，手机基站，智慧识别，机顶盒等。

什么是半导体，p型半导体，n型半导体

锗、矽、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊效能的薄层，一般称此薄层为PN接面。图中上部分为P型半导体和N型半导体介面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN接面的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN接面的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

什么是半导体？半导体导电吗？

半导体是指导电能力介于金属和绝缘体之间的固体材料。按内部电子结构区分，半导体与绝缘体相似，它们所含的价电子数恰好能填满价带，并由禁带和上面的导带隔开。半导体与绝缘体的区别是禁带较窄（这就是关键！现在很多曾经被划分为绝缘体的材料也逐渐向半导体一侧靠拢，就是因为现在的技术发展了，我们有更多的手段使价带电子越过禁带激发到到带。比如现在所谓的“宽禁带半导体”），在2～3电子伏以下（这个数字现在已经不确定了）。 典型的半导体是以共价键结合为主的，比如晶体矽和锗（这是最典型的半导体材料，尤其是矽，是现在的主力！）。半导体靠导带中的电子或价带中的空穴导电（“导带中的电子或价带中的空穴导电”，注意这句话。所谓空穴，其实就是电子离开后留下的一个空位，是一个等效概念，为了研究方便，实际中是不存在的，其根本仍旧是电子）。它的导电性一般通过掺入杂质原子取代原来的原子来控制。掺入的原子如果比原来的原子多一个价电子，则产生电子导电；如果掺入的杂质原子比原来的原子少一个价电子，则产生空穴导电

麻烦采纳，谢谢!

什么是I类半导体，P型半导体和N型半导体

我把我知道的写下来吧！

纯净半导体中参入受主杂质后，受主杂质电离，使空穴浓度增加，增强半导体的导电能力，把主要依靠空穴导电的半导体称为P型半导体。 N型半导体同理

半导体封测，什么是半导体封测

就是封装测试啊，所有的电子元器件都要封装的，测试就是测试元器件的

汽车半导体，什么是汽车半导体

半导体是电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。

半导体室温时电阻率约在10-5～107欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。

锗和矽是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

半导体分为本征半导体和杂质半导体。杂质半导体就是我们制作电晶体用的。阁下学将要学电子的吧。半导体顾名思义就是一半是导体,一半是绝缘体.即电流只能从一个方向通过,反向则不能能过.例如:一段铁丝,不论哪个方向接正极都能导电,而半导体是正极接电源正极可以导通,而负极若接电源正级则不能导通,处于绝缘状态。半导体材料一般用矽和锗,多用矽,矽中渗入磷后形成一个PN接面,就可以实现单向导电了。具体应于整流、放大、开关电路中。现在的众多遥控、感测技术都是由开关电路实现了，符合条件了，开关导通，接通相应的电路，而发生相应的动作或功能。

中微半导体，什么是中微半导体

1.晶圆行业 做装置 对身体一定会有影响。

2.薪资待遇 要看你做什么装置的（例如 薄膜，光刻，蚀刻，等等不同制程的装置）

还要看你的学历和工作资历。可以谈价钱。

3.面试 这个不好说，一般较大规模的半导体企业都会有 一面 二面 三面，甚至还有笔试。还得看，面试你的是什么人，有的主管喜欢聊专业性问题 有的主管喜欢拉家常。综合起来的话，首先自己要做好准备。英语，基本功（晶圆行业几乎没有汉字） 机械原理 弱电的应用。

我个人面试，当时是两个小时，基本都是行业相关知识和装置异常的解决方案。

祝你好运

    硅(Si)是研究较早的半导体材料，是第一代半导体的代表。半个多世纪以来，硅半导体技术的长足发展极大地促进了电力和电子技术的进步。尤其到了20世纪70年代，集成电路制造技术的成熟，奠定了硅在整个半导体行业中的领军地位。目前，除了极少数微波加热电源还使用真空电子管之外，几乎所有的电力和电子器件都使用Si材料来制造。尤其在集成电路中，99％以上用的都是Si半导体材料。然而随着科学的进步和半导体技术的发展，Si由于材料本身的特点在某些应用领域的局限性逐渐表现出来。例如，其带隙较窄(～1．12eV)、载流子迁移率和击穿电场较低等，限制了其在光电子领域以及高频、高功率器件方面的应用L1。       第三代半导体也称为宽带隙半导体(禁带宽度超过2．0eV)，如金刚石、碳化硅(SiC)、Ⅲ一V族氮化物、Ⅱ一Ⅵ族Zn基化合物及其固溶体等。其中以金刚石、SiC、氮化镓(GaN)和氧化锌(ZnO)为第三代半导体的代表材料。宽带隙使第三代半导体具有许多共同的性能特点，包括高熔点、高临界击穿电场、高热导率、小的介电常数、大的激子束缚能、大的压电系数以及较强的极化效应等。  SiC电学性能  SiC具有较高的临界击穿电场、高热导率和饱和电子迁移率等特点，适合于制造大功率、高温、高频和抗辐射的半导体器件。SiC热导率是si的3倍，SiC材料优良的散热性有助于提高器件的功率密度和集成度。SiC材料形态决定其禁带宽度的大小，但均大于si和GaAs的禁带宽度，降低SiC器件的泄漏电流，加上SiC的耐高温特性，使得SiC器件在高温电子工作领域优势明显。因其具有高硬度和高化学稳定性等特点，使得SiC材料能胜任恶劣的工作环境。一维SiC纳米材料具有较高的禁带宽度，可由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体，高强高韧等特点；适用于制造在恶劣环境下使用的电子器件。

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