全球经济即将复苏，芯片半导体即将爆发，盘点10只半导体龙头股

芯片一直以来就与我们的生活息息相关，它一直在围绕我们的生活在运转，无论是在特斯拉 汽车 、烤面包机还是烘干机。随着全球经济迎来复苏，芯片有可能会出现一种供不应求的现象。该现象将有可能带动芯片的价格上涨和通胀上升。芯片半导体概念股或将迎来新的一轮炒作，俞哥特整理份芯片半导体龙头股供大家参考。

兆易创新 ：公司核心产品为存储器的NOR系列闪存，MCU微控制器产品和指纹芯片和触控芯片等传感器产品。兆易创新作为一家本土的半导体公司，采用的是无晶圆厂的运营模式，公司产品线均跻身全球前三。为了提高公司的竞争力，公司今年将推出首颗19nmDDR4产品。面对国内外“缺芯”的问题，兆易创新表示年底将会量产最新车规MCU产品。该产品对车辆的作用极大，平均一辆车上使用的MCU达到70颗，但凡缺少一颗，就会卡住整车的生产

景嘉微 ：公司是国内GPU龙头，也是国内唯一能自主研发出GPU的企业。公司主要在信息探测、信息处理和信息传递等领域为客户提供高可靠、高品质的解决方案、产品和配套服务。产品主要包括图形显控、小型专用化雷达和芯片等，主要应用于军用领域。 对于景嘉微的发展，让我们拭目以待，如果对于投资方面想不明白，你可以参考目前的市场氛围如果光刻机、CPU的龙头公司如果上市，市值要多少，这样一想就豁然开朗了。

扬杰 科技 ：国内功率器件龙头公司。公司 汽车 电子相关产品包括二极管、三极管、MOSFET，公司第三代半导体已经实现批量销售。关于产品价格方面，近期有做上涨调整，总体来看还是呈涨价趋势。2021年公司产能继续大幅扩张，2021年公司产品价格上调幅度大约为5-15%。

中芯国际 ：中芯国际是中国大陆规模最大的晶圆厂，在全球纯晶圆代工领域排名第四。公司的业务除了集成电路晶圆代工外，还在设计服务与 IP 支持，光掩膜制造以及凸块加工及测试方面提供完备配套服务。业务覆盖下游绝大部分，在行业内有着举足轻重的地位。公司计划2021年将投入43亿美元用于扩充公司业务。中芯国际计划今年成熟12英寸产线扩产1万片，成熟8英寸产线扩产不少于4.5万片。在实体清单影响下，公司会考虑加强第一代、第二代FinFET多元平台开发和布建，并拓展平台的可靠性及竞争力。

三安光电 ：公司主要从事全色系超高亮度LED外延片，芯片，微波通讯集成电路与功率器件等产品的研发，生产与销售。随着lED行业的回暖，以及公司半导体业务的爬坡快速增长，公司在未来三年内业务将会迎来快速增长，公司盈利能力也将进行爬升。

士兰微 ：公司是集成电路的龙头公司，公司的MOSFET技术在国内处于领先地位， 也是目前国内拥有全部MOSFET主流器件结构研发和制造能力的主要企业。公司的 车用IGBT模块也已交付上汽、北汽等国内知名厂商测试，开始小批量供货；MEMS传感器打入小米、华为等国内大客户。

公司作为中国集成电路设计行业的领先企业，已掌握和拥有的技术可从事中高端产品的开发，核心技术在中国同行业中处于较高水平，具有明显的竞争优势。 凭借持续大力研发投入和坚持IDM模式积累的技术优势，公司产品竞争力强，且在下游市场高景气度驱使下，未来成长动能充足。

北方华创 ：公司是国内半导体设备龙头企业，主要从事基础电子产品的研发、生产、销售。公司深度布局半导体装备、真空装备、新能源锂电装备和精密元器件，产品体系具有较强竞争力。为了提高自己的竞争优势，公司 定增募资85亿元，将受益行业扩容+国产替代持续成长

长电 科技 ：公司是全球知名三极管制造商，国内集成电路封装测试的龙头企业。全球领先的半导体微系统集成和封装测试服务提供商，提供全方位的微系统集成一站式服务。 由于国外疫情影响，全球封测产能严重的吃紧，公司的订单充足，国内疫情以及得到了控制。作为全球第三，大陆第一 的封测龙头，公司将有望凭借技术优势和成本优势从中受益。

北京君正 ：公司是国最具发展潜力IC设计公司，是国内拥有自主创新CPU核心技术的极少数公司之一，是国内出货量最大的自主设计嵌入式CPU 芯片供应商。

紫光国芯 ：公司存储器芯片业务深耕国产计算机的应用需求，产品继续在服务器、个人计算机、机顶盒、电视机等方面稳定出货，强化了国产DRAM存储器供应商的领导地位。公司自主创新的内嵌ECC DRAM存储器产品，在有安全和高可靠性要求的工控、电力、安防、通讯和 汽车 电子等领域已实现批量销售。新开发的平面SLC Nand Flash产品已经完成验证，开始客户试验。

1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久， 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。 半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩——四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。

半导体于室温时电导率约在10ˉ10～10000/Ω·cm之间，纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。除上述晶态半导体外，还有非晶态的有机物半导体等和本征半导体。

1982年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742厂）IC生产线建成验收投产，这是一条从日本东芝公司全面引进彩色和黑白电视机集成电路生产线，不仅拥有部封装，而且有3英寸全新工艺设备的芯片制造线，不但引进了设备和净化厂房及动力设备等“硬件”，而且还引进了制造工艺技术“软件”。这是中国第一次从国外引进集成电路技术。第一期742厂共投资2.7亿元（6600万美元），建设目标是月投10000片3英寸硅片的生产能力，年产2648万块IC成品，产品为双极型消费类线性电路，包括电视机电路和音响电路。到1984年达产，产量达到3000万块，成为中国技术先进、规模最大，具有工业化大生产的专业化工厂。 1982年10月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导，成立了以万里副总理为组长的“电子计算机和大规模集成电路领导小组”，制定了中国IC发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。 1983年，针对当时多头引进，重复布点的情况，国务院大规模集成电路领导小组提出“治散治乱”，集成电路要“建立南北两个基地和一个点”的发展战略，南方基地主要指上海、江苏和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈阳，一个点指西安，主要为航天配套。

1986年，电子部厦门集成电路发展战略研讨会，提出“七五”期间我国集成电路技术“531”发展战略，即普及推广5微米技术，开发3微米技术，进行1微米技术科技攻关。 1988年，871厂绍兴分厂，改名为华越微电子有限公司。 1988年9月，上无十四厂在技术引进项目，建了新厂房的基础上，成立了中外合资公司――上海贝岭微电子制造有限公司。 1988年，在上海元件五厂、上无七厂和上无十九厂联合搞技术引进项目的基础上，组建成中外合资公司――上海飞利浦半导体公司（现在的上海先进）。 1989年2月，机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出了“加快基地建设，形成规模生产，注重发展专用电路，加强科研和支持条件，振兴集成电路产业”的发展战略。 1989年8月8日，742厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶电子集团公司。

1990年10月，国家计委和机电部在北京联合召开了有关领导和专家参加的座谈会，并向党中央进行了汇报，决定实施九O八工程。 1991年，首都钢铁公司和日本NEC公司成立中外合资公司――首钢NEC电子有限公司。 1995年，电子部提出“九五”集成电路发展战略：以市场为导向，以CAD为突破口，产学研用相结合，以我为主，开展国际合作，强化投资，加强重点工程和技术创新能力的建设，促进集成电路产业进入良性循环。 1995年10月，电子部和国家外专局在北京联合召开国内外专家座谈会，献计献策，加速我国集成电路产业发展。11月，电子部向国务院做了专题汇报，确定实施九0九工程。 1997年7月17日，由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建的上海华虹NEC电子有限公司组建，总投资为12亿美元，注册资金7亿美元，华虹NEC主要承担“九0九”工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。 1998年1月，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，有效期四年，华晶芯片生产线开始承接上华公司来料加工业务。 1998年1月18日，“九0八” 主体工程华晶项目通过对外合同验收，这条从朗讯科技公司引进的0.9微米的生产线已经具备了月投6000片6英寸圆片的生产能力。 1998年1月，中国华大集成电路设计中心向国内外用户推出了熊猫2000系统，这是我国自主开发的一套EDA系统，可以满足亚微米和深亚微米工艺需要，可处理规模达百万门级，支持高层次设计。 1998年2月，韶光与群立在长沙签订LSI合资项目，投资额达2.4亿元，合资建设大规模集成电路（LSI）微封装，将形成封装、测试集成电路5200万块的生产能力。 1998年2月28日，我国第一条8英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，这个项目是在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。 1998年3月16日，北京华虹集成电路设计有限责任公司与日本NEC株式会社在北京长城-饭店举行北京华虹NEC集成电路设计公司合资合同签字仪式，新成立的合资公司其设计能力为每年约200个集成电路品种，并为华虹NEC生产线每年提供8英寸硅片两万片的加工订单。 1998年4月，集成电路“九0八”工程九个产品设计开发中心项目验收授牌，这九个设计中心为信息产业部电子第十五研究所、信息产业部电子第五下四研究所、上海集成电路设计公司、深圳先科设计中心、杭州东方设计中心、广东专用电路设计中心、兵器第二一四研究所、北京机械工业自动化研究所和航天工业771研究所。这些设计中心是与华晶六英寸生产线项目配套建设的。 1998年6月，上海华虹NEC九0九二期工程启动。 1998年6月12日，深港超大规模集成电路项目一期工程――后工序生产线及设计中心在深圳赛意法微电子有限公司正式投产，其集成电路封装测试的年生产能力由原设计的3.18亿块提高到目前的7.3亿块，并将扩展的10亿块的水平。 1998年10月，华越集成电路引进的日本富士通设备和技术的生产线开始验收试制投 片，-该生产线以双极工艺为主、兼顾Bi-CMOS工艺、2微米技术水平、年投5英寸硅片15万片、年产各类集成电路芯片1亿只能力的前道工序生产线及动力配套系统。 1998年3月，由西安交通大学开元集团微电子科技有限公司自行设计开发的我国第一个-CMOS微型彩色摄像芯片开发成功，我国视觉芯片设计开发工作取得的一项可喜的成绩。 1999年2月23日，上海华虹NEC电子有限公司建成试投片，工艺技术档次从计划中的0.5微米提升到了0.35微米，主导产品64M同步动态存储器（S－DRAM）。这条生产线的建-成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路芯片生产线。

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