TiN可以做半导体器件的绝缘层吗?

半导体通改变其局部杂质浓度形些器件结构些器件结构电路具定控制作用比二极管单向导电比晶体管放作用导体绝缘体做导体电路作电阻导线现电路仅仅起压或限流作用收音机电脑等电产品需要半导体形器件结构内部电压或电流信号进行控制拿收音机说收音机接受气电磁波信号十微弱需要半导体器件结构晶体管信号进行放

ITO膜在LED中的作用是增加了光透过率：

ITO的微观结构。在SnO2中加入Sn后，Sn元素可以在铟镓晶格中取代，以SnO2的形式存在。由于In2O3中的in元素是三价的，当形成SnO2时，电子将贡献给导带。

同时，在一定的缺氧条件下产生氧空穴，形成载流子浓度为1020～1021CM-3，迁移率为10~30cm／vs.该机制提供了10-4Ω量级的低膜电阻率。

所以ITO薄膜具有半导体的导电性。Ito是一种宽能带薄膜，其禁带宽度为3.5-4.3ev。激发吸收阈值为3.75ev，相当于330nm波长。

因此，ITO薄膜的透射率很低。同时，由于载流子等离子体振动在近红外区域的反射，ITO薄膜在近红外区域的透光率也很低。

但ITO薄膜在可见光区域的透射率很好。由于材料本身特殊的物理和化学性质，ITO薄膜具有良好的导电性和可见光透过率。

扩展资料：

在国内，ITO薄膜设备的制造和发展是20世纪80年代开始的，主要是一些单体式的真空镀膜设备，由于ITO工艺和制成方法的限制，因此产品品质较差、产量较小，当时的产品主要用作普通的透明电极和太阳能电池等方面。

20世纪90年代初，随着LCD器件的飞速发展，对ITO薄膜产品的需求量也是急剧的增加，国内部分厂家纷纷开始从国外引进一系列整厂ITO镀膜生产线。

但由于进口设备的价格昂贵，技术服务不方便等因素，使许多厂商还是望而却步。80年代末，中国诞生了第一条TN-LCD用ITO连续镀膜生产线。

该生产线采用的工艺路线是将铟锡合金材料利用直流磁控溅射的原理沉积到基片的表面，并进行高温氧化处理，将铟锡合金薄膜转换成所需的ITO薄膜。

这种生产线的特点是设备的产能较低，质量较差，工艺调节复杂。90年代中期，随着国内LCD产业的发展，对ITO产品的需求量增大的同时，对产品的质量有了新的要求。

因此出现了第二代ITO镀膜生产线。该生产线不仅产量比第一代生产线有了大幅度的提升，同时由于直接采用ITO陶瓷靶材沉积ITO薄膜。

并兼容了射频磁控溅射沉积SiO2薄膜的工艺，使该生产线无论从产品的质量上、还是工艺可控性等方面与第一代生产线相比均有了质的飞跃。

参考资料来源：百度百科—ITO薄膜

理论65~70HRC内喷涂技术达理论硬度 密封面喷涂碳化钨增加配磨等工艺难度建议选用金刚砂研磨膏研磨 密封面属于硬密封启影响碳化钨涂层需要注意

、见涂层种类及其性能应用范围

涂层材料氮化铬（CrN） 氮化钛（TiN） 碳氮化钛（TiCN） 氮化铝钛+碳化钨

碳膜

硬度 HV 1700 2200 3000 3000

摩擦系数0.5 0.4 0.4 0.1

内应力-1.5 -2.5 -4.0 -1.7

处理温度（℃） 400 450 450 450

耐氧化温度（℃） 700 600 750 850

镀膜厚度（微米） 1～6+ 1～4 1～4

镀膜颜色银白色 金黄色 灰色 灰黑色

镀膜结构单层膜 单层膜 层膜 层膜

特点

附着性、耐氧化、

耐腐蚀

应用范围广泛 高硬度、耐磨耗、

韧性良

综合TiAlN

WC/C 两种特性

确保加工品质

应用范围

适于切削铜类金

属、型、膜具及

零件较传统镀铬

耐磨并防止塑

料射、压铸粉末

烧结等黏着沾粘现

象

车、铣刀片、钻、

铣刀、丝攻、切齿

刀工具、冲棒、

型模具、冲压模、

射及压铸模具配

件、耐磨耗零件、

机械部件、装饰品

均适用切削

铁金属、塑料型

模具及抗磨耗工

件良选择

适用于需要高速切

削、高进给且切削

型刃口处受

冲击切割、型、

冲剪工具比TiN

更具耐磨性高温

稳定性需要注

意镀材材质及

表明状况

适合高速、高硬度

材料切削镀

膜层高速钢与钨

钢工具效

保护切刃磨耗亦

使切屑顺利排

能增进钻孔攻牙及

钢材铝合金干式切

削效与效率

涂层材料碳化钛（TiC） 碳化钨碳膜

（WC/C）

氮化铝钛（TiAlN） 类钻膜（DLC）

硬度 HV 3500+ 1000（微硬度50g

重）

3000~3500 2500（微硬度50g

重）

摩擦系数>0.1(TiC on TiC) 0.1 0.4 0.1～0.2

内应力 -1.0 -1.5 N/A

处理温度（℃） 250 450

耐氧化温度（℃） 300 800 350

镀膜厚度（微米） 1～4 1～5

镀膜颜色灰色 灰黑色 暗紫色 灰黑色

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