半导体中耗尽区和漂移区各自是什么意思

耗尽层就是在PN结附近,其中的载流子因扩散而耗尽,只留下不能移动的正负离子的区域,又称空间电荷区.在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质（离子）是固定不动的 .N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散.空穴和电子相遇而复合,载流子消失.因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区 .P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ,N 型半导体一边的空间电荷是正离子.正负离子在界面附近产生电场,这电场阻止载流子进一步扩散 ,达到平衡.

少子漂移和多子扩散是半导体物理学中的两个重要概念。

少子漂移是指半导体中自由电子或空穴在电场作用下的运动，这种运动只涉及到少数的电荷载流子。

多子扩散则是指半导体中大量载流子（自由电子或空穴）在浓度差或浓度梯度作用下的运动，这种运动涉及到大量的电荷载流子。

简单来说，少子漂移是少量电荷载流子的移动，而多子扩散是大量电荷载流子的扩散。

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