有关半导体电阻测试请问伏安特性测试仪能测半导体电阻吗

可以,半导体具有在不同电压下电阻不同的特性1、半导体处于导通状态,电阻非常小但根据伏安特性是有电阻存在的2、半导体处于截止状态,电阻非常大但电压加到一定程度时可以出现击穿3、半导体处于临界状态,电阻值根据伏安特性是可以计算的综上所述：半导体是可以用伏安测试仪测电阻的,只是不同状态,不同电压,正负方向电阻是不同的,所以,销售半导体的厂商,产品手册上提供伏安特性表,是一个平面坐标系.

二极管的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。二极管的正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗二极管约为0.2V,硅二极管约为0.6V)以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗二极管约为0.3V,硅二极管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。二极管反向特性：在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当普通二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，二极管会反向热击穿而损坏。稳压二极管：稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，其伏安特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡，稳压二极管工作于反向击穿区，由于它在电路中与适当电阴配合后能起到稳定电压的作用，故称为稳压管。稳压管反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小，当反向电压增高到击穿电压时，反向电流突然猛增，稳压管从而反向击穿，此后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压的变化却相当小，利于这一特性，稳压管访问就在电路到起到稳压的作用了。而且，稳压管与其它普通二极管不同，反向击穿是可逆性的，当去掉反向电压稳压管又恢复正常，但如果反向电流超过允许范围，二极管将会发热击穿而损坏，所以要用电阻限制其电流。如果满意记得采纳哦！你的好评是我前进的动力。(*^__^*)嘻嘻……我在沙漠中喝着可口可乐，唱着卡拉ok，骑着狮子赶着蚂蚁，手中拿着键盘为你答题！！！

IV分析仪，又称为伏安特性分析仪，主要用于测试半导体器件伏安特性曲线，比如二极管、NPN管等，是以Windows为基础的仿真工具Multisim的测试仪器。

整个 *** 作界面就像一个电子实验工作台，绘制电路所需的元器件和仿真所需的测试仪器均可直接拖放到屏幕上，轻点鼠标可用导线将它们连接起来，软件仪器的控制面板和 *** 作方式都与实物相似，测量数据、波形和特性曲线如同在真实仪器上看到的。

其图标上有三个连接端口，选择器件类型（比如二极管或三极管）之后，面板的连接端口会有相应的连接提示，按提示连接即可。

IV分析仪主要用途：可以观察晶体管高电压、大电流特性，也可以了解晶体管低电压、小电流特性或者其他局部细节。

扩展资料：

IV特性曲线：

伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U，以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。伏安特性曲线是针对导体的，也就是耗电元件，图像常被用来研究导体电阻的变化规律，是物理学常用的图像法之一。

电源伏安特性曲线图线面积的意义：

在电源的伏安特性曲线上取一点，则该点的横坐标表示干路中的电流，纵坐标表示电源的路端电压；由该点分别向两坐标轴作垂线，则此垂线与两坐标轴所围的面积表示电源的输出功率。

电源伏安特性曲线与电阻伏安特性曲线交点的意义：

对于某一定值电阻R，其电压与电流成正比，即U=IR，在U-I直角坐标系中，其伏安特性曲线为一条过原点的直线，此直线与电源伏安特性曲线的交点表示了闭合电路的工作状态。

参考资料来源：百度百科-multisim

参考资料来源：百度百科-伏安特性曲线

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