大功率半导体器件的发展不遵守摩尔定律，它是按照什么规律发展的？

大的趋势是在努力的延续十年功率密度翻一倍的需求，如图，如果不能达到就寻找新的材料和结构。

[1]Roberts,  Rd M ,  Ottawa O N , et al. Lateral GaN Transistors - A Replacement for IGBT devices in Automotive Applications[C]// Pcim Europe, International Exhibition &Conference for Power Electronics. VDE, 2014.

光电发射效应半导体受光照时，如果入射的光子能量hν足够大，它和物质中的电子相互作用，使电子从材料表面逸出的现象，也称为外光电效应。它是真空光电器件光电阴极的物理基础。外光电效应的两个基本定律：1．光电发射第一定律——斯托列托夫定律：当照射到光阴极上的入射光频率或频谱成分不变时，饱和光电流（即单位时间内发射的光电子数目）与入射光强度成正比： 2. 光电发射第二定律——爱因斯坦定律光电子的最大动能与入射光的频率成正比，而与入射光强度无关： Emax=(1/2)mυ2max=hν- hν0=hν- W光电发射大致可分三个过程：1) 金属的电子吸收光子能量，从基态跃迁到能量高于真空能级的激发态。 2) 受激电子从受激地点出发，在向表面运动过程中免不了要同其它电子或晶格发生碰撞，而失去一部分能量。 3) 达到表面的电子，如果仍有足够的能量足以克服表面势垒对电子的束缚（即逸出功）时，即可从表面逸出。 注意：在光电效应里面：包括内电光与外电光效应，都存在着一个阀值波长问题

你好：

——★1、非常简单的电路中，可以使用欧姆定律来解释......但是，含有半导体器件的电路要复杂的多。

——★2、半导体器件（包括二极管、三极管、集成电路芯片等）都属于“非线性元件”，这些元器件是不能用欧姆定律来解释的。

——★3、正是这个原因，使得电路分析变得复杂了。为了便于对这种电路的分析，在电路图上标出电压或电流值，就容易理解了。

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