半导体外延生长厚度

半导体外延生长厚度是500-800微米。通过气相外延沉积的方法在衬底上进行长晶，与最下面的衬底结晶面整齐排列进行生长，新生长的单晶层称为外延层，长了外延片的衬底称为外延片。作为衬底的硅片根据尺寸不同，厚度一般在500-800微米，常用的外延层厚度为2-100微米。

对集成电路来说：一般来说4寸晶圆的厚度为0.520mm,6寸晶圆的厚度为

0.670mm左右。晶圆必须要减薄，否则对划片刀的损耗很大，而且要划两刀。我们做DIP封装，4寸晶圆要减薄到0.300mm；6寸晶圆要减薄到0.320mm左右，误差0.020mm。

介面厚度。

半导体中blt的英文全称为BondLineThickness，是介面厚度的意思，代指半导体制造中的介面厚度，也代指债券的线。

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。

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