日本半导体材料厂商受益中国5G，中国厂商为何不能吃“窝边草”？

受中国5G发展的影响，日本半导体材料制造商受益最大。根据日经新闻报道，日本一些化学材料供应商正在增加产量，为即将到来的5G强劲需求做准备。建于1918年的德山就是其中之一。它控制着全球75%的高纯氮化铝市场。氮化铝是散热材料的基本成分，可以防止半导体过热。东京山正在改善其在日本南部的主要工厂，以期明年4月将产能提高40%。

总经理德山认为，需求最大的市场是数据中心，5G将增加数据消耗，对半导体和散热材料的需求也会相应增加。另一个受益公司是古屋金属公司。它提供了世界上90%的铱化合物。铱化合物是磷光材料的基础，已经在中国BOE、三星银河和LG电子的有机发光二极管显示器中使用。

除了化学材料供应商，日本零部件制造商也有望从中国对5G的投资中获利。村田制造有限公司是世界上最大的多层陶瓷电容器供应商，市场份额为40%，5G基站MLCC需求超出预期。除了对5G基站的需求之外，智能手机中使用的电容数量在过去8年几乎翻了一番。三星的第一部5G手机、银河S105G和其他高端设备携带约1300个电容，比4G手机多30%。GSMA协会预测，到2025年中国将拥有65G用户，占全球用户总数的40%。

华为董事长梁华表示，今年1月至9月，华为在日本投资7800亿日元(约合72亿美元)，比去年同期增加600亿日元，未来还会有更多。

碳化硅半导体产业链主要包括碳化硅高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、模块封装和终端应用等环节。

1.碳化硅高纯粉料

碳化硅高纯粉料是采用PVT法生长碳化硅单晶的原料,其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。碳化硅粉料有多种合成方式,主要有固相法、液相法和气相法3种。其中,固相法包括碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法液相法包括溶胶-凝胶法和聚合物热分解法气相法包括化学气相沉积法、等离子体法和激光诱导法等。

2.单晶衬底

单晶衬底是半导体的支撑材料、导电材料和外延生长基片。生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长,也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点,是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。目前,SiC单晶生长方法有物理气相传输法(PVT法)、液相法(LPE法)、高温化学气相沉积法(HTCVD法)等。

3.外延片

碳化硅外延片,是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜(外延层)的碳化硅片。目前,碳化硅单晶衬底上的SiC薄膜制备主要有化学气相淀积法（CVD）、液相法（LPE）、升华法、溅射法、MBE法等多种方法。

4.功率器件

采用碳化硅材料制造的宽禁带功率器件,具有耐高温、高频、高效的特性。

5.模块封装

目前,量产阶段的相关功率器件封装类型基本沿用了硅功率器件。模块封装可以优化碳化硅功率器件使用过程中的性能和可靠性,可灵活地将功率器件与不同的应用方案结合。

6.终端应用

在第三代半导体应用中，碳化硅半导体的优势在于可与氮化镓半导体互补。由于SiC器件高转换效率、低发热特性和轻量化等优势,下游行业需求持续增加,有取代SiQ器件的趋势。

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