这就要说到 半导体导电的基本原理和随温度电阻变化的原理了
非金属元素的单一纯正集合体和杂质集合体。前者没有掺杂且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。在原子形成共价键的过程中,缺少一个电子后形成一个带正电的空位,称为空穴,原子内部为了补充空穴留下的空位就要移动附近的电子补充这个空穴,而电荷平衡处的电子被空穴结合走,就会再次留下一个空穴,如果这种无规律的空穴—电子效应被规律控制,那么就会形成宏观电流,空穴和自由电子合成自由载流子。你可以理解成导电的基本单位。而加热或光照会使半导体发生热激发或光激发,从而产生更多的电子—空穴对,这时载流子浓度增加,电导率增加,也就是电阻减小,这也是半导体热敏电阻和光敏电阻的基本原理。
既然说他是基本原理了,那么找一个升温能加大电阻的半导体就不可能了。
另外 你一定要找一个这样的电阻的话就不要锁定于半导体了 推荐金属 因为大多数的金属导体都符合升温电阻变大的要求,原理是晶格排列的问题,这里就不说了
1、具有负温度系数的半导体的电阻随温度升高电阻降低。2、半导体受到热激发后,价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带,价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位,称为空穴。空穴导电并不是实际运动,而是一种等效。电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动 。它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流,分别称为电子导电和空穴导电。复温度升高时,将产生更多的电子- 空穴对,载流子密度增加,电阻率减小。因为在一定温度下,半导体的电子空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡,此时半导体具有一定的载流子密度,从而具有一定的电阻率。温度升高时,将产生更多的电子空穴对,载流子密度增加,电阻率减小。
半导体的五大特性∶掺杂性,热敏性,光敏性,负电阻率温度特性,整流特性。在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。
扩展资料
掺杂对半导体结构的影响:
1、掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同,本质半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施主原子会在靠近传导带的地方产生一个新的能阶,而受主原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。
2、掺杂物依照其带给被掺杂材料的电荷正负被区分为施主与受主。施主原子带来的价电子大多会与被掺杂的材料原子产生共价键,进而被束缚。
3、掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值,这个特性会引出很多其他有用的电特性。
参考资料来源:百度百科-半导体
百度百科-半导体电阻率
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