半导体中怎么depfilm

使用溅射技术可以在半导体表面形成depfilm，溅射技术可以将原料形成液体或气体，然后用高能离子束将其射向半导体表面，形成一层薄膜。另外，还可以使用CVD或PECVD技术，将原料化学气相沉积在半导体表面，从而形成depfilm。

你说的这个应该是一个LTPS中的工艺，叫GI Deposition

也就是GI层沉积。GI是TFT中，栅极金属和半导体Si之间的绝缘层，通常为SiNx/SiOx称之为Gate Insulator 栅极绝缘层。

标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为：结型场效应管，多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管，双栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方：源极，下方：漏极，左方：栅极，右方：主体。电压导致沟道形成的细节没有画出

掺杂FET（解释如下）的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。在耗尽模式的FET下，漏和源可能被掺杂成不同类型至沟道。或者在提高模式下的FET，它们可能被掺杂成相似类型。场效应晶体管根据绝缘沟道和栅的不同方法而区分。FET的类型有：

DEPFET（Depleted FET）是一种在完全耗尽基底上制造，同时用为一个感应器、放大器和记忆极的FET。它可以用作图像（光子）感应器。

DGMOFET（Dual-gate MOSFET）是一种有两个栅极的MOSFET。

DNAFET是一种用作生物感应器的特殊FET，它通过用单链DNA分子制成的栅极去检测相配的DNA链。

FREDFET（Fast Recovery Epitaxial Diode FET）是一种用于提供非常快的重启（关闭）体二极管的特殊FET。

HEMT（高电子迁移率晶体管，High Electron Mobility Transistor），也被称为HFET（异质结场效应晶体管，heterostructure FET），是运用带隙工程在三重半导体例如AlGaAs中制造的。完全耗尽宽带隙造成了栅极和体之间的绝缘。

IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是一种用于电力控制的器件。它和类双极主导电沟道的MOSFET的结构类似。它们一般用于漏源电压范围在200-3000伏的运行。功率MOSFET仍然被选择为漏源电压在1到200伏时的器件.

ISFET是离子敏感的场效应晶体管（Ion-Sensitive Field Effect Transistor）,它用来测量溶液中的离子浓度。当离子浓度（例如pH值）改变，通过晶体管的电流将相应的改变。

JFET用相反偏置的p-n结去分开栅极和体。

MESFET（Metal-Semiconductor FET）用一个肖特基势垒替代了JFET的PN结；它用于GaAs和其它的三五族半导体材料。

MODFET（Modulation-Doped FET）用了一个由筛选过的活跃区掺杂组成的量子阱结构。

MOSFET用一个绝缘体（通常是二氧化硅）于栅和体之间。

NOMFET是纳米粒子有机记忆场效应晶体管（Nanoparticle Organic Memory FET）。

OFET是有机场效应晶体管（Organic FET），它在它的沟道中用有机半导体。

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