用 iptable 屏蔽某个网站的话也会屏蔽同一 VPS 上的其他网站的访问。所以正统的办法还是用 GeoIP 配合对应的 web 服务器模块，比如：apache + mod_geoip 或者 nginx + http_geoip_modu

在半导体pn结、肖特基结、异质结中，由于界面两侧半导体原有化学势的差异导致界面附近能带弯曲，从而形成能带弯曲区域电子或空穴浓度的下降，这一界面区域在半导体物理中称为耗尽区。而全耗尽是指某一区域的电子或空穴浓度下降为极低（接近于零）。amor

问题一：动力室外加电场，这冒失与热激发无关吧。不管是N还是P能到导电的原因都是有电场。问题二：这是一个动态平衡的关系，当有扩散的时候由于内建电场的关系，使载流子恢复到以前，所以宏观不是个稳态。问题三：如果是这种情况 是否从N型到P型填补空穴

品牌型号：Redmibook Pro 15系统：Windows 10单极型半导体器件是场效应管。场效应晶体管主要有两种类型：结型场效应管和金属氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半

MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即半导体金属氧化物，它是集成电路中的材料，现在也可指代芯片．MOS内部的结构和二极管、三极管差不多，由P-N结构成，P是正的意思(positive)，N是负的意思(negat

禁带宽度越大，电势差越大。PN结的电势差与半导体施主和受主掺杂浓度有关，在温度一定时，掺杂浓度越大，电势差越大；PN结的电势差与半导体的禁带宽度有关，禁带宽度越大，本征载流子浓度越小，电势差越大；PN结的电势差与半导体的温度有关，温度越高，

光电二极管在日常生活的应用非常广泛。它跟一般的二极管在结构和功能上几乎一致，也是由一个PN结组成的半导体器件，具有单方向导电的特性。所谓PN结就是连接P型半导体和N型半导体两者的接触面。虽然叫做结，但实际上并不是一个结点。PN结是半导体二极

概念上的问题首先，没有扩散能量这个概念，扩散是一种自然进行的动作，最终会达到动态平衡。而耗尽层宽度就取决于达到动态平衡状态的掺杂浓度。而耗尽层的宽度主要受到两种作用的影响，那就是多子的扩散和少子的漂移，扩散是由于浓度差的存在，漂移是因为空间

MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即半导体金属氧化物，它是集成电路中的材料，现在也可指代芯片．MOS内部的结构和二极管、三极管差不多，由P-N结构成，P是正的意思(positive)，N是负的意思(negat

温度.导体在任何温度下,都将遵从热平衡条件：np=ni2.因此多数载流子与少数载流子是相互制约着的.多数载流子主要来自于掺杂,而少数载流子都来自于本征激发（属于本征载流子）.当通过掺杂、增大多数载流子浓度时,则多数载流子与少数载流子相互复

楼主，模电刚开始学的什么PN节，三极管的工作原理是有点烦，我来说一下吧：答案一：楼主，你要把这个半导体看成一个整体，他们扩散啊，复合啊，什么的都是他们的“内战”，若是让你测出了电压，那还不逆天了，都成电源了...这个应该能理解吧答案二：楼主

耗尽层就是在PN结附近,其中的载流子因扩散而耗尽,只留下不能移动的正负离子的区域,又称空间电荷区.在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质（离子）是固定不动的 .N 型半导体中

楼主，模电刚开始学的什么PN节，三极管的工作原理是有点烦，我来说一下吧：答案一：楼主，你要把这个半导体看成一个整体，他们扩散啊，复合啊，什么的都是他们的“内战”，若是让你测出了电压，那还不逆天了，都成电源了...这个应该能理解吧答案二：楼主

品牌型号：Redmibook Pro 15系统：Windows 10单极型半导体器件是场效应管。场效应晶体管主要有两种类型：结型场效应管和金属氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半

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在半导体pn结、肖特基结、异质结中，由于界面两侧半导体原有化学势的差异导致界面附近能带弯曲，从而形成能带弯曲区域电子或空穴浓度的下降，这一界面区域在半导体物理中称为耗尽区。而全耗尽是指某一区域的电子或空穴浓度下降为极低（接近于零）。耗尽层就

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是

品牌型号：Redmibook Pro 15系统：Windows 10单极型半导体器件是场效应管。场效应晶体管主要有两种类型：结型场效应管和金属氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半

由于掺杂浓度大，耗尽层单位面积内正负离子多，所以只需要相对较窄的耗尽层就能建立起足够强的内电场来阻止多子的扩散运动。可理解为加上正向电压，正向电压会与内部接触电场相抵消，这也是正向导通的的原理，所以浓度高，建立起的耗尽层宽度也就窄了。具