半导体蒸发台原理

将金属颗粒如：铝，黄金等加热至气态，在充满N2气体的环境下，蒸发到腔内上方圆片表层，圆片固定在行星盘内不停旋转。这种工艺一般用于熔点较低的金属，优点是表面金属膜比磁控溅射平台的工艺更加均匀，缺点也显而易见，镀膜耗材比较浪费

钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法,其先用真空电子束蒸发方式按序分别将钛镍银三种金属沉积在硅片的电极面上,然后用烧结炉将所述硅片在真空高温下形成高性能的钛镍银多层金属电极,它稳定性强,导电性好,使用寿命高,并能增加器件的通态能力和可靠性.

钛金属对人无害。

钛具有“亲生物“’性。在人体内，能抵抗分泌物的腐蚀且无毒，对任何杀菌方法都适应。因此被广泛用于制医疗器械，制人造髋关节、膝关节、肩关节、胁关节、头盖骨，主动心瓣、骨骼固定夹。当新的肌肉纤维环包在这些“钛骨”上时，这些钛骨就开始维系着人体的正常活动。

钛在人体中分布广泛，正常人体中的含量为每70kg体重不超过15mg，其作用尚不清楚。但钛能刺激吞噬细胞，使免疫力增强这一作用已被证实。镍及其水溶性化合物具有致敏性，某些镍化合物具有潜在致癌性。

相对来说，银对人体的毒性很小，这是因为银的化学性质不活波，很难与物质发生反应。但也有杀菌的作用。

主权项：

一种钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤：

(1)将硅片夹置在电子束蒸发台中的旋转工件盘上,将纯度均为99.99％以上的钛、镍、银三种材料分别放置在电子束蒸发台坩埚中的三个穴位中；

(2)关闭电子束蒸发台工作室门,抽真空至1.0×10-3Pa,加热升温至200℃；

(3)先将坩埚中装有钛材料的穴位处于工作位置,打开电子束高压开关,调整电子束电流至800mA,蒸发10-15分钟,使硅片的电极面上沉积一层钛金属；然后关断电子束高压开关,调整坩埚中装有镍材料的穴位处于工作位置,打开电子束高压开关,调整电子束电流至800mA,蒸发30-35分钟,使所述钛金属层上沉积一层镍金属；然后关断电子束电流,调整坩埚中装有银材料的穴位处于工作位置,打开电子束高压开关,调整电子束电流至800mA,蒸发30-35分钟,使所述镍金属层上沉积一层银金属；

(4)电子束蒸发台工作室停止加热,降温至100℃时停止抽真空,打开放气阀,取出沉积上钛镍银多层金属的硅片；

(5)将上述硅片放进烧结炉中,抽真空至2.0×10-3Pa,套上炉体,升温至600℃,恒温60分钟；

(6)移开炉体,降温至200℃时停止抽真空,打开放气阀,取出硅片,降至常温,得到钛镍银多层金属电力半导体器件电极。

成都海威华芯科技有限公司与电子科技大学

海威华芯拥有国际一流的半导体工艺设备，包括：步进式光刻机、离子注入机、金属溅射台、金属蒸发台、湿法蚀刻台等，设备稳定性高。

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