杭州吉海半导体什么时候开工

浙江省杭州市吉海半导体有限公司于2019年11月17日正式开工，是浙江省第一家大型半导体产业基地，也是浙江省继杭州市智能制造产业基地之后的又一重大投资项目。该项目总投资额达到120亿元，是浙江省政府大力发展半导体产业的重要举措，也是浙江省政府支持半导体产业发展的最新举措。

吉海半导体有限公司将以半导体封装测试、晶圆制造、芯片研发等为主，投资建设一系列先进的半导体设备，以及配套的研发、生产、检测、技术支持等设施，以实现半导体产业的全产业链建设。吉海半导体有限公司将以节能环保、智能制造等理念为指导，建设一个具有国际竞争力的半导体产业基地，为浙江省的半导体产业发展提供强有力的支撑。

日本在半导体设备和材料市场表现优秀，只是几棵树木的优秀，不是整片森林的出色。

汤之上隆认为，日本企业太容易墨守成规，不知变通，为了所谓的技术常常把工艺工序搞得很复杂，推高产品成本，很容易在技术更新换代时被淘汰。这就是日本工匠精神的局限。

富士通和NEC等日本芯片制造商虽然最先掌握铜布线量产工艺，但并未笑到最后，现在富士通、NEC等芯片业务的坟头草都有一丈高了，台积电却成长为业界的加州巨杉。

日本人当然不会这么傻，在向韩国扔出王炸时，他们早已看准了中国庞大的市场需求。

继近期三星太子李在镕飞往日本紧急解决关键半导体材料断供问题后，有媒体报道，韩国另一大半导体存储芯片制造商海力士也坐不住了，其CEO李锡熙在上周日(7月21日)也飞赴日本，和日本合作伙伴商讨如何解决断供问题。

韩国两大半导体厂老板先后被逼得出面救火，强大的韩国半导体产业在日本的锁喉功面前，似乎都成了纸老虎，有媒体更是因此直呼日本惹不起。

然而，如果追根朔源，就会发现，被认为是行业优等生的日本半导体材料(包括设备)企业，实际都是日本心中永远的痛。它们的优秀，远不如我们想象中的炫目。

1，芯片战遗产

1955年，索尼公司创始人盛田昭夫和井深大花2500美元，从AT&T下属的贝尔实验室购买到晶体三极管的专利许可，开始制造半导体收音机。日本的半导体产业由此起步。

从1970年代到1980年代，日本半导体产业迎来了兴盛期，半导体存储特别是DRAM(电脑内存)成为了日本第一产业，曾经的霸主美国被拉下马。1986年，日本半导体芯片占全球份额的40%，在DRAM领域最高则占据了80%的份额。

当时英特尔的主业正从DRAM切换到CPU，CPU还未成为引领行业的产品，因此全球半导体芯片生产的重心逐渐偏向日本硅岛(九州岛)。

相对于CPU来说，DRAM的结构简单得多，进入门槛不高，变成一种拼制造的产业，日本几乎有点实力的公司都争相挤入DRAM。在日本半导体产业发展高峰时期，既有NEC这种老牌的半导体厂商，也有做家电的松下和炼钢铁的新日铁这样的奇葩新人。

比较惹眼的是新日铁，主业是傻大黑粗的钢铁，和半导体没半毛钱关系，也要来分一杯羹，不仅要抢DRAM蛋糕，连半导体材料也不放过，毫不犹豫地进入了硅晶圆业务，2003失败退出后，2009年又进入碳化硅晶圆领域，期望在功率半导体底板材料领域有所作为，并且还颇有雄心壮志，其董事长石山照明在媒体上放话，要成为仅次于美国可瑞(Cree)公司的企业。美国可瑞(Cree)公司是谁?碳化硅晶圆市场的领投羊企业，石山照明的意思自然是，做不了行业老大，做行业老二可以吧。

总之，随着日本半导体芯片奠定在全球的江湖地位后，配套的日本半导体材料和设备也崛起为一支强势力量。

沾半导体芯片光的还有日本传统制造业，电子计算器、家电、照相机、汽车、手机(功能机)、显示器等产业相继崛起，几乎每一个都把美国相应的产业摁在地上摩擦。可以说，在半导体芯片的引领下，整个日本制造业实现了腾飞。

1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久， 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。 半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩——四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。

半导体于室温时电导率约在10ˉ10～10000/Ω·cm之间，纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。除上述晶态半导体外，还有非晶态的有机物半导体等和本征半导体。

1982年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742厂）IC生产线建成验收投产，这是一条从日本东芝公司全面引进彩色和黑白电视机集成电路生产线，不仅拥有部封装，而且有3英寸全新工艺设备的芯片制造线，不但引进了设备和净化厂房及动力设备等“硬件”，而且还引进了制造工艺技术“软件”。这是中国第一次从国外引进集成电路技术。第一期742厂共投资2.7亿元（6600万美元），建设目标是月投10000片3英寸硅片的生产能力，年产2648万块IC成品，产品为双极型消费类线性电路，包括电视机电路和音响电路。到1984年达产，产量达到3000万块，成为中国技术先进、规模最大，具有工业化大生产的专业化工厂。 1982年10月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导，成立了以万里副总理为组长的“电子计算机和大规模集成电路领导小组”，制定了中国IC发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。 1983年，针对当时多头引进，重复布点的情况，国务院大规模集成电路领导小组提出“治散治乱”，集成电路要“建立南北两个基地和一个点”的发展战略，南方基地主要指上海、江苏和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈阳，一个点指西安，主要为航天配套。

1986年，电子部厦门集成电路发展战略研讨会，提出“七五”期间我国集成电路技术“531”发展战略，即普及推广5微米技术，开发3微米技术，进行1微米技术科技攻关。 1988年，871厂绍兴分厂，改名为华越微电子有限公司。 1988年9月，上无十四厂在技术引进项目，建了新厂房的基础上，成立了中外合资公司――上海贝岭微电子制造有限公司。 1988年，在上海元件五厂、上无七厂和上无十九厂联合搞技术引进项目的基础上，组建成中外合资公司――上海飞利浦半导体公司（现在的上海先进）。 1989年2月，机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出了“加快基地建设，形成规模生产，注重发展专用电路，加强科研和支持条件，振兴集成电路产业”的发展战略。 1989年8月8日，742厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶电子集团公司。

1990年10月，国家计委和机电部在北京联合召开了有关领导和专家参加的座谈会，并向党中央进行了汇报，决定实施九O八工程。 1991年，首都钢铁公司和日本NEC公司成立中外合资公司――首钢NEC电子有限公司。 1995年，电子部提出“九五”集成电路发展战略：以市场为导向，以CAD为突破口，产学研用相结合，以我为主，开展国际合作，强化投资，加强重点工程和技术创新能力的建设，促进集成电路产业进入良性循环。 1995年10月，电子部和国家外专局在北京联合召开国内外专家座谈会，献计献策，加速我国集成电路产业发展。11月，电子部向国务院做了专题汇报，确定实施九0九工程。 1997年7月17日，由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建的上海华虹NEC电子有限公司组建，总投资为12亿美元，注册资金7亿美元，华虹NEC主要承担“九0九”工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。 1998年1月，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，有效期四年，华晶芯片生产线开始承接上华公司来料加工业务。 1998年1月18日，“九0八” 主体工程华晶项目通过对外合同验收，这条从朗讯科技公司引进的0.9微米的生产线已经具备了月投6000片6英寸圆片的生产能力。 1998年1月，中国华大集成电路设计中心向国内外用户推出了熊猫2000系统，这是我国自主开发的一套EDA系统，可以满足亚微米和深亚微米工艺需要，可处理规模达百万门级，支持高层次设计。 1998年2月，韶光与群立在长沙签订LSI合资项目，投资额达2.4亿元，合资建设大规模集成电路（LSI）微封装，将形成封装、测试集成电路5200万块的生产能力。 1998年2月28日，我国第一条8英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，这个项目是在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。 1998年3月16日，北京华虹集成电路设计有限责任公司与日本NEC株式会社在北京长城-饭店举行北京华虹NEC集成电路设计公司合资合同签字仪式，新成立的合资公司其设计能力为每年约200个集成电路品种，并为华虹NEC生产线每年提供8英寸硅片两万片的加工订单。 1998年4月，集成电路“九0八”工程九个产品设计开发中心项目验收授牌，这九个设计中心为信息产业部电子第十五研究所、信息产业部电子第五下四研究所、上海集成电路设计公司、深圳先科设计中心、杭州东方设计中心、广东专用电路设计中心、兵器第二一四研究所、北京机械工业自动化研究所和航天工业771研究所。这些设计中心是与华晶六英寸生产线项目配套建设的。 1998年6月，上海华虹NEC九0九二期工程启动。 1998年6月12日，深港超大规模集成电路项目一期工程――后工序生产线及设计中心在深圳赛意法微电子有限公司正式投产，其集成电路封装测试的年生产能力由原设计的3.18亿块提高到目前的7.3亿块，并将扩展的10亿块的水平。 1998年10月，华越集成电路引进的日本富士通设备和技术的生产线开始验收试制投 片，-该生产线以双极工艺为主、兼顾Bi-CMOS工艺、2微米技术水平、年投5英寸硅片15万片、年产各类集成电路芯片1亿只能力的前道工序生产线及动力配套系统。 1998年3月，由西安交通大学开元集团微电子科技有限公司自行设计开发的我国第一个-CMOS微型彩色摄像芯片开发成功，我国视觉芯片设计开发工作取得的一项可喜的成绩。 1999年2月23日，上海华虹NEC电子有限公司建成试投片，工艺技术档次从计划中的0.5微米提升到了0.35微米，主导产品64M同步动态存储器（S－DRAM）。这条生产线的建-成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路芯片生产线。

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