半导体的基础：何谓前道、后道工序工艺

前道主要是光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入、化学机械平坦等。后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。

湿制程主要是由液体参与的流程，如清洗、电镀等。干制程则与之相反，是没有液体的流程。其实半导体制程大部分是干制程。由于对Low-K材料的要求不断提高，仅仅进行单工程开发评估是不够的。为了达到总体最优化，还需要进行综合评估，以解决多步骤的问题。

扩展资料：

这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管，与之相对应的是后道(back end of line，BEOL)工艺，后道实际上就是建立若干层的导电金属线，不同层金属线之间由柱状金属相连。

新的集成技术在晶圆衬底上也添加了很多新型功能材料，例如：后道(BEOL)的低介电常数(εr <2.4)绝缘材料，它是多孔的能有效降低后道金属线之间的电容。

参考资料来源：百度百科-后道工序

参考资料来源：百度百科-半导体

参考资料来源：百度百科-前道工艺

（1）制备半导体材料应在氢气的还原性环境中进行，反应中要杜绝氧气的存在，氢气首先通过热的铜屑，以除去氢气中的氧气，涉及反应有2Cu+O2

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2CuO，CuO+H2

△   .

Cu+H2O，最终氧气和氢气反应生成水而被除去，

故答案为：除去氧气；2Cu+O2

△   .

2CuO；CuO+H2

△   .

Cu+H2O；

（2）B中生成水，为防止水吸收热量而导致D中温度较低，应在C中用碱石灰或无水氯化钙吸收水，

故答案为：无水CaCl2（或碱石灰等）；吸收水蒸气；

（3）点燃氢气前将E（带导管胶塞）接在D的出口处，可由于氢气的点燃，可用于检验氢气的纯度，防止氢气不纯而爆炸，故答案为：检验氢气纯度；

（4）A是安全瓶，填装铜屑，可吸收热量，降低温度，可以防止氢气燃烧回火，引起爆炸，故答案为：大量铜屑可以吸收热量，降低温度．

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