(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似

(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似,第1张

(1)Ga原子是31号元素,Ga原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1;GaN晶体结构与单晶硅相似,GaN属于原子晶体,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体,

故答案为:1s22s22p63s23p63d104s24p1;正四面体;原子;

(2)微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有能够接受孤电子对的空轨道的原子或离子,

故答案为:能够接受孤电子对的空轨道;

(3)①在元素周期表中同一周期从左到右元素的电负性逐渐增强,同一主族从上到下元素的电负性逐渐减弱,可知电负性强弱顺序为O>N>H,

故答案是:O>N>H;

②SO2分子中含有2个δ键,孤电子对数=

6?2×2
2
=1,所以分子为V形,SnCl4含有的价层电子数为50,并含有5个原子,与之为电子体的离子有SO42-、SiO44-等,

故答案为:V形; SO42-、SiO44-等;

③乙二胺分子中氮原子形成4个δ键,价层电子对数为4,氮原子为sp3杂化,乙二胺分子间可以形成氢键,物质的熔沸点较高,而三甲胺分子间不能形成氢键,熔沸点较低,

故答案为:sp3杂化;乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键;

④)②中所形成的配离子中含有的化学键中N与Cu之间为配位键,C-C键为非极性键,C-N、N-H、C-H键为极性键,不含离子键,

故答案为:abd; 

 ⑤从CuCl的晶胞可以判断,每个铜原子与4个Cl距离最近且相等,即Cu的配位数为4,根据化学式可知Cl的配位数也为4,

故答案为:4.

不能一概而论是物理变化or化学变化.如果是制备(例如合成)半导体,那就是化学变化;但如果是提纯半导体,这可能是物理变化(例如区域熔炼)、也可能是化学变化.

另外,在半导体技术中,除了研制单晶半导体以外,往往还需要研制半导体薄膜,这就需要采用化学气相外延、分子束外延、蒸发和溅射等技术,其中有的是物理变化(如蒸发),有的是化学变化(如外延).


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