二极管雪崩击穿时间

30ps。雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件，击穿时间是从30ps到2ms。整流二极管掺杂浓度没有这么高，PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。

雪崩击穿：当加在PN结两端反向电压足够大时，PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大，导致击穿。齐纳击穿：当PN结两端加入高浓度的杂质，在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。热击穿：加在PN结两端的电压和流过PN结电流的乘积大于PN结允许的耗散功率，PN结会因为热量散发不出去而被烧毁。热击穿与电击穿的不同：电击穿可逆，而热击穿不可逆。

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