1、工程拉锯战的开启。美国的新变法案立案之后,要求对美国本土的芯片提供巨额的补贴,但是提供的补贴有一个要求就是公司必须在美国本土制造芯片。这个法案的提出其实就是为了吸引更多的企业在美国本土进行投资和建厂。
企图用这样的方法让制造业能够回到美国本土当中。可以看得出美国的高端制造业人才比较少,而且目前并没有什么解决的方案。试图通过芯片法案之后能招引更多的工程师,这种想法是不对的。因为工程师红利这方面的内容并不是能够一蹴而就的。早在2016年,美国就对理工科毕业生进行了数据上的统计,其中中国有470万人,美国仅仅是56.8万人。对工科极度缺乏的。而这一次芯片法案之后,我国将能够借此机会在工程师上面得到转型和升级。
2、美国试图想要利用芯片法案,对我国的工厂造成影响。但是芯片方案的落实并没有在技术上对我国造成影响,反而是使我国的设备在全球能够大幅度的提升。特别是在疫情的影响之下,我国的半导体需求与应用正在发生着变化。第一季度市场风险偏好,但是有急剧下降的危险,但是半导体并没有形成严重的杀跌。
季报出来之后,对于那些低估的半导体公司,其上升的空间仍然维持一定的趋势,上升的空间还能够在一定规模上打开。也即意味着净利润有望在一个程度上得到提升。长期来看,科技创新带动的行业景气将不会轻易的受到改变。我国的半导体设备市场规模正在同比增长过程当中。现在半导体最大的机会就在于国产替代进口。国内晶圆代工厂和储存器厂的扩产是半导体设备材料公司最主要的一个方面。
半导体分立器件制造行业主要上市公司:目前国内半导体分立器件制造行业上市公司主要有华润微(688396)、士兰威(600460)、科技(300373)、华微电子(600360)、信捷能(605111)、苏州固锝(002079)。
本文核心数据:半导体分立器件出货量、市场规模、区域分布。
1.英飞凌推动全球分立器件性能提升。
全球分立半导体器件诞生于上世纪中叶。20世纪50年代,功率二极管和功率三极管问世,并应用于工业和电力系统。六七十年代,晶闸管等分立器件发展迅速;20世纪70年代末,开发了平面功率MOSFET。80年代后期,沟槽功率MOSFET和IGBT逐渐出现,分立器件正式进入电子应用时代。90年代,超结MOSFET逐渐出现,打破了传统的“硅极限”,满足了大功率、高频的应用要求。2008年,英飞凌率先推出屏蔽栅功率MOSFET,分立器件性能进一步提升。
2.分立器件的全球供需明显受疫情影响。
-由于疫情,全球供应疲软。
新冠肺炎疫情对全球经济产生了巨大影响,包括半导体分立器件在内的许多行业都受到了负面影响。根据Statista的预测数据,2020年全球分立半导体器件出货量将达到4630亿。
随着病毒在全球传播,全球供应链中断,隔离期仍不确定。为了遏制新冠肺炎的蔓延,全球许多制造工厂都采取了停工控制措施。例如,由于马来西亚、中国和菲律宾的政府订单,安美半导体的大部分制造设施被关闭,影响了其向客户供应产品的能力。https://iknow-pic.cdn.bcebos.com/1e30e924b899a901545b9da60f950a7b0208f530?x-bce-process=image%2Fresize%2Cm_lfit%2Cw_600%2Ch_800%2Climit_1%2Fquality%2Cq_85%2Fformat%2Cf_auto
首先是芯片技术的发展趋势。存储芯片是半导体存储器的重要组成部分,其技术的发展决定了新一代存储器的容量和性能。主流的存储芯片有DRAM存储芯片和NAND闪存芯片,其中DRAM的技术发展路径是通过工艺小型化来提高存储密度。工艺进入20nm后,制造难度大大提高。
其次是半导体制造设备细分。在国内一些晶圆厂的采购中,去胶设备国产化率接近90%,是半导体制造设备中国产化率最高的。中国半导体行业正在经历下游需求爆发带来的行业复苏和国内替代机会。非晶半导体不是物理加工,而是用化学手段直接改变原子的位置,使原来的周期性发生变化,形成非晶硅。制造过程简单,易于 *** 作,成本低,但这种物品对环境有污染,且难以分解。
再者是新型存储介质的发展趋势。新的存储介质结合了DRAM存储器的高速存取和NAND闪存断电后保留数据的特性,可以打破存储器和闪存的界限,将两者合二为一。同时,新型存储介质功耗更低、寿命更长、速度更快,因此被业界视为未来闪存和内存的替代品。然而,新的存储介质行业尚未成熟。
要知道的是中国作为半导体消费大国,内需市场依然巨大。虽然中国半导体产业发展起步较晚,与国际大公司相比仍有差距,但不可否认,中国是全球最大的集成电路产品消费市场,也是全球集成电路产业发展的重要支撑。近年来,国内半导体技术企业逐步攻克了一系列关键技术难题。大部分关键设备类型可实现国产化配套,主要零部件配套体系初步形成。一些设备已经进入国际采购系统。
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