有机半导体和无机半导体的异同点

不同点：

一、本质不同。

有机半导体是有机合成的，无机半导体是无机合成的。

二、成膜技术不同。

有机半导体的成膜技术比无机半导体更多、更新。

三、性能不同。

有机半导体比无机半导体呈现出更好的柔韧性，而且质量更轻。有机场效应器件也比无机的制作工艺也更为简单。

相同点：运用范围相同，都是主要运用在收音机、电视机和测温上。

扩展资料

无机合成物半导体。无机合成物主要是通过单一元素构成半导体材料，当然也有多种元素构成的半导体材料，主要的半导体性质有I族与V、VI、VII族；II族与IV、V、VI、VII族；III族与V、VI族；IV族与IV、VI族；V族与VI族；VI族与VI族的结合化合物。

但受到元素的特性和制作方式的影响，不是所有的化合物都能够符合半导体材料的要求。这一半导体主要运用到高速器件中，InP制造的晶体管的速度比其他材料都高，主要运用到光电集成电路、抗核辐射器件中。对于导电率高的材料，主要用于LED等方面。

有机合成物半导体。有机化合物是指含分子中含有碳键的化合物，把有机化合物和碳键垂直，叠加的方式能够形成导带，通过化学的添加，能够让其进入到能带，这样可以发生电导率，从而形成有机化合物半导体。

这一半导体和以往的半导体相比，具有成本低、溶解性好、材料轻加工容易的特点。可以通过控制分子的方式来控制导电性能，应用的范围比较广，主要用于有机薄膜、有机照明等方面。

参考资料：百度百科-半导体

X-射线衍射可以测量，固体物理有讲，比如这篇文章比较具体《Electronic structure of GaN and Ga

investigated by soft x-ray spectroscopy and first-principles methods》，你可以在Google里直接下到全文

本发明涉及一种TFT基板及TFT基板的制造方法，特别地，涉及一 种具备作为TFT (薄膜晶体管)的有源层的氧化物半导体(n型氧化物半 导体层)的顶栅型的TFT基板及TFT基板的制造方法。此外，此TFT基 板及TFT基板的制造方法通过利用第二氧化物层(氧化物导电体层)形成 源布线、漏布线、源电极、漏电极及像素电极，就能够削减制造工序，并 能够降低制造成本。

背景技术：

基于显示性能、节约能源等的理由正广泛地利用LCD(液晶显示装置) 和有机EL显示装置。特别是，这些作为携带电话和PDA (个人携带信息 终端)、电脑和膝上型电脑、电视机等显示装置，基本上成为主流。在这 些显示装置中，通常使用TFT基板。例如，液晶显示装置在TFT基板和对置基板之间填充有液晶等的显示 材料。此外，此显示材料对每个像素选择地施加电压。在此，TFT基板是 配置由半导体薄膜(也称为半导体膜)等形成的TFT (薄膜晶体管)的基 板。由于TFT基板通常以阵列状配置TFT，所以也称为「TFT阵列基板J。再有，在液晶显示装置等中使用的TFT基板中，在玻璃基板上纵横地 配设TFT和液晶显示装置的画面的1像素的组(将这称为1单元)。在TFT 基板中，在玻璃基板上，例如在纵向上以等间隔配置栅布线，在横向上以 等间隔配置源布线或漏布线的一个布线。此外，源布线或漏布线的另一个 布线、栅电极、源电极及漏电极分别被设置在构成各像素的上述单元中。<TFT基板的现有制造方法>现在，作为此TFT基板的制造方法，通常已知有使用5片掩模的5 片掩模工艺、和通过半色调曝光技术使用4片掩模的4片掩模工艺等。 当前，在这样的TFT基板的制造法中，由于使用5片或4片的掩模，所以其制造工艺需要很多工序。例如，4片掩模工艺需要超过35步骤(工 序)的工序，5片掩模工艺需要超过40步骤(工序)的工序。像这样，工 序数量增多时，就会担心制造合格率下降。此外，工序数量多时，就会担 心工序变复杂，制造成本增大。 (使用5片掩模的制造方法)图54是用于说明现有例相关的TFT基板的制造方法的示意图，(a) 表示形成有栅电极的剖面图。(b)表示形成蚀刻停止层的剖面图。(c)表 示形成有源电极及漏电极的剖面图。(d)表示形成有层间绝缘膜的剖面 图。(e)表示形成有像素电极的剖面图。在图54 (a)中，在玻璃基板9210上，使用第一掩模(未图示)形成 栅电极9212。即，首先在玻璃基板9210上通过溅射堆积金属(例如Al (铝)等)。接着，使用第一掩模通过光刻法形成抗蚀剂。接着，通过按 规定的形状进行蚀刻，形成栅电极9212，灰化抗蚀剂。接着，如图54 (b)所示，在玻璃基板9210及栅电极9212上依次层 叠由SiN膜(氮化硅膜)形成的栅绝缘膜92B、及a-Si:H(i)膜9214。接 着，堆积作为沟道保护层的SiN膜(氮化硅膜)。接着，使用第二掩模(未 图示)通过光刻法形成抗蚀剂。接着，是用CFH气体以规定的形状干蚀 刻SiN膜，形成蚀刻停止层9215，灰化抗蚀剂。接着，如图54 (c)所

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