半导体元器件的区别？

二极管的基本特性就是单向导电性。检修测量时通过两个方向的截止和导通情况来判断是否损坏。二极管的主要参数有反向电压、持续正向电流、正向导通电压、耗散功率和反向恢复时间（决定适用工作频率）。不同型号的二极管，维修替换时要全面考虑这些参数，用于替换的元件参数须与元件参数相同或高出原件。

二极管的正向压降使用数字万用表的二极管测试挡可以测出，一般在0.4～0.8V之间，肖特基二极管的导通电压可以低至0.2V，在需要低电压降的场合大量应用，维修时选择替换型号尤其要引起注意。

三极管是电流控制型半导体器件，是透过基极的小电流来控制集电极相对大电流的元件。三极管有三个工作状态：截止状态、放大状态和饱和状态。因为运算放大器的广泛使用，在工控电路板中使用三极管用作模拟放大的电路已不多见，三极管的最常见用法是使用它的饱和截止状态做开关信号驱动。

场效应管的外观封装和三极管相同。场效应管属于电压控制型半导体器件，即通过控制栅极和源极电压大小来控制漏极和源极的导通情况，场效应管的栅极输入阻抗非常高。根据结构的不同，场效应管又分为P沟道和N沟道两种类型。

维修时，需要关注的几个场效应管的主要参数如下。

V DSS （漏-源电压）：场效应管工作时，漏极-源极之间的电压应低于此电压；

V GS （栅极-源极电压）：在栅极和源极所加控制电压的极限；

I D （漏极持续电流）：场效应管导通时，漏极能持续通过的最大电流；

R DS （ ON ） （漏-源通态电阻）：当漏极和源极导通后，它们之间的电阻值；

VGS（TO）栅-源阈值电压：既要使场效应管导通，加在栅极和源极之间的最小电压。

晶闸管也称可控硅，也是电流型控制半导体器件，如图1.39（a）所示，控制极和阴极之间的电阻比较小，通过施加控制极G和阴极K之间的电流来控制阳极A和阴极K之间的导通。晶闸管的特点是“一触即发”，就是在G和K之间加上电流后，A和K导通，即使去除G和K之间的电流，阳极和阴极也会维持导通。如果要关断A和K，就要断开加在A上的电压或减小A、K之间的回路电流至足够小才行。

电子器件的优点：便宜（半导体芯片量产线很成熟），小，轻

缺点：反应速度（电子的移动速度大概比光速低2个数量级），精度（很多误差因素，不做解释），寿命（电子器件有漂移，不做解释）

反过来就是光学器件的优缺点。（需要光源与探测器，其他不解释）

相比于传统的真空电子器件，半导体材料具有频率特性好、体积小、功耗小，便于电路的集成化产品的袖珍化，此外在坚固抗震可靠等方面也特别突出；

但是在失真度和稳定性等方面不及真空器件。所以有利也有弊，不过总体上来衡量的话，还是利大于弊，所以现在选择的材料都是半导体材料了。

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