红外探测材料
包括硫化铅、锑化铟、锗掺杂（金、汞）、碲锡铅、碲镉汞、硫酸三甘酞、钽酸锂、锗酸铅、氧化镁等一系列材料，锑化铟和碲镉汞是目前军用红外光电系统采用的主要红外探测材料，特别是碲镉汞（Hg-Cd-Te）材料，是当前较成熟也是各国侧重研究发展的主要红外材料。它可应用于从近红外、中红外、到远红外很宽的波长范围，还具有以光电导、光伏特及光磁电等多种工作方式工作的优点，但该材料也存在化学稳定性差、难于制成大尺寸单晶、大面积均匀性差等缺点，Hg-Cd-Te现已进入薄膜材料研制和应用阶段，为了克服该材料上述的缺点，国际上探索了新的技术途径： （1）用各种薄膜外延技术制备大尺寸晶片，这些技术包括分子束外延（MBE）、液相外延（LPE）和金属有机化合物气相淀积（MOCVD）等。特别是用MOCVD可以制出大面积、组分均匀、表面状态好的Hg-Cd-Te薄膜，用于制备大面积焦平面阵列红外探测器。国外用MOCVD法已制成面积大于5cm2、均匀性良好、Δx=0.2±0.005、工艺重复性好的碲镉汞单晶薄膜，64×64焦平面器件已用于型号系统、512×512已有样品。 （2）寻找高性能新红外材料取代Hg-Cd-Te，主要包括：①Hg-Mn-Te和Hg-Zn-Te，美国和乌克兰等国从80年代中就开展了这方面的研究，研究表明，Hg1-xZnxTe和Hg1-x CdxZnyTe的光学特性和碲镉汞很相似，但较容易获得大尺寸、低缺陷的单晶，化学稳定性也更高。Hg1-xMnxTe是磁性半导体材料，在磁场中的光伏特性与碲镉汞几乎相同，但它克服了Hg-Te弱键引起的问题。②高温超导材料，现处于研究开发阶段，已有开发成功的产品。 ③Ⅲ-V超晶格量子阱化合物材料，可用于8～14μm远红外探测器，如：InAs/GaSb（应变层超晶格）、GaAs/AlGaAs（量子阱结构）等。 ④SiGe材料，由于SiGe材料具有许多独特的物理性质和重要的应用价值，又与Si平面工艺相容，因此引起了微电子及光电子产业的高度重视。SiGe材料通过控制层厚、组分、应变等，可自由调节材料的光电性能，开辟了硅材料人工设计和能带工程的新纪元，形成国际性研究热潮。Si/GeSi异质结构应用于红外探测器有如下优点：截止波长可在3～30μm较大范围内调节，能保证截止波长有利于优化响应和探测器的冷却要求。Si/GeSi材料的缺点在于量子效率很低，目前利用多个SiGe层来解决这一问题。 〔6〕1996年美国国防部国防技术领域计划将开发先进红外焦平面阵列的工作重点确定为：研制在各种情况下应用（包括监视和夜间/不利气象条件下使用的红外焦平面阵列）的红外探测器材料，其中包括以如下三种材料为基础的薄膜和结构：具有芯片上处理能力的GgCdTe单片薄膜、InAs/GaSb超晶格和SiGe（肖特基势垒器件）。这三种材料也正是当前红外探测材料发展和研究的热点。
红外透波材料
主要用作红外探测器和飞行器中的窗口、头罩或整流罩等，它的最新进展和发展方向如下：（1）目前，在中红外波段采用的红外透过材料有锗盐玻璃、人工多晶锗、氟化镁（MgF2）、人工蓝宝石和氮酸铝等，特别是多晶氟化镁，被认为是综合性能比较好的材料。远红外材料是红外透过材料当前研究发展的重点之一，8～14μm长波红外透过材料有：硫化锌（ZnS）、硒化锌（ZnSe）、硫化镧钙（CaLa2S4）、砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）和锗（Ge）等。ZnS被认为是一种较好的远红外透过材料，在3～12μm范围，厚2mm时，平均透过率大于70%，无吸收峰，采取特殊措施，最大红外透过率达95.8%。国外已采用ZnS作为远红外窗口和头罩材料，象美国的LANTRIRN红外吊舱窗口，Learjel飞机窗口等。美国Norton国际公司先进材料部每年生产上千个ZnS头罩。ZnS多晶体的制备方法主要有两种：热压法与化学气相淀积法（CVD），CVD法制备的材料性能较好。 红外透过材料发展的另一个重要方向是：耐高温红外透过材料的研究。高速飞行器在飞行过程中会对红外窗口和罩材产生高温、高压、强烈的风砂雨水的冲刷和浸蚀，影响红外透过材料的性能，因此需要一系列新型的耐高温、具有综合光学、物理、机械、化学性能的新材料。这些条件下使用的理想材料从室温到1000℃应具有下列特性：在使用波段内具有高透过，低热辐射、散射及双折射，高强度，高导热系数，低热膨胀系数，抗风砂雨水的冲击和浸蚀，耐超声波辐射等。最近研究较多的耐高温红外透过材料有镁铝尖晶石、兰宝石、氧化钇、镧增强氧化钇和铝氧氮化物ALON等。镁铝尖晶石是近年来研究最多的最优秀的红外光学材料之一，它能在高温、高湿、高压、雨水、风砂冲击及太阳暴晒下仍保持其性质，因而是优先选用的耐高温红外透过材料，它可透过200nm到6μm的紫外、可见光及红外光。单晶监宝石也是一种耐高温红外材料，它可透过从远紫外0.17μm到6.5μm的红外光，用新研制的热交换法晶体生长过程可以制造直径达25cm的大尺寸蓝宝石。氧化钇和镧增强氧化钇的透过波长为8μm，在氧化钇中掺入氧化镧，材料强度提高30%，光学特性不变。由于高温下具有很高的硬度，所以它具有很好的抗冲击、抗浸蚀性能。严格的说到目前还没有一种理想的材料能完全满足上述要求。但包括上述材料在内的不少材料具有较理想的综合性质。红外透过材料的第三个发展方向是：红外/毫米波双模材料，这是为适应红外/毫米波双模复合材料制导技术的需要。目前，还没有一种材料能满足红外/毫米波双模材料既要有高的远红外透过率又有小的介电常数和损耗角正切的要求，高性能的红外/毫米波双模材料尚待进一步研究发展。红外材料的应用：包括各种导d的制导、红外预警（包括探测、识别和跟踪、预警卫星、预警飞机、各种侦察机等）、观察瞄准（高能束拦截武器等）。
编辑本段激光材料
目前固体激光器正寻求在可见和近可见光谱范围波长可调，为此而发现的可调谐激光晶体已有30多种，其中，Cr3 离子掺杂新晶体具有较高受激辐射截面和低饱和能量密度，它们的波长范围是：Cr3 :LiCaAlF3为0.72～0.84μm、Cr3 :LiSrAlF6为0.78～1.01μm，特别是Cr:LiSAF，它的饱和能量密度为5J/cm2，在激光调谐范围，荧光寿命、激光效率、热透镜效应等方面具有良好的性能。
编辑本段军事应用
军用光电材料研究的目的是将研究成果应用于新一代高技术光电子装备系统，提高电子进攻和防卫综合电子战的能力。军用光电材料是军用光电子技术的重要基础，对军用光电子装备系统有重要的赋能和倍增作用。以红外材料为基础的光电成像夜视技术能增强坦克、装甲车、飞机、军舰及步兵的夜战能力，为航空、卫星侦察、预警提供重要手段，成像制导技术可大大提高导d的命中率和抗干扰能力。以新型固体激光材料为基础的激光测距、激光致盲武器和火控制系统等使作战能力大大加强。可调谐激光晶体为从可见光到红外波段可调谐激光系统提供工作物质可提高激光雷达、空中传感和水下探测等军用激光系统的领域监视、侦察能力。利用光纤材料、宽带、抗电磁和强核电磁脉冲干扰、保密、体积小、环境适应性强和抗辐照等优点，可实现地面武器系统无人远距离传感阵和有人控制站之间的GB/s级信息传输；舰船指挥可以通过光纤为远距离舰队发送信号，进行指挥；飞机将能发射光纤携绳的机载无人加强飞机或靶机；以往的武器有线制导将被光纤制导所取代；军用运载体的惯性导航系统将被光纤陀螺所取代；战略武器发射的C3I系统也将启用光纤C3I网络等等。总之，军用光纤系统的应用，将远远超越话音和低速率数据通信的范围，而进入传感、海上或空中武器平台及各种高速率传输系统。
小巧玲珑
美国模拟器件公司(ADI) 日前新研制成功世界上第一款用于无线通信手机的完全基于 (RAM)的基带芯片组。这款小小的SoftFone芯片组，体积小巧，仅像火柴盒一般大小，能够使移动电话厂商和终端用户轻松定制、选择功能。这种芯片组的功耗较小，成本也比较低，因而极具竞争优势。SoftFone芯片组完全基于RAM，GSM移动电话厂商可利用普通硬件平台装入不同版本的软件，以支持从高端到低端的全系列手机。ADI的这款SoftFone芯片组将于今年8月初大批面市。
为了进一步缩小通信芯片的体积，科学家们正在研制一系列的采用非硅材料制造的芯片，例如砷化镓(GaAs)芯片、锗(Ge)芯片以及硅锗(SiGe)芯片等。 这些非硅通信芯片的体积更小巧，能够用来制造轻、薄、短、小的通信设备。
为了使通信终端设备做得越来越小，在数字蜂窝电话中，芯核RISC处理器构成一个高集成度子系统的一部分。基带部分，即RF 部分在通常的情况下集成一个RISC微控制器、一个低成本DSP、键盘、存储器、屏控制器和连接逻辑。ARM公司的ARM7 TDM1十分适合于这种应用，其每兆赫仅消耗1.85mW，相对低的 13MHz 速率与GSM900系统中的微控制器同步。RISC芯核在芯片上仅占4.9m2的面积，可以在较低的电压下工作，因而片上存储器的功耗往往低于片外存储器。ROM的功耗也小于SRAM。在可能的情况下，采用空载模式更能节省功率。在一般情况下，片上必需包括一个锁相环为DSP提供时钟信号。
高集成度在DSP芯片中也应用得很广泛。 为用低功耗的小型器件进行高水准的调制和解调算法作业，已经开发出包含有DSP内核电路的单片算法IC。在21世纪初的几年内，随着微细化工艺技术的不断发展，在更多地采用0.25μmCMOS工艺之后，集成度将会得到进一步的提高，而电压和功耗将会进一步降低，从而能够将用于协议处理的CPU内核电路也全部集中制作在一枚小小的芯片上。 Texas Instruments(TI)公司日前新推出的TMS320C6203产品，有250MHz、300MHz两种型号，执行速度高达2900MIPS，是目前世界上速度最快的DSP产品。这款芯片集成了7Mbits内存，是目前在单机芯DSP里集成的最大内存，采用18m2的BGA封装，能够节省插件板/系统空间，适用于3G无线基站、电信系统和网络基础设施的设备。
使通信芯片实现微型化的另一种有效的途径，是在半导体通信芯片制造工艺中采用更先进的光刻技术，科学家们让光透过掩膜形成一个影像，利用透镜使这个影像缩小，并且巧妙地利用这种投影光，把芯片电路的轮廓投射到涂有一层硅的光刻胶上面，通过对透镜的改进，缩短光的波长，并且改进光阻材料，就可以把芯片电路蚀刻得更加细致入微，更加精确，从而制造出集成度更高、体积更小的通信芯片，使用这种芯片的移动通信设备将变得更加便携。
快如闪电
第三代移动通信正在崛起，3G与第一代以及第二代移动通信技术最大的不同，在于3G需要面向Internet和数据通信。因此，对新一代的手机IC芯片提出了更好的要求，要求手机IC芯片具有更强大的数据存储和数据处理能力，必需拥有更广阔的存储空间，用来存储从网上下载的各种数据信息。此外，还要求新一代手机中被处理的信息不再仅仅是语音和指令，而是更复杂的多媒体信息，因此，要求新一代手机IC芯片必需拥有更高速的数据处理能力，要求其速度快如闪电。
为了使新一代手机拥有更大的存储能力和更快的数据处理能力，将会提高手机的功耗，而要达到大数据量存储、高速处理和功耗不增加这三种要求,新一代手机应当采用嵌入式flash（快闪）存储技术、高性能的DSP和降低电池电压等各种手段。
高速接口IC，用于通信网络的中继传输和几个通信系统之间的高速传输，传输速度已经按照ITU规定的SHD实现标准化。除了与光缆接口的激光器驱动电路和光接收电路等光电变换电路之外，其它的诸如帧同步、纠错以及传输总线的多路分离等，都需要利用目前已经向着微细化发展的CMOS 技术的高集成度将其制作在一枚小小的芯片上。目前，以0.35μmCMOS技术制作的通信接口IC，能够以2.4Gbps的速度进行各种传输信息的处理。
蓝色巨人IBM和北方电讯(Nortel) 公司的科学家们还联合研制出了一款制造材料既非硅、也非锗的新型芯片，这就是SiGe芯片，它是由硅(Si)和锗(Ge)两种材料的混合物制造而成的，称为SiGe混合物半导体芯片。 根据这两家公司的合作协议，Nortel公司负责为几种高速通信应用程序专门设计这种新型SiGe芯片，而IBM公司则负责专门生产这种芯片。 这种SiGe芯片是目前其他一些非硅半导体芯片诸如砷化镓芯片的有益的补充，SiGe芯片能够有力地支持研发更复杂、高速的通信新产品。与砷化镓芯片比较，SiGe芯片有着其明显的优势，SiGe芯片的集成度更高，体积更小，功耗也更少。此外，SiGe芯片还有一个突出的优点，它可以用现有的硅芯片生产设备进行加工，而不必另外添置其它的加工设备，从而能够有效地降低生产成本，与其他的非硅芯片更具有价格优势。
美国密执安大学工程学院在最近研制成功一种新型光学芯片，这种芯片可以大大增加数据高速公路的信息容量，使上网用户获益匪浅。这种芯片是目前高速光电子信号检测的世界纪录保持者，它可以接收速度高达24Mbps的以激光脉冲传输的数据，而目前绝大多数同类产品能够处理的数据传输速度，仅为11兆位/秒。这所工程学院新推出的光学芯片，在同一种半导体叠层中集成了光检测仪和放大装置，不必采用会增加混合光感接收器制造成本的连接电线。这种芯片的电路包括一个可检测输入光束的P 型光电二极管和一个放大高速信号的异结双极晶体管。这种芯片是在密执安大学固态电子实验室采用一种半导体工业最常用的单步分子束外延生长工艺研制成功的。虽然目前这种光学芯片的成本还比较高，但是，一旦这种制造技术实现了标准化，那么，光学芯片的成本和价格就会大大降低，届时，光学芯片就会在电子业界和通信业界得到广泛的应用。
功能多样
欧洲最大的半导体制造厂商Philips半导体公司日前推出新型的GSM GPRS芯片组，以便实现基于GSM移动电话系统的高速数据传输，为移动通信Internet和个人多媒体服务热潮推波助澜。这种芯片组基于Philips并购的 VLSI 技术公司的OneC基带控制器，这是目前业界最高集成度的GSM解决方案，它将成为利用 GPRS进行高速数据传输的新一代移动电话的核心。这种综合GPRS方案的射频部分是由Philips开发的新型双带RF芯片组构成的。GPRS OneC 和Philips以及第三方的RF方案相容，成为一款面向3G的新产品。Philips的下一代将会集成更多的新功能，例如GPS、MP3以及Bluetooth等，并且直接面向UMTX、WCDMA以及CDMA-2000等3G移动通信标准。
Philips公司推出的两款多功能电话通信芯片TEA1118以及 TEA1118A，可以应用于可视电话、传真电话一体机和室内无绳电话基地台等。TEA1118 芯片具有各种DECT应用方案的多种语音电路功能，TEA1118A芯片也具有各种CTO/CT1模拟室内无绳电话所需的DTMF拨号插入和噪声控制等多种功能。内置拨号和接口的低压芯片TEA110A，则属于TEA1112A的低价产品，采用DIP14/SO14两种封装，能够为不设发光二极管挂上/ 挂下指示与传声器噪声抑制功能的电话提供具有价格竞争能力的解决方案。TEA111X系列的芯片产品则采用高密度双极处理技术生产而成，可以使新型电话的设计大为简化。
AMD公司新推出两款最先进的手机用flash存储器芯片:32MB的Am29BDS323和64MB的Am29BDS643，这两款芯片都采用AMD公司创新的同步读/写结构、高性能爆发模式接口以及超低电压技术。这两款芯片可以在40MHz～54MHz的频率范围内进行运作，最适宜用于新一代的移动通信手机，能够支持多种创新的功能，例如上Internet的功能、PDA、视频数据分流传输以及MP3等功能。Am29BDS323芯片的存取时间为20ns，而Am29BDS643芯片的存取时间仅为13.5ns，比其他的竞争产品快，这种高速存取功能可以大大减少读取flash代码以及数据所需的等待状态次数，从而确保微处理器可以充分发挥其性能。Nokia公司由于采用分组无线通信服务(GPRS)、EDGE以及第三代无线通信技术的新一代手机需要支持高速的数据传输，因而需要得到先进的flash芯片的支持，而AMD公司推出的这两款flash能够满足这种需求。
为了研制出多功能的移动通信便携式终端设备，要求通信芯片具有更高的集成度，从而将多种芯片集成到一块芯片上，成为一体化芯片。Agere Systems公司（原Lucent Technologies微电子部），集中力量专攻通信设备的研究开发，成绩斐然，这家公司曾经创造了年销售通信芯片30亿美元的业绩，其中，一体化多功能芯片占58%，居该公司所有产品销售总额的12%。Agere最近还新推出了一款由11 个芯片组集成为一体的多功能移动电话。另外一家业界巨头TI ，最近几年将其研发重点进行了重新定位，加大了研发DSP及其他多功能通信芯片的力度，在研制开发新款多功能通信芯片方面表现不俗，十分引人注目。
功耗不断降低
长期以来，科学家们一直致力于研制能够显著地降低能耗的产品。最近，一种新推出的利用反向计算的方法设计的微处理器芯片可以大大降低耗电量。这种设计方法将导致功能强大的微处理器问世，这种微处理器可用于诸如掌上型计算机、移动电话和便携式计算机等电流驱动的装置中，并且可以大大延长这类装置的运行时间。美国麻省理工学院负责反向计算项目的著名科学家迈克尔. 弗兰克在最近指出:“在不使用昂贵制冷系统的情况下，我们的研究已经接近了高速微处理器所能散发热量的物理极限”。弗兰克和他的同事们认为，除非散热问题能够得到完美的解决，否则“摩尔定律”就将变得不再适用了。他们还指出，反向计算所涉及的技术，是解决微处理器散热问题的最佳方案。在反向计算中，每个运算周期后存储在微处理器中的信息并没有完全被擦掉，擦掉信息时微处理器是不会发热的，而是保留了某些信息，供下一个运算周期使用。科学家们制造的理论模型表明，制造出只消耗相当于目前微处理器1%电能的功能强大的微处理器是完全可能的。加州大学信息学学院的一个研究小组最近宣布，他们已经研制出世界上第一块利用某些反向计算技术的微处理器芯片。
Motorola公司半导体部新推出的FLEX芯片组，提供了处理FLEX 协议所需的所有器件，加速了专业人员设计的寻呼机产品投放市场的速度。FLEX 协议是开发高速寻呼机de facto标准，它向专业人员提供一组共同的规则，确保寻呼机的使用能够跨越不同寻呼台站的设备。 Motorola FLEX 芯片组包括 : 68175FLEX 字符数字芯片，68181FLEX漫游芯片，68175FCB FLEX开发和新款模拟-数字转换芯片68176， 它能够将68176模拟/ 数字芯片插在 FLEX 开发板上 ，并且将 900MHz 射频接收器连接到68175FLEX字符芯片或者68181漫游芯片上。ADC把由RF接收器检测到的4级声频信号转换为2位数字信号，以供系统其余部分使用。 Motorola提供的68176芯片具有更宽的工作电压范围、较低的电源电压和比其它ADC芯片更低的成本，深受广大用户青睐。
以锗硅合金为例。
1、性质： 高频特性良好，材料安全性佳，导热性好，而且制程成熟、整合度高，具成本较低之优势。
2、作用：不但可以直接利用半导体现有200mm 晶圆制程，达到高集成度，据以创造经济规模，还有媲美GaAs的高速特性。随着近来IDM 大厂的投入，SiGe 技术已逐步在截止频率(fT)与击穿电压(Breakdown voltage)过低等问题获得改善而日趋实用。
SiGe既拥有硅工艺的集成度、良率和成本优势，又具备第3 到第5 类半导体(如砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP))在速度方面的优点。只要增加金属和介质叠层来降低寄生电容和电感，就可以采用SiGe 半导体技术集成高质量无源部件。
扩展资料：
半导体的导电特性介绍：
导体具有良好的导电特性，常温下，其内部存在着大量的自由电子，它们在外电场的作用下做定向运动形成较大的电流。因而导体的电阻率很小，只有 金属一般为导体，如铜、铝、银等。
绝缘体几乎不导电，如橡胶、陶瓷、塑料等。在这类材料中，几乎没有自由电子，即使受外电场作用也不会形成电流，所以，绝缘体的电阻率很大，在 以上。
半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，如硅、锗、硒等，它们的电阻率通常在 之间。半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。
如纯净的半导体单晶硅在室温下电阻率约为 ，若按百万分之一的比例掺入少量杂质(如磷)后，其电阻率急剧下降为 ，几乎降低了一百万倍。半导体具有这种性能的根本原因在于半导体原子结构的特殊性。
参考资料来源：百度百科-半导体
百度百科-锗硅合金
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