解决芯片危机不是一朝一夕之事

编译 | 杨玉科

编辑 | Jane

出品 | 帮宁工作室（gbngzs）

通用 汽车 密歇根州兰辛工厂停产，全球因芯片而停产的 汽车 数量目前已接近100万辆。

上周，通用 汽车 表示，由于全球半导体芯片短缺，其雪佛兰Camaro和凯迪拉克CT4和CT5等车型的生产线计划从2021年3月15日开始停产。停产时间将至少持续到这个月底。通用 汽车 对此表示，未来将尽可能地弥补这些产量损失。

随着通用 汽车 决定在密歇根州兰辛工厂停产。预测公司AutoForecast Solutions（简称AFS）表示，本月，通用 汽车 产量损失将达到5100辆。

AFS从今年1月份开始跟踪 汽车 产量损失数据。截至3月14日，AFS表示，芯片短缺已宣布的对北美 汽车 产量的影响增长到33.4万辆。这比前一周增加了1.3万辆。

据估计，全球受芯片影响损失的车辆已经升至93.3万辆，高于1周前的88.2万辆（本周数据截至3月12日）。而根据当前形势所做出的最新预测认为，最终全球将影响176万辆产量。

在这样的背景下，有报道称，芯片制造商正在全力提高产能，目前，美国联邦政府也在采取措施鼓励芯片生产， 汽车 制造商则在重新评估供应链的实践模式。然而，研究追踪芯片问题的分析人士和预测人士表示，目前来看，这些急救措施对芯片短缺问题无法产生实质性作用。

LMC Automotive美洲业务总裁杰夫·舒斯特(Jeff Schuster)表示:“你不能张张口就说，‘我需要增加20%或30%的芯片。’这不是上下嘴皮一碰那么简单的事情。我有种感觉，可以说，我们就是在忐忑不安和无能为力的情绪中等待这个难题被解决。”

舒斯特表示，尽管最近采取的各种措施长远看能够带来积极效应，比如，可以扩大现有芯片工厂的产能，然而这些措施无法迅速解决目前的供应问题。而且联邦政府的干预措施也只能在短期内做到这种程度。

舒斯特说:“目前这些措施，以及未来可能采取的措施，都不可能在一夜之间产生效果。”试图努力释放更多产能的方式很有希望。但现实是，这样的计划暂时对缓解芯片短缺问题不会有多大帮助。

全球 汽车 芯片制造商瑞萨电子(Renesas)上周表示，其日本工厂正在“超速”工作，以满足订单需求，但基本上也只能做到这样了。

德国大型供应商博世(Bosch)上周表示，该公司在德国德累斯顿市(Dresden)投资12亿美元新建的芯片工厂已进入关键测试阶段。但这个工厂建设早在两年前就开始了，预计要到今年年底才能开始生产，这在一定程度上可以印证芯片新产能上线需要很长时间。

而且还有一点值得注意，博世建设这个工厂是为了满足其自身不断增长的需求，因为它正迅速转型为拥有芯片技术的 汽车 供应商。

与此同时，位于加州圣克拉拉市的芯片制造商格罗方德（GlobalFoundries）上周宣布与博世合作，开发用于驾驶辅助功能的雷达芯片。

不过，格罗方德负责 汽车 、工业和多元市场的总经理迈克·霍根(Mike Hogan)表示，与博世的合作是一项长期供应战略的一部分，并非对目前芯片大量短缺的应对措施。霍根认为，芯片短缺之痛近期会一直存在。

“情况肯定会好转，”霍根在谈到供应问题时表示，“但是，要走出底部可能会经历坎坷之路。而且对于部分企业来说，这种情况可能会持续更长时间。这很难预测。”

霍根补充道，更为严重的问题是，美国使用的半导体中只有12%是在美国生产的。目前，整个 汽车 行业都已经意识到，我们不仅需要更多的半导体，而且事实上，半导体甚至定义了产品本身。

美国总统拜登(Joe Biden)上个月发布了一项行政命令，呼吁针对美国国内的供应链重新梳理，许多行业人士也呼吁白宫启动贸易协定，以更好地保障未来的芯片供应。

但德勤咨询公司(Deloitte)半导体领域负责人克里斯·理查德(Chris Richard)表示，联邦政府的举措估计只会在长期有所帮助。

理查德告诉Automotive News：“当然，我们的税收政策（包括联邦级别以及州级别），以及鼓励芯片研发和生产的激励措施，长远来看，可以说，意义重大。但我认为，没有任何措施能够对这个季度或未来三个月，甚至未来六个月有所帮助。”

“我不确定行政命令能否解决这个问题。”理查德一句话总结道。

阿尼尔·瓦尔森（Anil Valsan）是咨询公司EY负责全球 汽车 和运输领域的首席分析师，瓦尔森指出，一些主要芯片公司在政府的一些压力下已经做出反应，试图缓解他们所面临的压力。但芯片制造商的压力并不是最大的，因为它们最大的收入来自许多 汽车 产业之外的其它行业。

瓦尔森预测称，即便是重新分配产能，芯片的影响也会持续到今年年底。

此外，瑞萨电子高管警告称，全球 汽车 半导体供应短缺的局面可能会持续到下半年。与行业其他企业一样，瑞萨电子也已经做好准备，应对芯片短缺给 汽车 和电子产品带来的影响，其影响预计将至少持续到秋季。

大陆集团和群创光电(Innolux Corp.)等行业巨头最近几周都警告称，由于疫情期间从 汽车 到 游戏 机再到智能手机的需求空前旺盛，芯片短缺的情况可能比预期持续时间更长。

在谈到芯片供应短缺时，瑞萨电子首席执行官柴田英利(Hidetoshi Shibata)告诉Bloomberg News，他们的产能已经到了极限。瑞萨电子的关键工厂都在满负荷运行，以试图满足需求，但目前没办法预测市场什么时候才能达到平衡。

柴田英利表示，今年整个上半年，供应仍将十分紧张。从目前的情况来看，这种情况将持续到下半年。但这事谁也说不准。

瑞萨电子及其台湾积体电路制造股份有限公司(以下简称台积电）等芯片制造商目前都在顺应全球的态势，积极努力填补芯片供应空白。

当前，芯片供应已经成为众多消费产品的基础要素。至于为什么是 汽车 制造商首先受到冲击，部分原因是糟糕的库存规划， 汽车 行业预计仅今年就将失去610亿美元的销售额。

一些分析人士认为，这些短缺情况可能在未来几个月基本得到解决。但令人担忧的是，在某些领域的供应紧张情况——比如在一些更加成熟的半导体领域——如果这种情况持续下去，可能最终会危机更广泛的消费电子行业，推高芯片价格。从华盛顿到布鲁塞尔，半导体问题现在几乎已经提上了官方议程。

瑞萨电子与恩智浦半导体(NXP Semiconductors NV)和英飞凌 科技 (Infineon Technologies AG)一直在 汽车 领域争夺 汽车 供应商。瑞萨电子约一半的收入来自 汽车 芯片，几乎所有的 汽车 制造商，包括丰田 汽车 、福特 汽车 和日产 汽车 等主要 汽车 制造商都是瑞萨电子的客户。瑞萨电子还将一些先进的芯片生产外包给全球最大的合同制造商台积电。

瑞萨电子位于日本九州岛的200毫米晶圆生产线已接近满负荷运转，而位于东京北部Naka的300毫米晶圆厂也在“超速运转”。柴田英利表示，Naka晶圆厂每生产一个40纳米微控制器，就向台积电订购6个，这一比例并未因芯片短缺而改变。

九州和Naka工厂都生产用于 汽车 和行业应用的芯片。九州生产线生产中低端微控制器，而Naka晶圆厂生产40纳米微控制器和系统级芯片，以及用于 汽车 应用的90纳米芯片。

柴田英利表示:“对于芯片短缺我们真的尽力了。我们正在以极限运行。”

目前还不清楚，在这场芯片供应危机中，瑞萨电子是否会成为受益者，但一个更广泛的受益方式是，行业更加认识到了芯片对全球经济的重要性。柴田英利认为，人们早就应该认识到这一点。

“从趋势来看， 汽车 很大程度上成为了一种电子设备，这打破了传统的供应链模式。这一点已经非常明确。既然所有人都已经意识到芯片的重要性，那么促成业内开展建设性的对话就相对容易了。”柴田英利补充表示。

内存方面的东西，自己看吧

AGP(Accelerated Graphics Port) －图形加速接口

Intel开发的用于提高图形处理速度的接口。它可以让图形的数据流直接在显卡主控芯片和内存之间通信，不必经过显存。

Access Time－存取时间

RAM 完成一次数据存取所用的平均时间（以纳秒为单位）。存取时间等于地址设置时间加延迟时间（初始化数据请求的时间和访问准备时间）。

Address-地址

就是内存每个字节的编号。目的是按照该编号准确地到该编号的内存去存取数据。

ANSI (American National Standards Institute)

美国国家标准协会 - 一个专门开发非官方标准的非赢利机构，其目的在于提高美国工业企业的生产率和国际竞争力。

ASCII （American Standard Code for Information Interchange）

美国信息互换标准代码--将文本编码为二进制数的一种方法。 ASCII 编码体系采用了8位二进制数的256种组合，来映射键盘的所有按键。用于数据处理系统，数据通讯系统及相应设备中进行信息交换。ASCII字符集由控制字符和图形字符组成。

Async SRAM-异步静态内存

一种较为陈旧的SRAM，通常用来做电脑上的Level 2 Cache。

BSB (Backside Bus)

后端总线- CPU 和 L2 cache 之间的数据通道。

Bandwidth－带宽

1、 传输数据信息的能力。信息交换的形式多种多样，可以通过但根电线，也可以通过总线或信道的并行线。一言以蔽之，就是单位时间内数据的移动量，通常用位/ 秒、字节/秒或赫兹（周/秒）表示。

2、 内存的数据带宽：一般指内存一次能处理的数据宽度，也就是一次能处理若干位的数据。30线内存条的数据带宽是8位，72线为32位，168线可达到64位。

Bank （参照memory bank）－内存库

在内存行业里，Bank至少有三种意思，所以一定要注意。

1、 在SDRAM内存模组上，"bank 数"表示该内存的物理存储体的数量。（等同于"行"/Row）

2、 Bank还表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。（现在通常是4个bank）。

3、 它还表示DIMM 或 SIMM连接插槽或插槽组，例如bank 1 或 bank A。这里的BANK是内存插槽的计算单位（也叫内存库），它是电脑系统与内存之间数据总线的基本工作单位。只有插满一个BANK，电脑才可以正常开机。举个例子，奔腾系列的主板上，1个168线槽为一个BANK，而2个72线槽才能构成一个BANK，所以72线内存必须成对上。原因是，168线内存的数据宽度是64位，而72线内存是32位的。主板上的BANK编号从BANK0开始，必须插满BANK0才能开机，BANK1以后的插槽留给日后升级扩充内存用，称做内存扩充槽。

Bank Schema －存储体规划

一种图解内存配置的方法。存储体规划由若干用来表示电脑主板上的内存插槽的行或列组成。行表示独立的插槽；列代表bank数。

Base Rambus －初级的Rambus内存

第一代的Rambus内存技术，1995年面市。

Baud －波特

1、 表示通讯速率的一种单位，等于每秒传输一个码元。

2、 在异步传输中，表示调制速率的一种单位，相当于每秒一个单位间隔。

BGA (Ball Grid Array)－球状引脚栅格阵列封装技术

这是最近几年开始流行的高密度表面装配封装技术。在封装的底部，引脚都成球状并排列成一个类似于格子的图案，由此命名为BGA。目前的主板控制芯片组多采用此类封装技术，材料多为陶瓷。

Binary －二进制

把数字或信息表示为若干bit的一种编码规则。二进制（也叫base 2）中，所有数字都是由1和0这两个数字的组合来表示。

BIOS (Basic Input-Output System) －基本输入/输出系统

启动时自动加载的例行程序，用来为计算机的各种 *** 作做准备。

Bit－位、比特

计算机所能处理信息的最小单位。因为是二进制，所以一个bit的值不是1就是0。

BLP－底部引出塑封技术

新一代内存芯片封装技术，其芯片面积与封装面积之比大于1：1.1，符合CSP封装规范。此类内存芯片不但高度和面积小，而且电气特性也得到了提高。

Buffer－缓冲区

一个用于存储速度不同步的设备或优先级不同的设备之间传输数据的区域。通过缓冲区，可以使进程之间的相互等待变少，从而使从速度慢的设备读入数据时，速度快的设备的 *** 作进程不发生间断。

Buffered Memory－带缓冲的内存

带有缓存的内存条。缓存能够二次推动信号穿过内存芯片，而且使内存条上能够放置更多的内存芯片。带缓存的内存条和不带缓存的内存条不能混用。电脑的内存控制器结构，决定了该电脑上带缓存的内存还是上不带缓存的内存。

BEDO (Burst EDO RAM) －突发模式EDO随机存储器

BEDO内存能在一个脉冲下处理四个内存地址。形象地说，它一次可以传输一批数据。总线的速度范围从50MHz 到 66MHz (与此相比，EDO内存速度是33MHz，FPM内存的速度是25MHz)。

Burst Mode－突发模式

当处理器向一个独立的地址发出数据请求时，引发的数据区块（连续的一系列地址）高速传输现象

Bus－总线

计算机的数据通道，由各种各样的并行电线组成。CPU、内存、各种输入输出设备都是通过总线连接的。

Bus Cycle－总线周期

主存和CPU之间的一次数据交流。

Byte－字节

信息量的单位，每八位构成一个字节。字节是一个用于衡量电脑处理信息量的常用的基本单位；几乎电脑性能和技术规格的各个方面都用字节数或其若干倍数来衡量（例如KB，MB）。

Cacheability－高速缓存能力

主板芯片组的高速缓存能力，是指主存能够被L2 Cache所高速缓存的最大值。比方说，TX芯片组的主板由于L2 Cache对主存的映射（Mapping）的上限是64MB，所以当CPU读取64MB之后的内存时无法使用高速缓存，系统性能就无法提高了。

Cache Memory－高速缓存存储器

也叫cache RAM，在CPU旁边或附带在CPU上的一小块高速内存(一般少于 1M联系着CPU和系统内存。Cache memory 为处理器提供最常用的数据和指令。Level 1 cache也叫主高速缓存 (primary cache)， 是离CPU最近的高速缓存，容量只有8KB~6KB，但速度相当快。Level 2 cache 也叫次高速缓存(secondary cache)，是离CPU第二近的高速缓存，通常焊接在主板上，容量一般为64KB~1MB，速度稍慢。

CAS (Column Address Strobe)－列地址选通脉冲

在内存的寻址中，锁定数据地址需要提供行地址和列地址，行地址的选通由RAS控制，列地址的选通由CAS决定。

CL（CAS Latency ）－列地址选通脉冲时间延迟

CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。

CDRAM （Cache DRAM）－快取动态随机存储器

同EDRAM（Enhanced DRAM）

Checksum－检验和，校验和

在数据处理和数据通信领域中，用于校验目的的一组数据项的和。这些数据项可以是数字或在计算检验和过程中看作数字的其它字符串。

参考Parity（校验）

Chipset－芯片组

把主存、AGP插槽、PCI插槽、ISA插槽连接到CPU的外部控制逻辑电路，通常是两个或两个以上的微芯片，故称做芯片组。芯片组通常由几个控制器构成，这些控制器能够控制信息流在处理器和其他构件之间的流动方式。

Chip-Scale Package (CSP)－芯片级封装

薄芯片封装，其电路连接通常是采用BGA（球状引脚格状阵列）。这种封装形式一般用于RDRAM（总线式动态内存）和 flash memory（闪存）。

Compact Flash－紧凑式闪存

一种结构轻小的存储器，用于可拆卸的存储卡。CompactFlash 卡持久耐用，工作电压低，掉电后数据不丢失。应用范围包括：数码相机、移动电话、打印机、掌上电脑、寻呼机，以及录音设备。

Concurrent Rambus－并发式总线式内存

Rambus内存的第二代技术产品。Concurrent Rambus内存一般用于图形工作站、数码电视、视频游戏机。

Continuity RIMM (C-RIMM)－连续性总线式内存模组

一种不带内存芯片的直接总线式内存模组（Direct Rambus）。C-RIMM 为信号提供了一个连续的通道。在直接总线式内存系统中，开放的连接器必须安装C-RIMM。

CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semicomductor）－互补金属氧化物半导体

用于晶体管的一种半导体技术，结合了N型与P型晶体管的优势，现在主要用于电脑芯片，如存储器、 处理器等。

CPU (Central Processing Unit)－中央处理单元

计算机芯片的一种，其主要职能是解释命令和运行程序。CPU也叫处理器（processor）或微处理器（microprocessor）。

Credit Card Memory －xyk内存

主要用于膝上型电脑和笔记本电脑的一种内存。其外型尺寸犹如一个xyk，因此而得名。

CSRAM

同Pentium II Xeron匹配的一种高速缓存，容量为512KB。

DDR(Double Data Rate SDRAM)－ 双数据输出同步动态存储器。

DDR SDRAM 从理论上来讲，可以把RAM的速度提升一倍，它在时钟的上升沿和下降沿都可以读出数据。

Desktop－台式机，桌上型电脑

Die－模子，芯片颗粒

DIME （Direct Memory Execution）

直接内存执行功能

DIMM（Dual-In line Memory Module）－双边接触内存模组

形象的说：内存条正反两面金手指是不导通的，如常见的有100线、168线、200线内存（long Dimm）和72线、144线（SO-Dimm）。DIMM一般有64位带宽，并且正反面相同位置的引脚不同；而SIMM一般只有32位带宽，需要两条两条同时使用，一般通过72线金手指与主板相连。

Direct Rambus－直接总线式随机存储器

Rambus 技术的第三代产品，它为高性能的PC机提供了一种全新的DRAM 结构。现在的SDRAM在64-bit的宽带总线上速度只有100MHz；与此相对照，Direct Rambus在16-bit的窄通道上，其数据传输速度可高达800MHz 。

DIP (Dual In-line Package)－双列直插式封装，双入线封装

DRAM 的一种元件封装形式。DIP封装的芯片可以插在插座里，也可以永久地焊接在印刷电路板的小孔上。在内存颗粒直接插在主板上的时代，DIP 封装形式曾经十分流行。 DIP还有一种派生方式SDIP（Shrink DIP,紧缩双入线封装），它比DIP的针脚密度要高6六倍。

Direct RDRAM－直接总线式动态随机存储器

该设备的控制线和数据线分开，带有16位接口、带宽高达800 MHz，效率大于90% 。一条Direct RDRAM 使用两个8-bit 通道、工作电压2.5V ，数据传输率可达到1.6 GBps 。 它采用一个分离的8位总线（用于地址和控制信号），并拓宽了8到16位或9到18位数据通道，时钟达到400 MHz ，从而在每个针（pin）800Mbps的情况下（共计1.6 GBS）使可用数据带宽最大化。

DMA （Direct Memory Access）－直接内存存取

通常情况下，硬盘光驱等设备和内存之间的数据传输是由CPU来控制的。但在DMA模式下，CPU只须向DMA控制器下达指令，让DMA控制器来处理数的传送，数据传送完毕再把信息反馈给CPU。这样，CPU的负担减轻了，数据传输的效率也有所提高。

DRAM (Dynamic Random-Access Memory)－动态随机存储器

最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM 必须隔一段时间刷新（refresh）一次。如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。

Dual Independent Bus (DI－双重独立总线

英特尔开发的一种总线结构，因为它通过两个分开的总线（前端总线和后端总线）访问处理器，所以DIB能提供更大的带宽。奔腾II电脑就有DIB总线。

ECC（Error Correcting Code）－错误更正码，纠错码

ECC是用来检验存储在DRAM中的整体数据的一种电子方式。ECC在设计上比parity更精巧，它不仅能检测出多位数据错误，同时还可以指定出错的数位并改正。通常ECC每个字节使用3个Bit来纠错，而parity只使用一个Bit。

ECC另有一种解释是Error Checking &Correction ,既错误检查与更正。

带ECC的内存比普通SDRAM内存多1、2个芯片，价格很昂贵，一般用在工作站或服务器上。

EDO DRAM(Extended Data Out DRAM)－扩展数据输出动态存储器

有的也叫Hyper Page Mode DRAM。 EDO的读取方式取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，从而提高了工作效率（约比传统的DRAM快15~30%）。

EDO内存一般为72线（SIMM），也有168线（DIMM），后者多用于苹果公司的Macintosh电脑上。

EDRAM (Enhanced DRAM)－增强型动态随机存储器

动态随机存储器的一种，内部集成2 或 8 Kbit静态随机存储器（SRAM，Static Random Access Memmory），用于缓存读取过的信息。如果下次读取的数据在SRAM内，则直接输出以加快读取速度，否则再到DRAM内寻找。

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)

电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用（Plug &Play）接口卡中，用来存放硬件设置数据；防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面也能找到它。

EISA (Extended ISA)－扩展工业标准结构

将附加卡（例如视频卡、内置式MODEM等）连接到PC机主板的一种总线标准。EISA有一个32位的数据通道，使用能够接受ISA卡的连接器。不过，EISA卡只能与EISA系统匹配。EISA总线的 *** 作频率比ISA高得多，并且能够提供比ISA快得多的数据吞吐率。

EMI （Electron-Magnetic Interference）－电磁干扰

任何产生电磁场的电子设备都会或多或少地产生噪声场，干扰其附近的电子设备，这种现象就叫做电磁干扰。

EMS（Expanded Memory Specification）－扩充内存规范

这是由AST、Intel、微软公司共同开发的一种能让DOS突破640KB寻址范围的规范，可以让DOS对640KB甚至1M之间的地址进行页面式的访问。需要有专用的驱动管理程序支持，如EMM386.EXE

EOS (ECC on SIMM)

IBM公司的一种数据完整性检测技术，它的一个明显特征就是在SIMM（单边接触内存模组）上带有检测数据完整性的ECC（自动检错码）芯片。

EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)－可擦可编程只读存储器

一种可以重复利用的可编程芯片。其内容始终不丢失，除非您用紫外线擦除它。一般给EPROM 编程或擦除内容时，需要用专用的设备。

ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM)－增强型同步动态内存

Enhanced Memory Systems, Inc 公司开发的一种SDRAM，带有一个小型的静态存储器。在嵌入式系统中， ESDRAM代替了昂贵的SRAM （静态随机存储器），其速度与SRAM相当，但成本和耗电量却比后者低得多。

Even Parity－偶校验

一种来检测数据完整性的方法。与奇校验相反，8个数据位与校验位加起来有偶数个1。具体参考Odd Parity奇校验。

FCRAM (Fast-Cycle RAM)－快速周期随机存储器

东芝（Toshiba）和富士通（Fujitsu）公司正在开发的一种内存技术。开发FCRAM 的目的不是用来做PC机的主存，而是用在某些特殊的设备：例如一些高端服务器、打印机，还有一些远程通讯的交换系统。

Fast-Page Mode－快速翻页模式

一种比较老的DRAM。与比它还早的页面模式内存技术相比，它的优势是在访问同一行的数据时速度比较快。

Firmware－固件，韧件

简单地说，就是含有程序的存储器，负责管理所附装置的底层数据和资源。

Flash Memory－闪烁存储器，闪存

闪烁存储器在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，但是数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位。区块大小一般由256K到20MB。FLASH这个词最初由东芝因为该芯片的瞬间清除能力而提出。源于EPROM，闪存芯片价格不高，存储容量大。闪存正在成为EPROM的替代品，因为它们很容易被升级。闪存被用于PCMCIA卡，PCMCIA闪存盘，其它形式硬盘，嵌入式控制器和SMART MEDIA。如果闪存或其它相关的衍生技术能够在一定的时间内清除一个字节，那将导致永久性的（不易失）RAM的到来。

Form Factor－形态特征

用来描述硬件的一些技术规格，例如尺寸、配置等。比方说，内存的形态特征有：SIMM（单边）, DIMM（双边）, RIMM（总线式）, 30线, 72线, and 168线。

FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)－快速翻页动态存储器

一种改良型的DRAM，一般为30线或72线内存。

若CPU所需的地址在同一行内，在送出行地址后，就可以连续送出列地址，而不必再输出行地址。一般来讲，程序或数据在内存中排列的地址是连续的，那么输出行地址后连续输出列地址，就可以得到所需数据。这和以前DRAM存取方式相比要先进一些（必须送出行地址、列地址才可读写数据）。

FSB (Frontside Bus)-前端总线

在CPU和内存之间的数据通道。

Gigabyte /GB－吉(咖)字节

约为10亿字节，准确的数值为1,0243 (1,073,741,824) 字节。

Gigabit /Gb－吉(咖)比特，吉位

约为10亿位，准确的数值为1,0243 (1,073,741,824) bit。

Heat Spreader－散热片

覆盖在电子设备上的用于散热的外壳，多为铝制品。

Heat Sink－散热片

CPU上常用的散热部件，一般为锌合金制造。

HY （Hyundai）－韩国现代电子公司

Hyper Page Mode DRAM

同EDO DRAM

IC (Integrated Circuit)－集成电路

半导体芯片上的电路（有时也被称为芯片或微芯片）由成千上万个微小电阻、电容、晶体管组成。半导体芯片通常封装在塑料或者陶瓷的外壳中，导线引脚露在外面。

特殊的IC 根据其作用可以分为线性芯片和数字芯片。

主要的内存IC厂商代号：

代 号

厂商英文名

厂商中文名

代 号

厂商英文名

厂商中文名

KM

SamSung

三星

TC

Toshiba

东芝

LH

Sharp

夏普

MN

Panasonic

松下

HM

Hitachi

日立

HY

Hyundai

现代

M5M

Mitsubishi

三菱

GM

LG_Semicon

金星

MCM

Motorola

摩托罗拉

MSM

OKI

冲电子

MT

Micron

迈克龙

MB

Fujitsu

富士通

TMS

TI

德州仪器

AAA

NMB

1

uPD

NEC

日电

2

3

4

Interleaving －交叉存取技术

加快内存速度的一种技术。举例来说，将存储体的奇数地址和偶数地址部分分开，这样当前字节被刷新时，可以不影响下一个字节的访问。

IT (Information Technology)－信息技术

IT行业，指与计算机、网络和通信相关的技术。

JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council）

电子元件工业联合会。JEDEC是由生产厂商们制定的国际性协议，主要为计算机内存制定。工业标准的内存通常指的是符合JEDEC标准的一组内存。

Kilobit －千位

约为一千位，准确数值是 210 (1,024) 位。

Kilobyte－千字节

约为一千字节，准确数值是 210 (1,024) 字节。

KingHorse－香港骏一电子公司

香港骏一电子集团有限公司始创于一九九四年一月，公司草创初期主要从事电脑机箱、电源、显示器、键盘、主机板等电脑配件在大陆的销售业务。经过几年的整合，香港骏一以Kinghorse为品牌，专业从事台式计算机、笔记本、服务器、工作站以及计算机外围设备特种内存产品的研发、生产、销售，在香港及大陆均设有OEM厂家，并致力于中国信息产业的发展而努力。

Kingmax－胜创公司

成立于1989年的胜创科技有限公司是一家名列中国台湾省前200强的生产企业（Commonwealth Magazine，May 2000），同时也是内存模组的引领生产厂商。除台湾省内的机构之外，胜创科技在全球四大洲拥有9个办事处，公司在美国、中国、澳大利亚和荷兰拥有超过390名员工。

Kingston－金仕顿科技公司

金仕顿科技公司是一家设计和生产用于PC机、服务器、工作站、笔记本、路由器、打印机、和其他一些电子设备内存、处理器的公司。该公司于1987年由杜纪川和孙大卫先生创立，现在已经发展成产品超过2000种、年销售额超过16亿美圆的公司。

Latch－锁存（数据）

锁存器：电子学中的一种电路,可维持所承担的位置或状态,直到由外部手段将其复位到它前一种状态。SRAM就是用锁存器制作的。

L1 (Level 1 Cache) －一级高速缓存

也叫 primary cache，L1 Cache是在处理器上或离处理器最近的一小块高速存储器。 L1 Cache 为处理器提供最常用的数据和指令。

L2(Level 2 Cache)－二级高速缓存

也叫 secondary cache，L2 Cache 是离处理器较近（通常在主板上）的一小块高速存储器。L2 Cache为处理器提供最常用的数据和指令。在主板上的Level 2 cache 可以刷新、升级。

LGS （Goldstar）－金星

主要内存生产厂家

Logic Board－主板

同 Motherboard。

Mask ROM

生产固件时，先制造一颗含有原始数据的ROM作为模板，然后大批生产内容完全相同的ROM。这种方法大批量生产的ROM就叫做Mask ROM

MDRAM （Multibank Dynamic RAM）－多BANK动态内存

MDRAM是MoSys公司开发的一种VRAM（视频内存），它把内存划分为32KB的一个个BANK（存储库），这些BANK可以单独访问，每个储存库之间以高于外部的数据速度相互连接。其最大特色是具有"高性能、低价位"特性，最大传输率高达666MB/S，一般用于高速显卡。

Megabit －兆位

约为一百万位，准确数值是1,0242 (1,048,576)位。

Megabyte－兆字节

约为一百万字节，准确数值是1,0242 (1,048,576)字节。

Memory －存储器，记忆体，内存

一般指电脑的RAM（random access memory）随机存储器，其主要用途是读取程序和临时保存数据；最为常见的内存芯片是DRAM。这一术语有时也用来指所有的用来存储数据的电子设备。

Memory Bank－存储体，〔记忆库〕

由一些地址相邻的存储单元组成的一种存储块，其大小由所在的计算机决定。比方说，32位的CPU必须使用一次能提供32位信息的memory bank。一个bank可能由一个或多个内存模组构成。

Memory Bus－内存总线

从CPU到内存扩展槽的数据总线。

Memory Controller Hub (MCH)－内存控制中心

Intel 8xx（例如820或840）芯片组中用于控制AGP、CPU、内存（RDRAM）等组件工作的芯片。

Memory Translator Hub (MTH)－内存转译中心

一种内存接口，通过它可以使Intel 820芯片组的主板的Direct Rambus 信道支持SDRAM内存。

Micro BGA (μBGA)－缩微型球状引脚栅格阵列封装

Tessera, Inc. 公司开发的的一种BGA 芯片封装技术，主要用于高频工作的RDRAM。这种技术能把芯片尺寸做得更小，提高了散热性，使内存条的数据密度增大了。

MIT （Mitsubishi）－日本三菱公司

Motherboard－主板

也叫logic board、main board或 computer board，是计算机系统的主体部分。电脑的CPU、内存、输入输出接口和扩展槽等大部分硬件都安装在主板上面。

Ms (millisecond) －毫秒

千分之一秒。

Multi-Way Interleaved

多重交错式内存存取结构，巫毒卡2代所采取的一种技术。

Nanosecond (ns)－纳秒,〔末秒,毫微秒〕

十亿分之一（10-9）秒。 内存的数据存取时间以纳秒为单位。

Nibble －半字节, 四位字节

Non-Composite

苹果电脑的内存术语，表示一种采用了新技术的内存条。该内存条上的芯片颗粒很少，但数据密度却非常高。Non-composite 内存条比 composite 内存条工作更可靠，但价格也相对很高。

Odd Parity－奇校验

校核数据完整性的一种方法，一个字节的8个数据位与校验位（parity bit ）加起来之和有奇数个1。校验线路在收到数后，通过发生器在校验位填上0或1，以保证和是奇数个1。因此，校验位是0时，数据位中应该有奇数个1；而校验位是1时，数据位应该有偶数个1。如果读取数据时发现与此规则不符，CPU会下令重新传输数据。

Page mode－页面模式

现在该技术已经被淘汰。在页面模式下，每次访问DRAM的同一行的每一列时，都会十分迅速。（参考FPM）

Parity：（Even / Odd）－奇偶校验

也叫Parity Check，在每个字节（Byte）上加一个数据位（Data Bit）对数据进行检查的一种冗余校验法。它是根据二进制字节中的"0"或"1"的数目是奇数还是偶数来进行校验的。在二进制字节中增加了一个附加位，用来表示该字节中的"0"或"1"的数目是奇数还是偶数。经过传输或存储后，再计算一次校验和（Checksum），如果与附加位一致，证明传输或存储中没有错误。

奇偶校验位主要用来检查其它8位（1 Byte）上的错误，但是它不象ECC（Error Correcting Code错误更正码），parity只能检查出错误而不能更正错误。奇偶校验的致命弱点是检查出错误后无法断定错在哪一位，容易死机，所以现在很少用了。取而代之的是ECC。

PB-SRAM （Pipelined Burst SRAM）－管道突发式静态内存

属于Level 2 Cache，多用于486后期及Pentium以上的主板。

PC100

JEDEC 和Intel制定的一种SDRA

---