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掺杂(英语:doping)是半导体制造工艺中,为纯的本征半导体引入杂质,使之电气属性被改变的过程。引入的杂质与要制造的半导体种类有关。轻度和中度掺杂的半导体被称作是杂质半导体,而更重度掺杂的半导体则需考虑费米统计律带来的影响,这种情况被称为简并半导体。是这样,我们正在学二极管,你看金属导电是靠最外层自由电子,因为金属晶格正离子对最外层电子的束缚能力很弱,所以称它为自由电子,自由移动么。同样对半导体,以硅为例,它要想导电,必须也有自由移动的粒子(说空穴你可能难接受一点,就讲电子了),但晶体硅外层电子构成的共价键是价饱和的,4个电子全部成键,虽然有少部分能够脱离中心原子的束缚,但只是少部分,所以导电能力很弱,就称它为半导体了。如果掺入5价的元素比如P,P外层有5个电子,拿出四个来和Si成键,多余的一个就成了自由电子了,导电能力就增强了,同样掺入3价的元素也是类似,不过导电的就是空穴了,相当于正离子导电,就这样了,可能也没讲的很清楚
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