到底是什么决定着产品质的飞越，销量徘徊不前的PC到底路在何方？英特尔在此次CES上给了大家答案和思考。
"早"在2011年年中，英特尔推出了向空间要性能的Tri-Gate 3D晶体管技术，成为LSI取代电子管之后，半导体制程革命的新标志。该技术就是今天已经广为各大半导体厂商所采用的FinFET。
从2013年开始，多家主流的Flash厂商开始陆续推出3D NAND产品，最早推出该类产品的三星称之为V-NAND。与该技术普及相伴的是MLC向高堆叠TLC的技术演进，SSD进入寻常百姓家。
在这股浪潮中，英特尔/美光并不是十分积极，直到2015年才少量推出了使用相对独特的浮栅技术的3D NAND产品。真正的大招是他们同时宣布，2017年初正式推出成品的3D XPoint技术，英特尔称之为Optane（傲腾），比单纯的3D NAND只讲求容量增加，更多了一重性能（速度、延迟、寿命）的大幅提升。
可以说，半导体业界近年来每次大的技术飞越，都与3D化——从平面向空间要增长密不可分。而其中，英特尔的角色都是那么的微妙和关键。
刚刚公布就接近产品化的3D封装技术Foveros，将用多么"了不起（Foveros希腊语含义）"的成就改变半导体产业呢？
制程制程，制程是什么？无论是英特尔推演在的14nm、刚刚宣布2019年进入的，还是TSMC于去年下半年开始量产7nm，简单的描述是线宽，是晶片组成的半导体里弄中的道路宽度。路窄不是问题，关键是一方面要能保证车辆正常通行，另一方面还要防止路两侧房间不会隔路"相望"。英特尔不断的14nm制程优化过程，就是路不变窄的情况下，尽可能盖上更多的房间、住下更多的晶体管。同理，7nm的马路虽窄，但若不能很好地隔离不同"房间"间的干扰，房间的实际面积或距离，并不能随同制程改进而缩小，也就是晶体管密度没有增加，一切都等于白搭。
虽然FinFET技术已经完全普及，但是由于大多数CPU或SoC内部结构复杂、同时具有电气性能差异巨大的众多功能模块，FinFET技术只能实现单个晶体管，或者说栅极的空间布局，晶体管本身无法实现多层堆叠，即3D化。在这种情况下，CPU和SoC只能基于单片晶圆生产，同等制程情况下，对应DIE的面积反映出晶体管的数量，间接地呈现芯片性能。这也是摩尔定律已死的理论根源。
3D封装技术，在这里起到了革命性的作用，下面的故事有点像立体种植，把从面积要的产能改为向空间要。
立体种植晶体管，对不起，暂时还不能。3D封装说得很清楚，就是在空间中而不是平面化封装多个芯片。也许你会说，这有什么新鲜的，芯片堆叠技术不是老早之前就被广泛使用了么，无论是DRAM还是NAND，都已广泛采用堆叠技术，特别是NAND已经从128层甚至更多层迈进。而智能手机所使用的SiP芯片，也是将SoC与DRAM堆叠在一起的。
DRAM/NAND堆叠相对简单，由于各层半导体功能特性相同，无论是地址还是数据，信号可以纵穿功能完全相同的不同楼层，就像是巨大的公寓楼中从底到顶穿梭的电梯。存储具有Cell级别的高度相似性，同时运行频率相对不高，较常采用这种结构。
SoC和DRAM芯片的堆叠，采用了内插器或嵌入式桥接器，芯片不仅功能有别，而且连接速度高，这样的组合甚至可以完成整个系统功能，因此叫SiP（System in Package）更准确。SiP封装足够小巧紧凑，但是其中功能模块十分固定，难以根据用户需要自由组合IP模块，也就是配置d性偏低。
在去年年初，英特尔推出Kaby Lake-G令人眼前一亮，片上集成AMD Vega GPU和HBM2显存的Kaby Lake-G让EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）封装技术进入人们眼帘，而该技术还只是2D封装，也就是所有芯片在一个平面上铺开。
现在，英特尔已准备好将3D封装引入主流市场，也就是Foveros。Foveros 3D封装将多芯片封装从单独一个平面，变为立体式组合，从而大大提高集成密度，可以更灵活地组合不同芯片或者功能模块。
多IP组合灵活（异构），并且占用面积小、功耗低，是Foveros最显著的特点。特别是结合上英特尔10nm制程，摩尔定律从晶体管密度（2D）到空间布局（3D）两个维度得到延续。
Lakefield是英特尔在CES 2019上披露的全新客户端平台的代号，该平台支持超小型主板，有利于 OEM 灵活设计，打造各种创新的外形设计。该平台采用英特尔异构 3D封装技术，并具备英特尔混合CPU架构功能。借助Foveros，英特尔可以灵活搭配3D堆叠独立芯片组件和技术IP模块，如I/O和内存。混合CPU架构将之前分散独立的CPU内核结合起来，支持各自在同一款10nm产品中相互协作：高性能Sunny Cove内核与4个Atom内核有机结合，可有效降低能耗。英特尔宣布预计将于2019年下半年推出使用这种全新3D堆叠技术的产品。
这颗Foveros 3D封装技术打造的硬币大小的芯片，从下至上，依次是封装基底（Package）、底层芯片（Bottom Chip）、中介层（Active Interposer，中介层上的上层芯片可以包括各种功能，如计算、图形、内存、基带等。中介层上带有大量特殊的TSV 3D硅穿孔，负责联通上下的焊料凸起（Solder Bump），让上层芯片和模块与系统其他部分通信。
该芯片封装尺寸为12mm×12mm、厚1mm，而内部3D堆叠封装了多个模块：基底是P1222 22FFL（22nm改进工艺）工艺的I/O芯片；之上是P1274 10nm制程计算芯片，内部整合了一个Sunny Cove高性能核心、4个Atom低功耗核心；PoP整合封装的内存芯片。据称，整颗芯片的功耗最低只有2mW，最高不过7W，注意，这可是高性能的x86架构芯片，不是ARM的哟！
围绕这颗芯片制成的电脑主板尺寸缩小到一块M.2规格SSD大小，要知道此前Core m SoC平台主板的面积小1/2以上。
同时Sunny Cove 高性能核心将提供用于加速 AI 工作负载的全新集成功能、更多安全特性，并显著提高并行性，以提升 游戏 和媒体应用体验，特别是其高级媒体编码器和解码器，可在有限功耗内创建4K视频流和8K内容。另外，从Ice Lake开始，英特尔承诺的直接集成Thunderbolt 3和支持Wi-Fi 6（802.11ax）等功能也将落地，全面增强连接性能。
此后，10nm技术将逐步拓展到桌面级产品领域、Foveros 3D封装的Lakefield，而至强可扩展（Xeon Scalable）平台（Ice Lake-SP）则将在2020年进行升级。
随着东京奥运会的临近，英特尔的5G技术也在加紧部署。其中代号为Snow Ridge的首款10nm 5G无线接入和边缘计算的网络系统芯片，将把英特尔的计算架构引入无线接入基站领域，从而充分让其计算功能在网络边缘进行分发。CES 2019上，英特尔展示了基于Snow Ridge平台的一款小型无线基站，整个设备的体积非常小巧，而这颗芯片示Snow Ridge也采用了Foveros 3D封装工艺，交付时间为今年下半年。
新制程与新封装，一直是英特尔称霸半导体领域的基石。2011年的22nm+Tri-Gate，2019年的10nm+Foveros，摩尔定律的世界依然宽广。
等待了数年，英特尔新技术将再次改变世界，起点仍将是集各领域发展前沿于大乘的PC领域。在可以预见的将来，AI加持的CPU仍将是核心计算单元，经过重新构建的CPU架构，无论是从Sunny Cove开始的新一代酷睿微架构，还是Lakefield所展现的混合CPU架构，都极大地平衡了性能与功耗，将高性能、小型化与长续航推向新的高度。在最新发布的一批9代酷睿处理器上，新的"F"后缀产品已经不再集成核显，与Ice Lake走向市场前后脚，英特尔回归独显市场的首款产品Arctic Sound也将上市，随后的13代产品Jupiter Sound更是再推翻番的性能。再加上本地连通的PCI-E 4.0、扩展连接的集成Thunderbolt 3，结合了5G和Wi-Fi 6的"永远在线"，存储上的Optane Memory及Optane SSD，无所不能的PC在英特尔技术的打造下正在浮出水面，PC的世界依然相当精彩。
来自国内自媒体的一张图片被 科技 报道广泛引用，两个重点：高通下一代旗舰骁龙875将由三星5nm工艺代工，骁龙875将集成5G基带。尽管引用这张图做推测的媒体不在少数，但这个消息可信度究竟有多大？
台积电最近公开表示，按照目前的情况看，9月14日后台积电将不可能为华为出货晶圆。而我们一直关心的是，在三星和台积电的5nm制程技术大战的缝隙里，华为的海思麒麟芯片能否找到一些空间。
这也是本文愿意讨论高通未来旗舰骁龙875的原因。比如根据之前的情况看，三星重金打造的5nm生产线，即使在2020年7月开始正式投产运行的情况下，也意味着该公司在5纳米芯片的批量生产方面将落后台积电6个月以上。
而通过正规的消息渠道，三星半导体代工厂5nm生产线目前收到的订单，只有来自高通的基于5nm EUV技术的Snapdragon X60 5G调制解调器芯片组。苹果、高通、AMD基于5nm的未来芯片代工，目前的消息面几乎全都是交给了台积电。
自2017年以来，三星在半导体制造领域一直排名第二，不仅未能够击败台积电，而且开始在技术上落后了。然而，三星仍然期待依赖这个招牌，即：台积电和三星全球唯二能代工5纳米 EUV技术的厂商，因此，三星希望未来数年能收到更多5纳米的订单。
如果没有更多的订单能够青睐三星，能否考虑渴望5nm EUV的华为麒麟呢？
比如去年，也是同源消息称，高通将5G旗舰骁龙865从台积电转产三星，结果大家也都看到了。很多韩国媒体在列举骁龙865参数时，也直接标注成三星7nm EUV 工艺，让人无语。英伟达RTX 2060 芯片上印着Korea ，就有人判断，RTX 20系列显卡的核心芯片交给三星代工了，后来英伟达亲自辟谣，只是封装在韩国而已。
骁龙 865 和 骁龙 765G 是分开交给台积电和三星代工的。其终极原因是，高通不想与三星共享旗舰级CPU 相关的知识产权，因为与三星不同，作为代工方，台积电没有芯片研发业务。分开代工 *** 作，高通可以更好地保护其商业机密，同时制衡三星的代工业务。
尤其是在去年，三星的7nm EUV工艺其实并不是那么可靠，英伟达也是为了慎重起见，直到今年才将新一代GPU交给三星7nm EUV加工，而且这很大程度是源自为了抢单台积电，三星采用了低价策略，吸引了去年净利润不太理想的英伟达。而且更多信息表明，英伟达并没有把全部订单交给三星，鸡蛋没有放在一个篮子里。
所以说，高通不会把未来旗舰芯片交给三星代工的理由，依然存在！
另外，骁龙875将肯定是高通首个搭载新一代 X60 5G modem-RF 的旗舰级产品，但问题是目前尚不清楚5G调制解调器是集成SOC，还是可选外挂式。 如果真有那么一天，苹果将可能是唯一用外挂5G基带的手机了！
而华为，凭借在一流的芯片SOC能力，在麒麟990时代，就已经集成了NPU（神经网络处理器）和5G基带，这带来了在移动端CPU方面，超越高通的顶级用户体验，如果因为非 科技 因素，让大家不能使用来自我们自主技术的优秀产品，这是多么令人遗憾的事情。
因为众所周知的原因，华为现在无法获得后续顶级移动CPU的代工支持。虽然中芯国际目前在其14nm节点上可以生产海思 Kirin 710A处理器，但只有台积电、三星拥有遥遥领先于中芯国际的5nm工艺技术，中芯国际目前无法满足华为对旗舰级芯片的需求。
最近的报道表明，三星可能不会接受华为的代工订单。三星也离不开美系半导体技术，指望三星搭建去美化芯片生产线更可能是水中之月。
与三星的Exynos和高通的Snapdragon旗舰移动处理器相比，华为的麒麟芯片在功能、性能和能效比方面具备相当的竞争力。也许，华为目前的困局，甚至成为了三星、高通和联发科的机会。尽管，很多人讨厌使用搭载体验糟糕的高通或者三星CPU的手机。
话说回来，那都别人的热闹。在台积电不出意料的停止华为代工服务后，我们的海思何去何从，让人担忧， 好消息：是在目前严峻的情况下，海思半导体仍在扩大规模，完全没有考虑缩小设计流程，也没有考虑任何缩减规模的迹象 。
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