俄罗斯欲投资超3万亿卢布国产化芯片，为什么不与中国合作？

这几天，据报道，俄罗斯制定半导体的国产化战略，预计到2030年总拨款3.19万亿卢布（约2500亿人民币，或393亿美元）用于半导体制造、芯片研发、数据中心基础设施以及人才培养等。

四月初，俄罗斯莫斯科电子技术学院 (MIET)获得了俄罗斯贸工部一个6.7亿卢布（约5100万人民币）用于研发新一代EUV光刻机的合同，行业都觉得用这么少的钱想要研发光刻机不可能，因此引起业界热议，详情请看笔者撰写的《重磅！俄罗斯投资6.7亿研发EUV光刻机！成功率有多大？》。

本文首先介绍俄罗斯半导体国产化的背景、俄罗斯半导体国产化战略，最后简要分析为什么不与中国等进行合作。

2014年3月克里米亚公投入俄后，欧美国家对俄相继出台了多项制裁措施，禁止俄金融机构进入欧盟资本市场、对俄实施武器禁运、禁止对俄出口用于军事目的的军民两用产品以及禁止对俄能源行业出口高技术设备以及高 科技 产品等。

同时，俄罗斯上述领域对国外先进技术产品和国际资本市场融资的依赖程度极高。梅德韦杰夫在2015年4月的俄政府工作会议上指出：俄罗斯机床设备的进口达到90%，民用飞机进口超过80％，重型机械进口达到70％，石油开采设备进口达到60％，农机设备的进口在50％ ~90％之间，受制裁影响，2014年俄罗斯进口国外(包括独联体国家)机器设备的支出减少了12％，为1362亿美元。到2015 年，该数额大幅减少为818亿美元，仅为2014年的40％。

从2014年到2022年的八年间，俄罗斯一直被制裁。2014年俄罗斯央行称GDP约合1.03万亿美元，增长率只有0.6%，到2021年俄罗斯GDP 1.7万亿美元。

不过，普京上任后的俄罗斯非常重视 科技 领域的研发投入。

主要投入在基础研究领域，发明专利，先进生产技术开发和应用方面以及国家 科技 创新优先发展方向的成果方面。

据笔者Challey查询资料，从《2014 ~ 2020 年俄罗斯 科技 综合体优先发展研发方向联邦专项计划》实施的效果来看，基本达到预期目标。在此期间，该专项计划共投入资金1 723亿卢布，其中联邦预算内资金投入1 395亿卢布，预算外资金投入为328亿卢布。

在联邦预算内投入资金中，资本性投入占比为20.4％，应用研发投入占比为61.2％。

在联邦预算外投入的资金中，则大多用于应用研发，比例高达96％，实施该专项计划的成果包括: 2014 ~2019年间共签署了2 812 个合同和协议，合同和协议金额达到1 306亿卢布，其中资本性支出类占比17.6％，科学应用研发类占比64.3％，其它类占比18.1％。

收录在Scopus和Web of Science引文数据库的核心论文7 701 篇，专利申请数量为5038件，参与该专项的科研人员平均年龄为40 岁，而40 岁以下参研人员的比例为61.5％。吸引到预算外资金达605亿卢布，额外的研发经费支出(其中包括预算外资金来源) 金额达1403亿卢布。

但是，到今年3月，俄乌冲突以来，“ 科技 无国界”的神话就彻底破灭了。

3月以来，从开源红帽子RedHat，Docker、SUSE、GitHub到微软、苹果、谷歌等，从AMD、Intel等芯片供应商到台积电等半导体制造商，无论是硬件还是软件，无论是开源还是闭源，全部撤出俄罗斯，并对其进行了限制或者制裁。甚至有报道称俄罗斯国内数据存储可用云存储仅够维持两个月。

因此，尽管经济方面依然困难，但俄罗斯还是拿出可观的经费投入半导体的国产化。从3月30日贸工部的6.7亿卢布光刻机研发到现在的3.19万亿卢布完全国产化战略，可见俄罗斯的决心非常大。

俄罗斯政府的国产化战略主要是制定全新微电子开发计划，到2030年投资3.19万亿卢布（取整约2500亿人民币，或393亿美元，2022.4.19日换算，汇率会有所波动），主要用于开发本地半导体生产技术、国内芯片开发、数据中心基础设施、本土人才的培养以及自制芯片和解决方案的市场推广。

这项计划将于2022年4月22日敲定并提交俄罗斯总理梅德韦杰夫正式批复。

计划投资 4200 亿卢布（约 51.77亿美元）用于开发新的制造工艺和后续改进。短期目标之一是在今年年底前使用90nm制造工艺提高本地芯片产量。长期目标是到 2030 年实现 28nm的芯片工艺制造。

不过，台积电于2011年就做到了这点。

俄罗斯现有数据中心大约70个。该计划预计投资4600亿卢布（约56.5亿美元），到2030年预计全国数据中心增加到300个。

预计投资3090亿卢布（约38亿美元），用于开发至少400个新型电子产品原型，并开展 2000多个研究项目。

计划制定者还希望将国内高校毕业生的 “人才转换”比例从当前的 5% 提升到35%。

此外，计划还包括在现有和新成立的高校设计培养中心基础上创建至少1000个设计团队。

在四月初笔者Challey撰写的 《俄罗斯投资6.7亿卢布研发EUV光刻机！成功率有多大？》中提到，俄罗斯贸工部投资6.7亿卢布（现约5300万人民币，或830万美元）委托莫斯科电子技术学院 (MIET)开发新一代X射线EUV光刻机。

在文中提到，其实MIET研发X射线光刻机已经有15年了。

“我们谈论的是长期的研发工作，从好的方面来说，这应该在 15 年前就开始了，” Stimulus 杂志作者 Alexander Mechanik说。”

尽管这笔不到1000万美金的投资很少，但是俄罗斯拥有全球顶尖的数学人才，而且还有后续的投资。现在，后续人才和芯片制造方面的追加投资也即将正式批复。那么这个计划的成功概率要大很多了。

只是，俄罗斯缺乏足够的市场，如果不能联合其他国家/市场实现标准化，那么即使研发出光刻机，也很难推广开来。因此，与中国、印度等国家合作才可能在资金、市场、技术等方面进行互补，从而提高研发的成功率，并取得更快的进度。

那么，为什么俄罗斯要独立进行国产化而不与中国等国家的 科技 力量合作呢？

这个问题可能要从多方面来分析。

首先是技术体系 ，从上面的新制式EUV光刻机来说，俄罗斯研发的是X射线光刻机，尽管中国也进行了试验，但是被证明效率太低，没法大规模使用；另一方面，俄罗斯在半导体的某些应用方面的方式与世界主流有所不同。

其次是市场目标 ，俄罗斯的目标，无论是未来数年还是以往数年，首先是满足国内有限的民用市场和重要的军用市场。从以往来看，俄罗斯还没有完全融入全球半导体市场，所以其目标市场决定了其战略不同。

而 在外部合作方面 ，俄罗斯深知，假如邀请中国企业合作，中国等国家的企业肯定会要求深度参与，而且俄罗斯对自有研发的技术非常保密。这个谈判过程很难又漫长。

同时，中国企业也会考虑要不要与俄罗斯合作，因为这会导致欧美对中国企业的制裁。

因此双方都在考虑。

合作模式方面 ，可能合作时机还未到。譬如俄罗斯的格洛纳斯卫星系统与中国的北斗卫星系统只有在双方技术都成熟的时候才开始进行合作。

未来，可能中俄的 科技 合作也大都会是这种方式。

这或许也是俄罗斯完全国产化的真正含义吧。

作者：Challey

实验室从20世纪90年代开始宽禁带半导体科学研究和人才培养，已成为国内外宽禁带半导体材料和器件的科学研究、人才培养、学术交流、成果转化方面的重要基地，2008年实验室成为中国国防科技创新团队。

实验室重视研究成果与应用的结合，多项研究成果已经用于国家和国防重点工程。高质量的GaN和SiC材料外延片可批量提供企业和研究所使用；微波功率器件已经开始用于国家重点工程；GaN的LED成果已经成为陕西省半导体照明的核心技术，产生着辐射和带动作用；自主的MOCVD设备和核心技术开始实现产业化；微纳米器件可靠性技术对推动我国高可靠集成电路发展发挥了重要作用。 以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体是继硅和砷化镓（GaAs）之后的第三代半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，可实现高压、高温、高频、大功率、抗辐射微波毫米波器件和短波长光电半导体器件。宽禁带半导体是新一代雷达、通信、电子对抗系统最关键的半导体器件，也是新一代半导体照明关键的器件。

实验室主要研究方向包括：GaN和SiC宽禁带半导体微波毫米波器件；GaN半导体光电子器件与半导体照明技术；宽禁带半导体材料生长核心设备研究；宽禁带半导体材料和器件新机理、新结构与新技术；微纳米半导体器件可靠性与SoC设计。 “极大规模集成电路制造装备与成套工艺”重大科技专项

国家（国防）重大基础研究（973）项目

国家自然科学基金重点和面上项目

国家863计划高技术项目

国防科技预先研究项目

军用电子元器件型谱项目

中俄航天领域科技合作项目

国家电子发展基金和陕西省电子发展基金

高新开发区开展国际合作 坚持开放带动

在2006年“俄罗斯中国年”活动中俄罗斯举办的中国展会上，一个清晰漂亮的LED彩色大屏幕吸引了众人的目光。这个大屏幕来自长春高新区希达公司，该公司研制生产的“点阵模块全彩色LED超高均匀度显示屏”为世界首台。希达公司是长春中俄科技园里的孵化企业，入驻长春中俄科技园仅一年时间，其销售收入就由原来的几百万元猛增到5000万元。

建区以来，长春高新区全力实施开放带动战略，积极开展国际合作，坚持走引进、消化再吸收的创新道路，成为对外开放的重要窗口和开展国际科技合作的最佳平台，目前已引进国际专利技术近200项。这些企业和项目相对集中在先进光电技术、新能源、农牧业深加工等领域，有力地拉动了主导产业的规模扩张和要素集聚，加快了产业集群的形成。

在国际化方面，长春高新区最为引人注目的，是与俄罗斯的科技合作。在省、市政府的支持下，长春高新区一直在中俄及独联体国家科技合作方面进行着不懈的努力，并规划建设了中俄科技合作基地。基地规划面积10万平方米，重点围绕光机电一体化、新材料、医药三大领域，合作开发处于国际领先水平的科技项目。目前，已孵化出吉大通源公司、吉林东亚夜视公司等一批高新技术企业；与俄方签订合作项目52项，其中有4项被列入中俄政府间重大科技合作项目；在谈项目27项，成立科技合作企业近30户。2004年9月，长春高新区建设的中俄科技合作基地最终被国家科技部批准为长春中俄暨独联体国家科技合作基地。

在建设中俄科技合作基地的基础上，长春高新区又积极建设了中俄科技园。2006年7月，长春中俄科技园在长春高新区破土动工。长春中俄科技园是中国科学院牵头兴办的成效最显著的国际科技合作园区。本着互利互惠的合作精神，对俄罗斯及独联体国家开展国际科技合作，在一些优势领域开展基础研究、应用研究和高科技研发，在项目合作基础上建立联合研究机构，推进双方科技合作与成果产业化。中俄科技园也是第一个以企业形式运作、努力靠市场生存的国际性科技合作园区。目前，科技园承担着7项政府间合作，协助、组织各个研究所、大学、企业进行了大量的科技合作。

目前，长春中俄科技园一期占地2万平方米的综合孵化大厦、激光加工基地主体框架已完工，首批入驻的5个产业化项目已开始运作。组建了中俄菌类联合实验室；孵化和吸引入驻园区企业5户；组织中俄科学家、企业家互访15次、80人次；协助科研单位与企业申报政府科技合作项目9项，在孵项目10余项。中俄、中白近期将就激光技术、粉末冶金、现代农业等领域进行合作。已入驻的吉林省科英激光技术有限公司、吉林希达电子技术有限公司、长春圣博玛生物材料有限公司等，都得到了快速发展。稀土塑料着色剂、全固态半导体大功率激光器、生物可降解“骨钉”等一批处于国际领先水平的科技项目，也将在近期完成孵化，并注册公司入驻科技园。在中俄科技合作基地的带动下，近年来，区内企业利用自有专利技术，积极开展跨国合作研发，同美国、日本、德国、韩国、俄罗斯、古巴等20多个国家和地区建立了企业间的科技合作关系，先后从国外引进专利技术175项，其中引进国外重大技术60多项，关键设备400余套，促进了产业和产品结构的调整。在引进基础上，通过技术集成和二次开发获得的自主知识产权技术成果近百项。其中液态干扰素、干细胞、丙肝疫苗等项目都形成了较大的规模，取得了较好的经济效益和社会效益。

如今，长春高新区内的相当多汽车零部件制造企业已从过去单纯引进生产技术，转变为同时引进产品开发技术，引导外商联合建立技术开发中心，并开始与国外联合开发新产品，双方共有知识产权。一东离合器股份公司从1993年开始自主开发新产品，现已开发出50余种新产品投放市场。其中，DKS228红旗、奥迪轿车离合器和DS350重型汽车离合器填补了国内空白，替代了进口，企业被国家科技部确定为“国家火炬计划重点高新技术企业”，其研发机构也被确定为省级技术中心。在汽车关键零部件中，如ABS总成、轿车动力转向器等，已通过引进、吸收和再创新实现了国产化。对国外先进技术引进后的消化和吸收，有力地促进了长春高新区企业自主创新水平的提高，成为增强区域核心竞争力的有效途径。

目前，长春高新区出口创汇企业已发展到100余户，拥有了一批如q瞄镜、绿激光器、指纹锁等出口品种，累计获得省级重点新产品115项，国家级重点新产品53项，有32项产品获得了省级以上名牌产品称号，全区高新技术产品产值出口额约占全市的85%，被科技部和原外经贸部批准为“国家高新技术产品出口基地”。全区外商投资企业发展到554户，先后有21户世界500强企业在长春高新区投资建厂。长春高新区已成为长春市开展国际合作的最佳平台、招商引资的有效载体、对外开放的重要窗口。

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