导体和半导体之间是如何划分的？

一.定义不一样

1.电导体电导体（conductor）就是指电阻不大且便于传导电流的化学物质。电导体中出现很多可随意运动的自由电子称之为自由电子。在外面静电场的作用下，自由电子作定向运动，产生显著的电流量。

2.半导体材料半导体材料（semiconductor），指常温状态导电率能处于电导体（conductor）与绝缘物（insulator）中间的原材料。半导体材料在录音机.电视及其温度测量上拥有普遍的运用。如二极管便是使用半导体材料制作的元器件。

二.归类不一样

1.第一类电导体金属材料是最普遍的一类电导体。金属材料中的原子和里层电子器件组成原子实，标准地排成点阵式，而外面的价电子非常容易摆脱原子的约束而变成自由电荷，他们组成导电性的自由电子。

2.第二类电导体电解质溶液的溶剂或称之为锂电池电解液的熔化电解质溶液也是电导体，其自由电子是正空气负离子。试验发觉，绝大多数纯液态尽管也可以电离度，但电离度水平不大，因此并不是电导体。

3.别的介电质电的绝缘物又称之为电解介质。他们的电阻极高，比合金的电阻大1014倍之上。绝缘物在一些外部标准（如加温.加髙压等）危害下，会被“穿透”，而转换为电导体。绝缘物或电解介质的关键电力学特性体现在氧化还原电位.电极化.耗损和穿透等环节中。

4.半导体材料半导体器件许多，按成分可分成原素半导体材料和有机化合物半导体材料两类。锗和硅是最常见的元素半导体材料；化学物质半导体材料包含第Ⅲ和第Ⅴ族化学物质（氮化镓.磷化镓等）.第Ⅱ和第Ⅵ族化学物质（硫化镉.氧化钨等）.金属氧化物（锰.铬.铁.铜的金属氧化物）。及其由Ⅲ-Ⅴ族化学物质和Ⅱ-Ⅵ族化学物质构成的离子晶体（镓铝砷.镓砷磷等）。除以上晶态半导体材料外，也有非晶态的夹层玻璃半导体材料.有机化学半导体材料等。

三.特点不一样

1.热敏电阻特点半导体材料的电阻值随环境温度改变会出现显著地更改。2.感光特点半导体材料的电阻对光线的改变十分比较敏感。有阳光照射时.电阻不大；无阳光照射时，电阻非常大。3.夹杂特点在纯粹的半导体材料中，掺人极少量的残渣原素，便会使它的电阻产生巨大的转变。4.半导体材料半导体材料五大特点∶夹杂性，热敏性，光敏性，负电阻温度特点，整流器特点。5.在产生分子结构的半导体材料中，人为因素地掺加特殊的残渣原素，导电率能具备可预测性。6.在阳光照射和辐射热标准下，其导电率有显著的转变。

现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。\x0d\x0a半导体器件的种类： \x0d\x0a一、分立器件\x0d\x0a1、 二极管\x0d\x0aA、一般整流用\x0d\x0aB、高速整流用：\x0d\x0a①FRD（Aast Recovery Diode:高速恢复二极管）\x0d\x0a②HED（Figh Efficiency Diode:高速高效整流二极管）\x0d\x0a③SBD（Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管）\x0d\x0aC、定压二极管（齐纳二极管）\x0d\x0aD、高频二极管\x0d\x0a①变容二极管\x0d\x0a②PIN二极管\x0d\x0a③穿透二极管\x0d\x0a④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管\x0d\x0a2、 晶体管\x0d\x0a①双极晶体管\x0d\x0a②FET（Fidld Effect Transistor:场效应管）\x0d\x0aⅠ、接合型FET\x0d\x0aⅡ、MOSFET\x0d\x0a③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)\x0d\x0a3、 晶闸管\x0d\x0a①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅\x0d\x0a②GTO（Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管） \x0d\x0a③LTT（Light Triggered Thyristor:光触发晶闸管）\x0d\x0a\x0d\x0a二、光电半导体\x0d\x0a1、LED（Light Emitting Diode:发光二极管）\x0d\x0a2、激光半导体\x0d\x0a3、受光器件\x0d\x0a①光电二极管（Photo Diode）/太阳能电池（Sola Cell）\x0d\x0a②光电晶体管（Photo Transistor）\x0d\x0a③CCD图像传感器（Charge Coupled Device:电荷耦合器）\x0d\x0a④CMOS图像传感器（complementary Metal Oxide Semiconductor:互补型金属氧化膜半导体）\x0d\x0a4、光耦(photo Relay)\x0d\x0a①光继电器（photo Relay)\x0d\x0a②光断路器（photo Interrupter）\x0d\x0a5、光通讯用器件\x0d\x0a\x0d\x0a三、逻辑IC\x0d\x0a1、通用逻辑IC\x0d\x0a2、微处理器（Micro Processor）\x0d\x0a①CISC(Complex Instruction Set Computer:复杂命令集计算机)\x0d\x0a②RISC(Reduced instruction SET Computer:缩小命令集计算机)\x0d\x0a3、DSP(Digital Signal processor:数字信号处理器件)\x0d\x0a4、AASIC（Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC）\x0d\x0a①栅陈列（Gate-Array Device）\x0d\x0a②SC(Standard Cell:标准器件)\x0d\x0a③FPLD(Field programmable Logic Device:现场可编程化逻辑装置)\x0d\x0a5、MPR（Microcomputer peripheral:微型计算机外围LSI）\x0d\x0a6、系统LSI（System LSI）\x0d\x0a\x0d\x0a四、模拟IC（以及模拟数字混成IC）\x0d\x0a1、电源用IC\x0d\x0a2、运算放大器（OP具Amp）\x0d\x0a3、AD、DA转换器（AD DA Converter）\x0d\x0a4、显示器用驱动器IC(Display Driver IC)\x0d\x0a\x0d\x0a五、存储器\x0d\x0a1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)\x0d\x0a2、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取储器)\x0d\x0a3、快闪式存储器(Flash Memory)\x0d\x0a4、掩模ROM(mask Memory)\x0d\x0a5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:强介电质存储器)\x0d\x0a6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性体存储器)

---