中国拟全面支持半导体产业？

在美国限制华为等中国公司获取芯片的背景下，中国正在大力支持本国半导体产业发展。中国正在规划制定一套全面的新政策，以发展本国的半导体产业，应对美国政府的限制，而且赋予这项任务“如同当年制造原子d一样”的高度优先权。

北京正准备在到2025年的5年之内，对“第三代半导体”提供广泛支持。他们说，在中国“十四五”规划草案中增加了一系列措施，以加强该行业的研究、教育和融资。

相对于传统的硅材料，第三代半导体以氮化镓、碳化硅、硒化锌等宽带半导体原料为主，更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件。

扩展资料

下一个五年计划

报道称，中国即将制订下一个五年计划，包括努力扩大国内消费，以及在国内制造关键技术产品。中国已承诺到2025年向无线网络到人工智能等技术领域投入约1.4万亿美元。

半导体实际上是实现中国技术雄心的各个环节的根本，而日益激进的美国政府正威胁要切断对中国的供应。

研究公司龙洲经讯的技术分析师王丹（音译）表示，“中国意识到半导体是所有先进技术的基础，该国不再能依赖美国的供应，面对美国对获取芯片加紧限制，中国的对策只能是继续推动自己的产业去发展。”

参考资料来源：中国经济网-美媒：应对美国政府限制，中国拟全面支持半导体产业

宽带隙半导体，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

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