半导体电路图中ovtpvt和gnb代表什么？

负极指电源中电位（电势）较低的一端。在原电池中，是指起氧化作用的电极，电池反应中写在左边。在电解池中，指起还原作用的电极，区别于原电池。从物理角度来看，是电路中电子流出的一极。

接地（earthing）接地指电力系统和电气装置的中性点、电气设备的外露导电部分和装置外导电部分经由导体与大地相连。可以分为工作接地、防雷接地和保护接地。

在半导体电路中，如果是PNP半导体，一般采用正极接地，也就是以电源的正极作为整个电路的参考点；如果是NPN半导体，一般采用负极接地，也就是以电源的负极作为整个电路的参考点。现在的半导体电路多数采用硅材料，所以都是NPN半导体，负极接地。

扩展资料：

一、接地电阻

一般指接地体上的工频交流或直流电压与通过接地体而流入地下的电流之比。散泄雷电冲击电流时的接地电阻指电压峰值与电流峰值之比，称为冲击接地电阻。接地电阻主要是电流在地下流散途径中土壤的电阻。接地体与土壤接触的电阻以及接地体本身的电阻小得可以忽略。

电网中发生接地短路时，短路电流通过接地体向大地近似作半球形流散（接地体附近并非半球形，流散电流分布依接地体形状而异）。图中画出了与电流垂直的等位线，越接近接地体的等位线其电位越高。因为球面积与半径平方成正比，所以流散电流所通过的截面随着远离接地体而迅速增大。

因电阻与电流通道的截面积成反比，故同半球形面积对应的土壤电阻随着远离接地体而迅速减小。一般情况下，接地装置散泄电流时，离单个接地体20米处的电位实际上已接近零电位。

碳化硅半导体产业链主要包括碳化硅高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、模块封装和终端应用等环节。

1.碳化硅高纯粉料

碳化硅高纯粉料是采用PVT法生长碳化硅单晶的原料,其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。碳化硅粉料有多种合成方式,主要有固相法、液相法和气相法3种。其中,固相法包括碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法液相法包括溶胶-凝胶法和聚合物热分解法气相法包括化学气相沉积法、等离子体法和激光诱导法等。

2.单晶衬底

单晶衬底是半导体的支撑材料、导电材料和外延生长基片。生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长,也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点,是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。目前,SiC单晶生长方法有物理气相传输法(PVT法)、液相法(LPE法)、高温化学气相沉积法(HTCVD法)等。

3.外延片

碳化硅外延片,是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜(外延层)的碳化硅片。目前,碳化硅单晶衬底上的SiC薄膜制备主要有化学气相淀积法（CVD）、液相法（LPE）、升华法、溅射法、MBE法等多种方法。

4.功率器件

采用碳化硅材料制造的宽禁带功率器件,具有耐高温、高频、高效的特性。

5.模块封装

目前,量产阶段的相关功率器件封装类型基本沿用了硅功率器件。模块封装可以优化碳化硅功率器件使用过程中的性能和可靠性,可灵活地将功率器件与不同的应用方案结合。

6.终端应用

在第三代半导体应用中，碳化硅半导体的优势在于可与氮化镓半导体互补。由于SiC器件高转换效率、低发热特性和轻量化等优势,下游行业需求持续增加,有取代SiQ器件的趋势。

EVT: Engineering Verification Test

工程验证测试

产品开发初期的设计验证。设计者实现样品时做初期的测试验证，包括功能和安规测试，一般由RD(Research&Development)对样品进行全面验证，因是样品，问题可能较多，测试可能会做N次。

DVT: Design Verification Test

设计验证测试

解决样品在EVT阶段的问题后进行，对所有信号的电平和时序进行测试，完成安规测试，由RD和DQA(Design Qualiy Assurance)验证。此时产品基本定型。

PVT: Pilot-run Verification Test

小批量删除过程验证测试，

验证新机型的各功能实现状况并进行稳定性及可靠性测试

扩展资料

DMT(Design Maturity Test)成熟度验证

可与DVT同时进行，主要高温环境下测试产品的MTBF(Mean Time Between Failure)。HALT(High Accelerated Life Test）&HASS(High Accelerated Stress Screen)高加速寿命测试和高加速应力筛选测试，是检验产品潜在缺陷的有效方法。

参考资料EVT_百度百科

---