过量掺杂对半导体元件的性能有何影响？

过量掺杂对半导体元器件性能的温度稳定性具有较好的影响。一般，掺杂浓度越高，元器件的有效工作温度也就越高。

但是对于晶体管的发射区而言，过量掺杂将对晶体管的电流放大系数具有不良的影响，因为过量掺杂会使发射区半导体禁带宽度变窄，导致注射效率降低。

因为浪涌和静电击穿半导体掺杂越多寿命越短。根据查询网上相关公开信息显示除去人为使用不当、浪涌和静电击穿等等都是导致半导体器件的寿命缩短的原因，除此之外，有些运行正常的器件也受到损害，出现元器件退化，半导体元器件失效原因不可胜数。

常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。半导体有以下特点：1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。

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