IC型号中经常看到IMP这个厂商，这厂商中文的意思是什么

你说IMP应该是“日银IMP微电子有限公司”，其前身为美国IMP公司。

“IMP”这三个字母没什么特别的中文意思，就像IR、ST，就是一个品牌，只是它被收购了，你就叫它为“日银IMP”，大家就知道你的意思了。

请参考“日银IMP微电子有限公司”的简介：

日银IMP微电子有限公司位于中国大陆海滨城市宁波科技园区境内，其前身为美国IMP公司。日银IMP微电子公司业务包括设计、生产、销售高性能的标准模拟混合电路，并提供特殊模拟CMOS和BiCMOS工艺代工服务。公司销售主要集中于电源管理集成电路和通讯集成电路两种领域400多种产品，产品主要用于计算机、通讯及控制系统。

日银IMP微电子拥有美国IMP公司的所有技术专利，同时实现了IMP设备、工艺、产品、技术从美国圣荷塞到中国大陆的全面成功转移。日银IMP公司充分利用了中国大陆资源成本优势。2008年，公司本土研发队伍成立。

公司在宁波科技园区占地约52000平方米，一期净化厂房拥有约3000平方米的净化区，二期研发综合大楼2006年投入使用，三期厂房正在筹建中。日银IMP微电子将继往开来，成为中国大陆模拟电路研发、生产、测试、销售的最佳合作伙伴。

官网：http://www.ds-imp.com.cn/

p-podyimp是什么意思在半导体中:

imp是半导体工艺，imp全写是P-ESDIMP。

P-ESDIMP工艺流程是在有源区重掺杂之后增加一道P-ESDIMP，P-ESDIMP的目的是把中等浓度的硼(P型)通过离子注入的方式掺杂到NMOS漏端N+扩散区正下方与PW交界面，从而降低NMOS漏端与PW的击穿电压。

例如在一0.18μm的工艺中，可把原先约10V的接面击穿电压降低到约8V。当ESD现象发生在该NMOS器件的漏极时，漏端接触孔下面的PN结首先击穿，静电放电电流便会先由该PN结接面泄放掉，因此该NMOS器件漏极端的LDD结构不会因静电尖端放电的现象而被静电损伤，达到提高它的ESD保护能力。

利用P型的P-ESDIMP工艺技术制造的ESDNMOS仍可保留LDD结构，因此该ESDNMOS器件仍可使用较短沟道长度，它的SPICE参数跟传统的NMOS器件类似，除了击穿电压不同之外，不必另外抽取这种ESDNMOS器件的SPICE参数。

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