行业主要上市企业:目前国内第三代半导体行业的上市公司主要有华润微(688396)三安光电(600703)士兰微(600460)闻泰科技(600745)新洁能(605111)露笑科技(002617)斯达半导(603290)等。
定义
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料,被称为第三代半导体材料,目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。
与传统材料相比,第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件,因此,其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热率,以及更强的抗辐射能力等诸多优势,在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。
行业发展现状
1、产值规模逆势增长
随着5G、新能源汽车等市场发展,第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时,中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年以来,在国内大半导体产业增长乏力的大背景下,我国第三代半导体产业实现逆势增长。
2021年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子两个领域实现总产值达127亿元,较2020年增长20.4%。
其中SiC、GaN电力电子产值规模达58亿元,同比增长29.6%。GaN微波射频产值达到69亿元,同比增长13.5%,较前两年稍有放缓。
2、产能大幅增长但仍供应不足
根据CASA数据显示截至2020年底,我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年,SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年,SiC-onSiC器件/模块(4/6英寸兼容)产能约26万片/年。
GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年,GaN-on-Si器件/模块折算6英寸产能约为22万片/年。
2021年,第三代半导体产能建设项目如火如荼开展,据CASA不完全统计,2021年大陆地区SiC衬底环节新增投产项目7项,披露新增投产年产能超过57万片。三安半导体、国宏中能、同光科技、中科钢研、合肥露笑科技等企业相继宣布进入投产阶段。此外,微芯长江、南砂晶圆、泽华电子三家宣布SiC项目工程封顶。
但随着新能源汽车、5G、PD快充等市场的发展,我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求,目前有超过八成产品以来进口。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大。
3、电力电子器件市场规模超70亿元
2017-2021年,中国SiC、GaN电力电子器件应用市场快速增长。2021年我国SiC、GaN电力电子器件应用市场规模达到71.1亿元,同比增长51.9%,第三代半导体在电力电子领域渗透率超过2.3%,较2020年提高了0.7个百分点。
目前,GaN电力电子器件主要应用在快充领域。SiC电力电子器件重点应用于新能源汽车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场,第三代半导体器件在新能源汽车领域的渗透快于整车市场,占比达57%PD快充占9%PV光伏占了7%。
2021年,我国GaN微波射频器件市场规模约为73.3亿元,同比增长11%。其中国防军事与航天应用规模34.8亿元,成为GaN射频主要拉动因素。
全国各地5G基站建设在近几年达到高峰,2021年无线基础设施是我国GaN微波射频器件的主要应用领域,占比约50%,其次为国防军事应用,市场占比约为43%。
更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》。
不过可惜的是,就在近日,这个投资千亿的半导体项目迎来了最终落幕,不仅发出通知遣散所有员工,还要求全体员工必须在3月5日前完成办理离职手续。
当然,最可惜的还是那台完全未拆封,被抵押给银行的大陆唯一一台7nm高端光刻机!
其次,从人员上来说,弘芯半导体也是兵强马壮。
据悉,武汉弘芯半导体项目的技术总负责人乃是芯片界的大牛蒋尚义。此人乃是台积电前CTO(首席技术官),在台积电任职时间长达10年,是张忠谋的左膀右臂。
更重要的是,根据公开信息显示, 台积电90纳米、65纳米、40纳米、28纳米、20纳米、6纳米等关键节点的研发都有蒋尚义的参与,得一蒋尚义胜过数百名芯片工程师。
然而现在呢?就在几个月前, 蒋尚义亲自证实在2021年1月1日正式加入中芯国际,并担任中芯国际副董事长一职。
由此还闹出了一场风波,梁孟松博士因蒋尚义突然空降,高调请辞,众网友大呼中芯国际“老糊涂”了。
按道理说兵强马壮的弘芯半导体项目怎么也能折腾出一点儿动静,怎么就突然烂尾了呢?1380亿的投资又都花到哪儿去了呢?
根据武汉《上半年东西湖区投资建设领域经济运行分析》文件披露,弘芯半导体项目的钱主要花在了以下两个方面。
1.人才投资。根据台媒消息, 武汉弘芯在2019年的时候便已经着手挖人,除去在6月份请来蒋尚义这么一位业内高人之外,年底的时候还联合山东泉芯开出高于台积电2.5倍的薪酬从台积电挖走了100多名资深工程师和半导体经理。
2.设备投资。设备方面, 除去一期生产线需要的300余套设备之外,更是通过各种关系引进了一台型号为TWINSCAN NXT:1980Di的高端光刻机 ,这种光刻机是大陆唯一一台可以生产7nm芯片的高端光刻机。当初该设备成功引进时,甚至还专门弄了一个声势浩大的进厂仪式( 如今已被抵押给了武汉农商行,估值58180.86万元 )。
3.厂房投资。据悉,仅是一期厂房投资就高达520亿, 主要生产厂房加研发大楼已经封顶或完成,总建筑面积高达39万平方米。 不过二期项目出了点问题, 由于一直没有完成土地调规和出让,以及缺少土地、环评等支撑材料,所以二期项目迟迟未能启动,以“烂尾”告终。
至此,负责人转投,高端设备抵押,二期工程“烂尾”,虽然武汉弘芯还没有完全解散,但是已经濒临彻底失败的边缘。
根据2月27日最新消息,武汉弘芯内部下达了一则正式通知,由于公司无复工复产计划,因此决定遣散所有员工,要求全体员工于2月28日下班前主动申请离职,并于3月5日前完成离职手续办理。即便是休假人员,也被要求线上办理。
值得注意的是,根据内部员工的透露,该消息的发出没有任何征兆,该员工所在的部门甚至还在为正式投产做准备。
此外还有一点需要注意, 按照通知中的说法,是要求全体员工自己主动提出离职申请,这是不是说明弘芯已经不打算支付遣散费用?还是说武汉弘芯的资金缺口已经到了连员工遣散费用都支付不起的地步了?
眼看他起高楼,眼看他宴宾客,眼看他楼塌了。
不管怎样,这个历时3年有余的弘芯半导体项目算是迎来了最终落幕,只是可惜了那一台能够制造出7nm芯片的高端光刻机了。
如果是其他项目或厂商拿到这台高端光刻机,是不是就可以实现14nm,7nm高端芯片量产呢?
最后还是要说一句, 像芯片半导体这种国之重器,还是掌握在可信的人和公司手里比较好。
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