HVT LVT SLVT RVT的区别

这几个都是CMOS集成电路的 Vth阈值电压 相关的基本概念。通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为 阈值电压 。

HVT = High V threshold. Can be used in the path where timing is not critical. So by using HVT cells we can save power.

LVT - Low V threshold. One should use these cells in timing critical paths. These cells are fast but , comsumes more power due to its leakage. So it will consume more power. So use only when timing is critical.

SVT- Standard V threshold. Best of both world. Medium delay and medium power requirment. So if timing is not met by small magin with HVT, you should try with SVT. And at last LVT.

RVT- Regular V threshold.  Another name for SVT.

SLVT-Super low V threshold.

阈值电压越低，因为饱和电流变小，所以速度性能越高；但是因为漏电流会变大，因此功耗会变差。

速度大小按快到慢依次排列为SLVT, LVT, RVT, HVT。 功耗大小却正好相反。即HVT的cell其阈值电压最大其掺杂浓度越高，其泄露功耗最小；

对于NPN的晶体管是n型半导体，其导电是电子，P衬底多子是空穴，掺杂越高电子越少，越难以导电，阈值电压上升，泄露功耗变少。

对于PNP晶体管是P型半导体，其导电是空穴，N型衬底是电子，掺杂越高空穴越少，越难以导电。

元素符号：Si

英文名：Silicon

中文名：硅

相对原子质量：28.0855

常见化合价：+2,+4

常见化合物：SiO2 SiC SiF4 H2SiO3 H2SiF6 Na2SiO3 SiCl4 SiH4 Mg2Si

发现人：贝采里乌斯

时间：1823

地点：瑞典

名称由来：

拉丁文：latin silicis(=flint),silex,silicus（燧石）.

元素描述：

无定形硅是褐色的粉末,晶体硅有着灰黑色金属般的外观.在宇宙中含量第七,在地球中含量第二.

元素来源：

硅构成了粘土、花岗岩、石英(SiO2)和沙的主要成分.硅的工业生产主要依靠2200摄氏度左右时沙(SiO2)和碳之间的反应.

元素用途：

二氧化硅(SiO2)用于制玻璃.碳化硅(SiC)是已知最硬的物质之一,可用来进行抛光.另外单晶硅是制造半导体的材料.

SJ开头这个是厂家的内部命名方式，无法通过SJ开头判断是哪家的芯片，因为哪家都可以这样命名。

SJ25-I/SL是MICROCHIP制造的，这是一个来自美国微控制器、记忆体与类比半导体制造商，功能可能是类似单片机或者运放之类的，不过具体资料没有查到。

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