检漏仪的原理

在移动扫查过程中，传感器检测到泄漏信号后，将它们转换成人耳可以听到的音频信号，并在屏幕上同时显示出来。在液晶屏幕上，泄漏源是黄色（泄漏较小，信号较弱）或者红色（泄漏较大，信号强）的实时可见图像。同时，连续声音分贝的有效值和最大值，在液晶屏幕底的横条光柱以不同颜色和数值显示出来。

单晶硅生长炉是通过直拉法制备单晶硅的制造设备。

原理简介

首先，把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚，通过石墨加热器产生的高温将其熔化；然后，对熔化的硅液稍做降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长；接着，控制籽晶生长出一段长为100mm 左右、直径为3～5mm的细颈，用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程就是引晶；随后，放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩；接着，突然提高拉速进行转肩 *** 作，使肩部近似直角；然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度，生长出一定直径规格大小的单晶柱体；最后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺；这样一个单晶拉制过程就基本完成，进行一定的保温冷却后就可以取出。

直拉法，也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法，用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单，容易实现自动控制，生产效率高，易于制备大直径单晶，容易控制单晶中杂质浓度，可以制备低电阻率单晶。据统计，世界上硅单晶的产量中70％～80％是用直拉法生产的。

目前国内外晶体生长设备的现状如下：

美国KAYEX公司

国外以美国KAYEX 公司为代表，生产全自动硅单晶体生长炉。KAYEX公司是目前世界上最大，最先进的硅单晶体生长炉制造商之一。KAYEX的产品早在80年代初就进入中国市场，已成为中国半导体行业使用最多的品牌。该公司生长的硅晶体生长炉从抽真空－检漏－熔料－引晶－放肩－等径－收尾到关机的全过程由计算机实行全自动控制。晶体产品的完整性与均匀性好，直径偏差在单晶全长内仅±1mm。主要产品有CG3000、CG6000、KAYEX100PV、 KAYEX120PV、KEYEX150，Vision300型，投料量分别为30kg、60kg、100kg、120kg、150kg、300kg。

德国CGS GmbH公司

德国Crystal Growing Systems (CGS) GmbH公司成立于1999年8月，其前身为德国莱宝公司晶体生长部。目前其产品已经覆盖生产6”到16”单晶硅棒的设备，设备主要有EKZ2700、 EKZ 3500/200、EKZ 3000/300，EKZ 3000/400型，投料量分别为60kg、150kg、300kg，400kg。

中国西安理工大学研究所

国内以西安理工大学的晶体生长设备研究所为代表，自61年起开始生产晶体生长设备。主要产品有TDR-62B、TDR-70B、TDR-80。上虞晶盛机电工程有限公司是国内单晶硅生长炉行业的后起之秀，自主研发了真正的全自动控制系统，产品迅速占领了IC级硅材料行业和高端太阳能行业，主要产品有TDR80A-ZJS、 TDR80B-ZJS、TDR80C-ZJS、TDR85A-ZJS、TDR95A-ZJS、TDR112A-ZJS。

晶体炉特点

HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。上筒和上盖可以上升并向两边转动，便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计，提高稳定性。支撑柱安装在炉体支撑平台的上面，便于平台下面设备的维护。炉筒升降采用丝杠提升技术，简便干净。

全自动控制系统采用模块化设计，维护方便，可靠性高，抗干扰性好。双摄像头实时采集晶体直径信息。液面测温确保下籽晶温度和可重复性。炉内温度或加热功率控制方式可选，保证控温精度。质量流量计精确控制氩气流量。高精度真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。伺服电机和步进电机的混合使用，即可满足转动所需的扭矩，又可实现转速的精确控制。质量流量计精确控制氩气流量。

自主产权的控制软件采用视窗平台， *** 作方便简洁直观。多种曲线和数据交叉分析工具提供了工艺实时监控的平台。完整的工艺设定界面使计算机可以自动完成几乎所有的工艺过程。

加热电源采用绿色纵向12脉冲直流电源。比传统直流电源节能近15%。

特殊的温场设计使晶体提拉速度提高20-30%。

检查的主要内容如下：

②电位器、可变电容器和可调电感器等元件，调动时应该旋转平稳，无跳变或卡死现象。④胶木件表面无裂纹、起泡和分层。瓷质件表面光洁平整，无缺损。⑤带有密封结构的元器件，密封部位不应损坏和开裂。⑥镀银件表面光亮，无变色和发黑现象。2畅元器件的筛选和老化③接插件应插拔自如，插针、插孔镀层光亮，无明显氧化和玷污。①元器件外观应完整无损，标注清晰，引线和接线端子无锈蚀和明显氧化。筛选和老化的目的是剔除因某种缺陷而导致早期失效的元器件，从而提高元器件的使用寿命和可靠性。因此，凡有筛选和老化要求的元器件，在整机装配前必须按照整机产品技术要求和有关技术规定进行严格的筛选和老化。然而在课堂化的业余条件下，不具备对元器件进行正规的筛选和老化的条件，只有借助于万用表和有关通用仪器对元器件进行一般的检测，对阻容元件、二极管、三极管、集成电路、

电感线圈、电位器等元件的一般检测在前面已学过的课程中已作介绍，这里不再叙述。而电视机生产厂家具备对元器件进行筛选和老化的条件，且由专业人员 *** 作，比较复杂。下面以对半导体二极管、三极管和集成电路的筛选和老化的技术要求为例作简要介绍，仅供学生参考。（1）半导体二极管、三极管的筛选和老化①筛选程序：

b畅三极管：高温储存→温度冲击→跌落（大功率管不做）→高温反偏（硅PNP管）→功率老化→高低温测试（必要时做）→常温测试→检漏→外观检查。

心→功率老化。筛选程序可根据具体情况作相应变化，但其主要项目有：高温储存→温度冲击→跌落或离②条件及要求：

储存时间：A级48h，B级96h。储存温度：硅二极管（150±3）℃；硅三极管（175±3）℃；锗二极管、三极管（100±2）℃。a畅高温储存漏电流→常温测试→检漏→外观检查。a畅二极管（此处指整流二极管）：高温储存→温度冲击→敲击→功率老化→高温测试反向

锗元件：（－55±3）℃茨（85±2）℃。b畅温度冲击

硅元件：（－55±3）℃茨（125±3）℃。先低温后高温，转换时间小于1min，每种状态下放置1h，循环次数为5次。

允许曲线有跳动现象。敲击次数为3～5次。c畅敲击　在专用夹具上，用小锤敲击器件，并用图示仪监视最大工作电流正向曲线。不

在c－b极间加反向电压（具体电压值按技术部门的指定值）。反偏时间约4h，漏电流不超过规定值。f畅高温测试　试验温度锗二极管为（70±2）℃，锗中小功率三极管为（55±2）℃，锗大功g畅低温测试　试验温度为（－55±3）℃，恒温时间为30min。

i畅检漏　按技术文件规定进行。（2）半导体集成电路的筛选h畅常温测试　按技术文件规定进行。e畅高温反偏　锗管在（70±2）℃，硅管在（125±3）℃下，二极管加额定反向电压，三极管d畅功率老化　在常温下，按技术要求通电老化。老化时间A级12h，B级24h。率三极管为（75±2）℃，硅二、三极管为（125±3）℃。恒温时间为30min。①高温储存　它的作用是通过高温加热，加速任何可能发生或存在的表面化学反应，使储存条件：温度150～（175±5）℃，储存时间为48h或96h。150℃适用于环氧扁平封装循环条件：温度为（－55±3）℃茨（125±3）℃。先低温后高温，每种温度下保持30min，②温度循环　此项目能检验电路内不同结构材料的热胀冷缩性是否匹配。电路稳定，剔除潜在的失效电路。的电路，175℃适用于其他材料封装的电路。

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