首先是芯片技术的发展趋势。存储芯片是半导体存储器的重要组成部分,其技术的发展决定了新一代存储器的容量和性能。主流的存储芯片有DRAM存储芯片和NAND闪存芯片,其中DRAM的技术发展路径是通过工艺小型化来提高存储密度。工艺进入20nm后,制造难度大大提高。
其次是半导体制造设备细分。在国内一些晶圆厂的采购中,去胶设备国产化率接近90%,是半导体制造设备中国产化率最高的。中国半导体行业正在经历下游需求爆发带来的行业复苏和国内替代机会。非晶半导体不是物理加工,而是用化学手段直接改变原子的位置,使原来的周期性发生变化,形成非晶硅。制造过程简单,易于 *** 作,成本低,但这种物品对环境有污染,且难以分解。
再者是新型存储介质的发展趋势。新的存储介质结合了DRAM存储器的高速存取和NAND闪存断电后保留数据的特性,可以打破存储器和闪存的界限,将两者合二为一。同时,新型存储介质功耗更低、寿命更长、速度更快,因此被业界视为未来闪存和内存的替代品。然而,新的存储介质行业尚未成熟。
要知道的是中国作为半导体消费大国,内需市场依然巨大。虽然中国半导体产业发展起步较晚,与国际大公司相比仍有差距,但不可否认,中国是全球最大的集成电路产品消费市场,也是全球集成电路产业发展的重要支撑。近年来,国内半导体技术企业逐步攻克了一系列关键技术难题。大部分关键设备类型可实现国产化配套,主要零部件配套体系初步形成。一些设备已经进入国际采购系统。
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)
美中或是日韩贸易战,均以科技领域为主战场,都涉及到半导体层级,反映半导体是科技竞赛的主战场。半导体是现代资讯产业的基础和核心产业之一,为衡量一个国家科技发展水准乃至综合国力的重要指标。
更重要的是,美中或是日韩贸易战将使全球化垂直分工所基于的商业信任和自由贸易规则遭到破坏,未来各国恐更加重视供应安全与自主可控,是否造成资源浪费、研发和投资效率低落等问题,值得深思。
即便是全球半导体供应国之首的美国,占有国际附加价值、技术含量最高的环节,但因中国业务占美国半导体业者比重均在3成之上,更遑论部分美系半导体大厂的中国合计客户占比高达5成以上,故在美中贸易战之下,美系半导体厂业绩也相对受损。
同样地,中国半导体业近年来虽高速成长,但部分环节发展仍未突破瓶颈,且有产业链覆盖不完整的情况,自然在美中贸易战遭到美方以关税、非关税贸易障碍的方式,袭击关键核心晶片的供应。有鉴于此,预料中国将持续以半导体扶植政策、集成电路第2期大基金的投入、内外部人力资源的积累、由科创板来实现资本市场和科技创新更加深度的融合,来加速推动中国本身半导体国产替代的方向,期望在未来新兴科技所带动的新产品、贸易战下带来的新分工模式基础上,使中国半导体进入技术能力提升、创新活力增加、产品多元化的结构改革阶段。
今年中国半导体业的景气表现,大体呈现先抑后扬的局面,主要是尽管美中贸易谈判未来仍是存有变数,但至少短期内5至6月美国对于华为的严格禁制令在第3季初已有所松绑,使得下半年华为对于供应链的下单力道加大。同时华为生态链的重塑也有利于中国本土的半导体厂商,显然美中贸易战加速核心环节国产供应链崛起的速度,且半导体供应链的库存水位持续下降,再加上5G无线通讯、AI、 IOT、穿戴式装置/AR/VR、车用电子、高效能运算/资料中心、工业4.0/智慧制造等商机也将逐步发酵所致。
若以2019年中国晶圆代工的发展主轴来看,依旧以先进制程的追赶与突破、特殊制程的差异化竞争为主,后者应用的产品包括DRAM,模拟IC,光学器件,感测器,分立器件等。其中2019年中芯国际公司专注推进FinFET技术,上海中芯南方FinFET工厂顺利建造完成,进入产能布建,公司更规划2019年下半年实现14纳米FinFET量产计划,同时12纳米制程开发进入客户导入阶段,显然中芯国际欲利用台积电南京厂产能利用率下降,正研议放缓增建产能脚步之际,而缩短与台积电中国布局的差距,不过随着台积电在台湾厂的先进制程陆续步入7纳米强化版、6纳米制程、5纳米制程之下,中芯国际仍是处于追赶的阶段。
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