华为都投了哪些芯片公司？

一直以来，华为都十分重视芯片等核心器件的研发，尤其在受到美国为主的海外限制的时候，对核心产业链的掌控能力显得更为重要。

自2019年4月23日华为成立“哈勃 科技 投资有限公司”以来，华为便密锣紧鼓地在材料领域、AI领域和芯片领域开始投资布局。

近日，华为又新投资了一家名为纵慧芯光的半导体企业，公开信息显示，这是哈勃成立以来投资的第10家半导体领域相关公司。除了 纵慧芯光之外，其余九家分别是，新港海岸、山东天岳、裕太车通、鲲游光电、深思考、好达电子、杰华特微电子、庆虹电子、思瑞浦 。

具体来看，哈勃的投资都是围绕华为的主业展开，而且比较精准，涉及芯片、器件、半导体材料等。

十家公司详情（排名不分先后）：

1、思瑞浦微电子（英文：3PEAK）

思瑞浦微电子 科技 (苏州)股份有限公司成立于2012年4月，主营业务为模拟集成电路芯片的研发和销售。

思瑞浦可以说是国内极少数聚焦高性能模拟信号链的IC设计公司，有近十年的发展与积累，在运算放大器、模数转换、数模转换、视频滤波、音频滤波、接口芯片、电源管理等领域，积累了大量技术储备。据满天芯了解，目前思瑞浦科创板IPO已经进入“已问询”状态。同类公司有圣邦股份、富满电子、艾为电子等。

2、庆虹电子

庆虹电子（苏州）有限公司成立于2001年，主要从事连接器技术及产品的研发、生产。主要产品为工业用连接器和消费类电子连接器，产品适用于通讯网络、计算机、服务器、通信交换机、智能手机、笔记本电脑、数字摄像头等领域。

以华为通信设备和智能手机的体量来看，如果订单往庆虹电子上转移，对国内的连接器市场将形成较大影响。同为华为的连接器供应商有中航光电、立讯精密、电连技术、得润电子、长盈精密等。另外满天芯了解到，庆虹电子是台湾知名连接器制造商庆良电子的大陆公司。

3、杰华特

杰华特微电子（杭州）有限公司立于2013年，是到一家致力于研究节能减耗的高质量电源芯片产品提供商。主要从事于功率管理芯片研发，目前拥有电池管理、LED照明、DC/DC转换器等产品。在哈勃投资前，杰华特已经完成多轮融资。

杰华特主要产品为高端电源管理芯片。在电源管理市场上，国内相关企业众多，包括圣邦微电子、全志 科技 、芯朋微电子、上海贝岭、南京微盟电子、矽力杰、芯智汇 科技 、比亚迪半导体等等。

4、好达电子

无锡市好达电子有限公司成立于1999年，是知名的声表面波器件生产厂商。主要产品包括声表面波滤波器、双工器、谐振器，应用于手机、通信基站，LTE模块，物联网，车联网、智能家居及其它射频通讯领域。

哈勃投资之前，好达电子就得到了中兴创投、小米长江产业基金等通讯设备与智能手机厂商的投资。

5、深思考

深思考人工智能机器人 科技 （北京）有限公司立于2015年，是一家专注于类脑人工智能与深度学习核心 科技 的AI公司。公司最突出的技术是“多模态深度语义理解引擎（iDeepwise.ai）技术”。目前主要落地于智能 汽车 、智能手机、智能家居、智慧医疗 健康 等应用场景中。

深思考是国内人工智能第一梯队的企业，这也是华为首次投资国内的人工智能企业，持股比例为3.67%，为第五大股东。

6、鲲游光电

上海鲲游光电 科技 有限公司成立于2016年，是一家专注于微光学、光集成领域的高 科技 企业。主要从事晶圆级光芯片的研发与应用，致力于 探索 通过半导体工艺与光学工艺的融合，以半导体晶圆思路设计、制成纳米级、低成本的光学芯片。目前提供微纳光学、AR光波导、光通讯高速光链路的量产产品。

此前，鲲游光电也是华为光电芯片领域的供应商之一。

7、裕太车通

苏州裕太车通电子 科技 有限公司成立于2017年1月，是一家车载核心通讯芯片研发商，致力于有线通讯PHY芯片的设计、研发和销售。但其业务不仅仅局限于 汽车 领域，安防、工业及特种行业等市场均有所涉足。

2019年，裕太车通宣布成功研发出国内首款符合100Base-T1标准的PHY芯片“YT8010”，并已进入量产阶段，打破了国际芯片巨头公司在此芯片领域的垄断。

在车载以太网芯片领域，目前主要以Marvell、Broadcom和Texas等国外企业为主。

8、山东天岳

山东天岳先进材料 科技 有限公司成立于2010年，是一家以碳化硅半导体衬底材料为主的高新技术企业。碳化硅产品主要有4H-导电型碳化硅衬底材料，其规格有2英寸、3英寸、4英寸以及6英寸，今后可以广泛应用于大功率高频电子器件、半导体发光二极管（LED），以及诸如5G通讯、物流网等微波通讯领域。

9、新港海岸

新港海岸（北京） 科技 有限公司成立于2001年 ，是一家全内资芯片设计公司，以企业级高速光通信及时钟芯片和高清显示相关芯片为主要产品，是目前全球主要的 SyncE/1588 PLL IP供应商，部分最终通信设备产品已进入国内运营商使用。

10、纵慧芯光

常州纵慧芯光半导体 科技 有限公司成立于2015年11月，是一家创新型的光电半导体企业，致力于为全球客户提供高功率以及高频率VCSEL解决方案，主要研发生产VCSEL芯片、器件及模组等产品。

VCSEL受到关注起因于2017年苹果首次在手机上采用了带有3D结构光的人脸识别技术，随后国产手机也纷纷在手机上加载这一技术。

目前为止全球可实现VCSEL量产的仅五家厂商，纵慧芯光是中国第一家拥有自主知识产权的VCSEL芯片公司。纵慧芯光也是华为供应商之一。

小结

在一年多的时间里，华为开始从订单、资金和技术等方面全面扶持国内半导体企业，而且投资非常的精准，投资规模虽然不大，但目标明确，均为前五大股东。

早前有分析认为，哈勃投资是华为应对美国制裁应运而生。从华为的投资中也可以清楚地窥见其未来的战略规划，即培养国产产业链，在半导体芯片领域构建新的产业生态。如今，华为正在向半导体产业上下游投入更多资源，未来自然会有更多“新星”被“哈勃”发现。

所有常见的电子元件都会判断好坏的话，哪一定是维修专家级的了。下面给你常用的符号和作用吧电子元器件基础知识（1）——电阻

导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。一、电阻的型号命名方法：

国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称 ，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料 ，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等 例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻

电子元器件基础知识（2）——电容

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合， 旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF

电容器的型号命名方法 国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。 第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。 第二部分：材料，用字母表示。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。 第四部分：序号，用数字表示。 用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介

电子元器件基础知识（3）——电感线圈

电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。

电感的分类 按 电感形式 分类：固定电感、可变电感。 按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。 按 工作性质 分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。 按 绕线结构 分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。

电感线圈的主要特性参数 1、电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。 2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL 3、品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R 线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。 4、分布电容 线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。

电子元器件基础知识（4）——半导体器件

中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

电流表 PA

电压表 PV

有功电度表 PJ

无功电度表 PJR

频率表 PF

相位表 PPA

最大需量表(负荷监控仪) PM

功率因数表 PPF

有功功率表 PW

无功功率表 PR

无功电流表 PAR

声信号 HA

光信号 HS

指示灯 HL

红色灯 HR

绿色灯 HG

黄色灯 HY

蓝色灯 HB

白色灯 HW

连接片 XB

插头 XP

插座 XS

端子板 XT

电线,电缆,母线 W

直流母线 WB

插接式(馈电)母线 WIB

电力分支线 WP

照明分支线 WL

应急照明分支线 WE

电力干线 WPM

照明干线 WLM

应急照明干线 WEM

滑触线 WT

合闸小母线 WCL

控制小母线 WC

信号小母线 WS

闪光小母线 WF

事故音响小母线 WFS

预告音响小母线 WPS

电压小母线 WV

事故照明小母线 WELM

避雷器 F

熔断器 FU

快速熔断器 FTF

跌落式熔断器 FF

限压保护器件 FV

电容器 C

电力电容器 CE

正转按钮 SBF

反转按钮 SBR

停止按钮 SBS

紧急按钮 SBE

试验按钮 SBT

复位按钮 SR

限位开关 SQ

接近开关 SQP

手动控制开关 SH

时间控制开关 SK

液位控制开关 SL

湿度控制开关 SM

压力控制开关 SP

速度控制开关 SS

温度控制开关,辅助开关 ST

电压表切换开关 SV

电流表切换开关 SA

整流器 U

可控硅整流器 UR

控制电路有电源的整流器 VC

变频器 UF

变流器 UC

逆变器 UI

电动机 M

异步电动机 MA

同步电动机 MS

直流电动机 MD

绕线转子感应电动机 MW

鼠笼型电动机 MC

电动阀 YM

电磁阀 YV

防火阀 YF

排烟阀 YS

电磁锁 YL

跳闸线圈 YT

合闸线圈 YC

气动执行器 YPA,YA

电动执行器 YE

发热器件(电加热) FH

照明灯(发光器件) EL

空气调节器 EV

电加热器加热元件 EE

感应线圈,电抗器 L

励磁线圈 LF

消弧线圈 LA

滤波电容器 LL

电阻器,变阻器 R

电位器 RP

热敏电阻 RT

光敏电阻 RL

压敏电阻 RPS

接地电阻 RG

放电电阻 RD

启动变阻器 RS

频敏变阻器 RF

限流电阻器 RC

光电池,热电传感器 B

压力变换器 BP

温度变换器 BT

速度变换器 BV

时间测量传感器 BT1,BK

液位测量传感器 BL

温度测量传感器 BH,BM

如果我的回答您还满意。希望采纳 谢谢 电 流 电荷的定向移动叫做电路中，电流常用I表示。电流分直流和交流两种。电流的大小和方向不随时间变化的叫做直流。电流的大小和方向随时间变化的叫做交流。电流的单位是安（A），也常用毫安（mA)或者微安(uA)做单位。1A=1000mA,1mA=1000uA。

电流可以用电流表测量。测量的时候，把电流表串联在电路中，要选择电流表指针接近满偏转的量程。这样可以防止电流过大而损坏电流表。电 压 河水之所以能够流动，是因为有水位差；电荷之所以能够流动，是因为有电位差。电位差也就是电压。电压是形成电流的原因。在电路中，电压常用U表示。电压的单位是伏（V），也常用毫伏（mV）或者微伏（uV）做单位。1V=1000mV，1mV=1000uV。

电压可以用电压表测量。测量的时候，把电压表并联在电路上，要选择电压表指针接近满偏转的量程。如果电路上的电压大小估计不出来，要先用大的量程，粗略测量后再用合适的量程。这样可以防止由于电压过大而损坏电压表。电阻 电路中对电流通过有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫做电阻。电阻常用R表示。电阻的单位是欧（Ω），也常用千欧（kΩ）或者兆欧（MΩ）做单位。1kΩ=1000Ω,1MΩ=1000000Ω。导体的电阻由导体的材料、横截面积和长度决定。

电阻可以用万用表欧姆档测量。测量的时候，要选择电表指针接近偏转一半的欧姆档。如果电阻在电路中，要把电阻的一头烫开后再测量。欧姆定律 导体中的电流I和导体两端的电压U成正比，和导体的电阻R成反比，即I=U/R

这个规律叫做欧姆定律。如果知道电压、电流、电阻三个量中的两个，就可以根据欧姆定律求出第三个量，即

I=U/R，R＝U／I，U＝I×R

在交流电路中，欧姆定律同样成立，但电阻R应该改成阻抗Z，即I＝U／Z电 源 把其他形式的能转换成电能的装置叫做电源。发电机能把机械能转换成电能，干电池能把化学能转换成电能。发电机、干电池等叫做电源。通过变压器和整流器，把交流电变成直流电的装置叫做整流电源。能提供信号的电子设备叫做信号源。晶体三极管能把前面送来的信号加以放大，又把放大了的信号传送到后面的电路中去。晶体三极管对后面的电路来说，也可以看做是信号源。整流电源、信号源有时也叫做电源。负 载 把电能转换成其他形式的能的装置叫做负载。电动机能把电能转换成机械能，电阻能把电能转换成热能，电灯泡能把电能转换成热能和光能，扬声器能把电能转换成声能。电动机、电阻、电灯泡、扬声器等都叫做负载。晶体三极管对于前面的信号源来说，也可以看作是负载。电 路 电流流过的路叫做电路。最简单的电路由电源、负载和导线、开关等元件组成。电路处处连通叫做通路。只有通路，电路中才有电流通过。电路某一处断开叫做断路或者开路。电路某一部分的两端直接接通，使这部分的电压变成零，叫做短路。

电动势 电动势是反映电源把其他形式的能转换成电能的本领的物理量。电动势使电源两端产生电压。在电路中，电动势常用δ表示。电动势的单位和电压的单位相同，也是伏。

电源的电动势可以用电压表测量。测量的时候，电源不要接到电路中去，用电压表测量电源两端的电压，所得的电压值就可以看作等于电源的电动势。如果电源接在电路中，用电压表测得的电源两端的电压就会小于电源的电动势。这是因为电源有内电阻。在闭合的电路中，电流通过内电阻r有内电压降，通过外电阻R有外电压降。电源的电动势δ等于内电压Ur和外电压UR之和，即δ=Ur+UR 。严格来说，即使电源不接入电路，用电压表测量电源两端电压，电压表成了外电路，测得的电压也小于电动势。但是，由于电压表的内电阻很大，电源的内电阻很小，内电压可以忽略。因此，电压表测得的电源两端的电压是可以看作等于电源电动势的。 干电池用旧了，用电压用测量电池两端的电压，有时候依然比较高，但是接入电路后却不能使负载（收音机、录音机等）正常工作。这种情况是因为电池的内电阻变大了，甚至比负载的电阻还大，但是依然比电压表的内电阻小。用电压表测量电池两端电压的时候，电池内电阻分得的内电压还不大，所以电压表测得的电压依然比较高。但是电池接入电路后，电池内电阻分得的内电压增大，负载电阻分得的电压就减小，因此不能使负载正常工作。为了判断旧电池能不能用，应该在有负载的时候测量电池两端的电压。有些性能较差的稳压电源，有负载和没有负载两种情况下测得的电源两端的电压相差较大，也是因为电源的内电阻较大造成的。周 期 交流电完成一次完整的变化所需要的时间叫做周期，常用T表示。周期的单位是秒（s）,也常用毫秒（ms）或微秒（us）做单位。1s=1000ms，1s=1000000us。频 率 交流电在1s内完成周期性变化的次数叫做频率，常用f表示。频率的单位是赫（Hz），也常用千赫（kHz）或兆赫（MHz）做单位。1kHz=1000Hz，1MHz=1000000Hz。交流电频率f是周期T的倒数，即

f=1／T电 容 电容是衡量导体储存电荷能力的物理量。在两个相互绝缘的导体上，加上一定的电压，它们就会储存一定的电量。其中一个导体储存着正电荷，另一个导体储存着大小相等的负电荷。加上的电压越大，储存的电量就越多。储存的电量和加上的电压是成正比的，它们的比值叫做电容。如果电压用U表示，电量用Q表示，电容用C表示，那么

C＝Q／U

电容的单位是法（F），也常用微法（uF）或者微微法（pF）做单位。1F=106uF，1F=1012pF。

电容可以用电容测试仪测量，也可以用万用电表欧姆档粗略估测。欧姆表红、黑两表笔分别碰接电容的两脚，欧姆表内的电池就会给电容充电，指针偏转，充电完了，指针回零。调换红、黑两表笔，电容放电后又会反向充电。电容越大，指针偏转也越大。对比被测电容和已知电容的偏转情况，就可以粗略估计被测电容的量值。在一般的电子电路中，除了调谐回路等需要容量较准确的电容以外，用得最多的隔直、旁路电容、滤波电容等，都不需要容量准确的电容。因此，用欧姆档粗略估测电容量值是有实际意义的。但是，普通万用电表欧姆档只能估测量值较大的电容，量值较小的电容就要用中值电阻很大的晶体管万用电表欧姆档来估测，小于几十个微微法的电容就只好用电容测试仪测量了。容 抗 交流电是能够通过电容的，但是电容对交流电仍然有阻碍作用。电容对交流电的阻碍作用叫做容抗。电容量大，交流电容易通过电容，说明电容量大，电容的阻碍作用小；交流电的频率高，交流电也容易通过电容，说明频率高，电容的阻碍作用也小。实验证明，容抗和电容成反比，和频率也成反比。如果容抗用XC表示，电容用C表示，频率用f表示，那么

XC＝1／(2πfC)

容抗的单位是欧。知道了交流电的频率f和电容C，就可以用上式把容抗计算出来。电 感 电感是衡量线圈产生电磁感应能力的物理量。给一个线圈通入电流，线圈周围就会产生磁场，线圈就有磁通量通过。通入线圈的电源越大，磁场就越强，通过线圈的磁通量就越大。实验证明，通过线圈的磁通量和通入的电流是成正比的，它们的比值叫做自感系数，也叫做电感。如果通过线圈的磁通量用φ表示，电流用I表示，电感用L表示，那么

L＝ φ／I

电感的单位是亨（H），也常用毫亨（mH）或微亨（uH）做单位。1H=1000mH，1H=1000000uH。感 抗 交流电也可以通过线圈，但是线圈的电感对交流电有阻碍作用，这个阻碍叫做感抗。电感量大，交流电难以通过线圈，说明电感量大，电感的阻碍作用大；交流电的频率高，交流电也难以通过线圈，说明频率高，电感的阻碍作用也大。实验证明，感抗和电感成正比，和频率也成正比。如果感抗用XL表示，电感用L表示，频率用f表示，那么

XL＝ 2πfL

感抗的单位是欧。知道了交流电的频率f和线圈的电感L，就可以用上式把感抗计算出来。阻 抗 具有电阻、电感和电容的电路里，对交流电所起的阻碍作用叫做阻抗。阻抗常用Z表示。阻抗由电阻、感抗和容抗三者组成，但不是三者简单相加。如果三者是串联的，又知道交流电的频率f、电阻R、电感L和电容C，那么串联电路的阻抗

阻抗的单位是欧。

对于一个具体电路，阻抗不是不变的，而是随着频率变化而变化。在电阻、电感和电容串联电路中，电路的阻抗一般来说比电阻大。也就是阻抗减小到最小值。在电感和电容并联电路中，谐振的时候阻抗增加到最大值，这和串联电路相反。相 位 相位是反映交流电任何时刻的状态的物理量。交流电的大小和方向是随时间变化的。比如正弦交流电流，它的公式是i=Isin2πft。i是交流电流的瞬时值，I是交流电流的最大值，f是交流电的频率，t是时间。随着时间的推移，交流电流可以从零变到最大值，从最大值变到零，又从零变到负的最大值，从负的最大值变到零，，如图3甲所示。在三角函数中2πft相当于角度，它反映了交流电任何时刻所处的状态，是在增大还是在减小，是正的还是负的等等。因此把2πft叫做相位，或者叫做相。

如果t等于零的时候，i并不等于零，公式应该改成i=Isin(2πft+ψ),如图3乙所示。那么2πft+ψ叫做相位，ψ叫做初相位，或者叫做初相。相位差 两个频率相同的交流电相位的差叫做相位差，或者叫做相差。这两个频率相同的交流电，可以是两个交流电流，可以是两个交流电压，可以是两个交流电动势，也可以是这三种量中的任何两个。

例如研究加在电路上的交流电压和通过这个电路的交流电流的相位差。如果电路是纯电阻，那么交流电压和电流电流的相位差等于零。也就是说交流电压等于零的时候，交流电流也等于零，交流电压变到最大值的时候，交流电流也变到最大值。这种情况叫做同相位，或者叫做同相。如果电路含有电感和电容，交流电压和交流电流的相位差一般是不等于零的，也就是说一般是不同相的，或者电压超前于电流，或者电流超前于电压。

加在晶体管放大器基极上的交流电压和从集电极输出的交流电压，这两者的相位差正好等于180°。这种情况叫做反相位，或者叫做反相

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