西奥怎么并联？

并联就可以了 但是你的看看电源的功率（UI）够不够，是否大于4个半导体功率之合。若大于，才能并联，相反，电源会带不动。

串联不会损坏半导体，因为电源电压根本就不够，

并联4个有可能损坏，但是在半导体质量有问题的前提下才会出现。

在每个三极管的集电极接一个均流电阻(一般是0.22欧姆)，然后把每个均流电阻空的另一头并在一起就可以了。

三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

扩展资料

三极管组成原则

1、保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态，即有合适的偏置。也就是说发射结正偏，集电结反偏。

2、输入回路的设置应当使输入信号耦合到三极管的输入电极，形成变化的基极电流，从而产生三极管的电流控制关系，变成集电极电流的变化。

3、输出回路的设置应该保证将三极管放大以后的电流信号转变成负载需要的电量形式（输出电压或输出电流）。

参考资料来源：百度百科-三极管

电力MOSFET并联运行时注意：

1、Ron具有正温度系数，具有电流自动均衡的能力，容易并联。

2、 注意选用Ron、UT、Gfs和Ciss尽量相近的器件并联。

3、 电路走线和布局应尽量对称。

4、可在源极电路中串入小电感,起到均流电抗器的作用。

IGBT并联运行时注意：

1、 在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态压降具有负温度系数。

2、在以上的区段则具有正温度系数。

3、并联使用时也具有电流的自动均衡能力，易于并联。

MOSFET是金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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