MOS管DS间有寄生二极管，如何测试BVDSS

不是好多mos有反向二极管，而是大部分都有。测BVdss，不管有没有二极管，测试都是一样的。ID=1mA , Vclamp=600V，就是Device GS short，Vd电压从0-600V 往上加，mos管DS有电压，就会有漏电流，只是电压低时，电流太小，pA级，或者测不到，随着电压越来越高，漏电流也越来越大，当漏电流达到1mA的时候，DS加的电压，我们叫BVdss。Clamp=600V，是为了防止有device开路（内部断线或没有die），电压会无限往上加，损坏测试系统，所以最高电压设定只能加到600V，也就是不管Id有没有1mA，Vds到600后，就不继续往上加了。好的Device大概400V左右。如果产品有问题，漏电流大，自然BVds就达不到400V（或者设计时的值）。

igss:栅源漏电

BVDSS：漏源电压

IDSS：漏源漏电

RDS(ON)：导通电阻

DVDS：漏源接触

EAS：能量测试

VF：正向压降

测试电键，押码，密码。

testkey指半导体工艺厂在wafer加工中为了监测工艺而加入在wafer固定位置的测试单元。

对专门的测试图形（testkey）的测试，通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定。CP是waferlevel的chipprobing，是整个wafer工艺，包括backgrinding和backmetal（ifneed），对一些基本器件参数的测试，如vt（阈值电压），Rdson（导通电阻），BVdss（源漏击穿电压），Igss（栅源漏电流），Idss（漏源漏电流）等，一般测试机台的电压和功率不会很高。

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