以玻璃片为基片进行电阻蒸发镀铜膜的最佳条件是什么

哥们，问题不是这样问的。

你得改改：

1，玻璃基片，腔体1.1米，阻蒸镀膜，不考虑镀膜速率，想得到均匀稳定表面外观良好的膜，建议如何确定条件？

答：因设备不同，需要调整阻蒸电流由小到大，使用晶振片进行速率监控的话，建议当铜速率达到1~2nm/s时条件固定下来，如果外观不好，可以适当通入惰性气体保护。

2，论文啥的，就别看了，写论文的很少实 *** ，真有技术含量的，你去知网花钱看。

3，磁控溅射镀铜膜，出现针孔的几率非常高，最优条件因设备不同而不同，需要不断摸索，但是厚度要高于200nm。

使用溅射技术可以在半导体表面形成depfilm，溅射技术可以将原料形成液体或气体，然后用高能离子束将其射向半导体表面，形成一层薄膜。另外，还可以使用CVD或PECVD技术，将原料化学气相沉积在半导体表面，从而形成depfilm。

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