半导体镀膜工艺是什么

镀膜工艺一般是PVD和CVD。PVD：物理气相沉积。通过plasm轰击金属靶材（金靶，铜靶，Al，Cr.....），金属原子脱离靶材，落在wafer表明，形成薄膜。CVD：化学气相沉积。这个是通过化学反应，在晶圆表面张氧化薄膜。

电镀就是利用电解原理在某些金属表面上镀上一薄层其它金属或合金的过程，是利用电解作用使金属或其它材料制件的表面附着一层金属膜的工艺从而起到防止金属氧化，提高耐磨性、导电性、反光性、抗腐蚀性(硫酸铜等）及增进美观等作用。不少硬币的外层亦为电镀，目前的电镀设备电镀时间长，使得工作效率不是很高，也有一些设备使用一些方法加快电镀的速度，但是在加快过程中因产生的杂质太多，影响电镀的质量。综上所述，所以我设计了一种高效率快速电镀的设备。技术实现要素：本实用新型的目的在于提供一种高效率快速电镀的设备，可以同时对多个工件进行电镀，并且在电镀过程中对液体介质进行搅拌，使得可以加快对工件电镀，并且搅拌电镀的同时对液体介质从电镀箱内抽出来过滤掉杂质，时刻保持电镀的纯度和质量，使得大大提高了电镀的效率，且没有影响质量，以解决上述背景技术中提出的问题。为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种高效率快速电镀的设备，包括电镀箱、杂质过滤网和搅拌器，所述电镀箱放置在的机架上，且上端放置着电镀箱盖且在接触处进行密封，所述电镀箱盖的上端设置有若干个负极杆和电镀工件，所述负极杆和电镀工件的下端伸入到电镀箱内，所述电镀箱内灌有电镀使用的液体介质，负极杆和电镀工件的下端浸泡在该液体内，所述电镀箱的下端设置有一排搅拌器，所述搅拌器的叶片部分在液体介质内，驱动部分固定在机架上，所述电镀箱的一端设有吸液体管道，在电镀箱和吸液体管道的连接处安装了单向阀，所述吸液体管道的另一端连接着杂质过滤网的下端，所述杂质过滤网的上端连接着抽液体泵，所述抽液体泵的输出端通过排出管道连接着电镀箱，所述杂质过滤网和抽液体泵放置在泵支撑座，所述泵支撑座固定在电镀箱外侧面上。

是SOP,QFP,QFN上LEAD脚镀层厚度啊

不同的镀层厚度要求也不一样

问题问得太笼统,常规镀层是几个微米,封装上的凸点也有上百微米的

老大，是LF的镀银层，还是电流的镀银层。

电镀。上面写错了。

QFN 上PPF镀层较多吧， 具体金层5奈米左右， 钯几十奈米，镍1微米左右。

常用的镍银或镍金层一般1~3微米吧。镍层较厚， 要起阻挡层作用嘛。

另外镀的方法上有电镀和EN镀，镀层表面质量不一样。

分立半导体器件的电镀一般采用纯锡或锡基和金电镀，这几年由于欧洲RoHS指令生效，纯锡电镀较为流行。纯锡电镀有Wisker的问题，所以镀层厚度的最小值一般要求超过8微米，并配合150C回火。

不同的封装工艺，对镀层的要求不尽一样，所以我认为业界没有固定的标准。只要能做到满足可靠性就可以了.

200-600微英寸

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