半导体单晶生长方式中直拉法和悬浮法的优缺点

半导体单晶生长方式中直拉法和悬浮法的优缺点如下：

1、直拉法优点：工艺成熟，可拉出大直径硅棒，是目前采用最多的硅棒生产方法。

2、直拉法缺点：直拉法中会使用到坩埚，而坩埚的使用会带来污染。同时在坩埚中，会有自然对流存在，导致生长条纹和氧的引入。直拉法生长多是采用液相掺杂，受杂质分凝、杂质蒸发，以及坩埚污染影响大，直拉法生长的单晶硅掺杂浓度的均匀性较差。

3、悬浮区熔法优点：多晶与单晶均由夹具夹着，由高频加热器产生一悬浮的溶区，多晶硅连续通过熔区熔融，在熔区与单晶接触的界面处生长单晶。与直拉法相比，去掉了坩埚，没有坩埚的污染，因此能生长出无氧的，纯度更高的单晶硅棒。

4、悬浮区熔法缺点：应用范围比较窄，不及直拉工艺成熟，单晶中一些结构缺陷没有解决。

半导体的生产是有重污染的。首先，半导体工厂中会有大量的酸性气体(这些气体来自蚀刻和清洗晶圆等)。其次，由于光刻胶溶液、显影液等用量较大。用在半导体制造过程中，这些溶液主要是有机物质，所以在蚀刻，清洗、薄膜生长等过程中。将使用大量的有机溶剂，包括二甲苯、丙酮、苯、四氯化碳、四氯化碳、二氯化碳F2等。其中，苯是一种剧毒的一级致癌物。为了防止这些污染伤害员工和污染环境，半导体工厂需要采取极其严格的污染预防措施，包括工作场所空气的实时处理、生产废物的妥善处理等。可以说，如果污染治理的任何一个环节出现问题，都有可能对员工身体造成很大的伤害，也有可能对周围环境造成很大的污染。

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