rta是快速热退火。
rta是将工件加热到较高温度,根据材料和工件尺寸采用不同的保温时间,然后进行快速冷却,目的是使金属内部组织达到或接近平衡状态,获得良好的工艺性能和使用性能。
RTA在现代半导体产业有重要的应用。可以用极快的升温在目标温度(1000℃左右)短暂持续,对硅片进行热处理。注入硅片的退火经常在注入Ar或者N2的快速热处理机(RTP)中进行。
快速的升温过程和短暂的持续时间能够在晶格缺陷的修复、激活杂质和最小化杂质扩散三者之间取得优化。RTA还能减小瞬时增强扩散。RTA是控制前结注入中结深最佳方法。
rta的注意事项:
在半导体工业中,快速热退火 (RTA) 是用于激活掺杂剂和金属接触界面反应的工序。一般而言,该 *** 作指的是将晶片从环境温度快速加热至约 1000–1500 K,晶片达到该温度后会保持几秒钟,然后完成淬火。
红外线灯泡用于加热晶片,基于晶片发出的辐射,用间接传感器确定晶片的温度。
半导体rtp是快速热处理的意思。
快速热处理,是一种升温速度非常快保温时间很短的热处理方式。
升温速率能达到10~100摄氏度每秒。一般采用红外卤素灯或者电阻棒加热,加热时电流很大,功率很大。
半导体的制备
1、沙子:硅是地壳内第二丰富的元素,而脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素,以二氧化硅(SiO2)的形式存在,这也是半导体制造产业的基础。
2、硅熔炼:12英寸/300毫米晶圆级,下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅,学名电子级硅(EGS),平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的,最后得到的就是硅锭。
3、单晶硅锭:整体基本呈圆柱形,重约100千克,硅纯度99.9999%。
4、硅锭切割:横向切割成圆形的单个硅片,也就是我们常说的晶圆(Wafer)。
5、晶圆:切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕,表面甚至可以当镜子。
不同国家生产的火花塞采用不同的型号表示方法。我国生产的火花塞型号个部分代表的意义如下: 第一部分:英文字母,表示火花塞的结构和类型及主要尺寸。 第二部分:阿拉伯数字,表示火化塞的热值 第三部分:英文字母,表示火花塞的特性。 例: K6RTC K表示 螺纹规格M14*1.25 平座 螺纹长度19MM克体六角对变长度16MM. 6表示 火花塞的热值 R表示 火花塞为电阻型 T表示 火花塞绝缘体为突出型 C表示 火花塞中心电极为镍铜复合型。 产品型号表示方法 例F6RTC: 表示火花塞热值 由 5 6 7 8,表示由热型到冷型 表示火花塞结构类型及主要尺寸 表示火花塞特征 字母 螺纹规格 座形式 螺纹长度 壳体六角对边 A M10*1 平座 12.7 16.0 B M10*1 平座 19.0 16.0 C M10*1.25 平座 12.7 17.5 D M10*1.25 平座 19.0 17.5 E M10*1.25 平座 12.7 20.8 F M10*1.25 平座 19.0 20.8 K M10*1.25 平座 19.0 16.0 Q M10*1.25 锥座 17.5 16.0 字母 火花塞特征 B 表示为半导体型 C 表示为中心点极为镍铜合金 G 表示为贵重金属电极 J 表示为多极型 R 表示为电阻型 T 表示为绝缘体突出型 V 表示V型火花塞欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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