供体与受体的区别

供体与受体的区别：1、供体：指在化学反应过程中，能提供某一化学基团的物质。1）指在化学反应过程中，能提供某一化学基团的物质(化合物)。例如：L-氨基酸与α-酮酸之间的氨基转移反应，L-氨基酸是氨基的供体。2）提供基因DNA片段、器官、组织或其他细胞输送给另一个个体的生物。3）在半导体中，若杂质或缺陷能级上有电子占据时，杂质原子或缺陷是电中性的，这种杂质或缺陷叫做施主，其能级叫做施主能级。施主能级上的电子，如获得一定能量可进入导带；这个能量叫做施主的电离能，也就是施主能级在导带底下方的能量距离。电离能小的施主能级是浅施主能级，电离能大的是深施主能级。磷、砷、锑是锗、硅半导体中的浅能级施主杂质。浅能级施主杂质叫n型杂质。深能级施主杂质可能成为空穴的陷阱或复合中心。受体 ：能与细胞外专一信号分子（配体）结合引起细胞反应的蛋白质。分为细胞表面受体和细胞内受体。受体与配体结合即发生分子构象变化，从而引起细胞反应，如介导细胞间信号转导、细胞间黏合、细胞胞吞等细胞过程。

离子参杂属于配体工程，(1)掺杂温度低。离子注入是在高真空中、在室温或低温下进行的，可以避见高温扩散中所引进的热缺陷或基片的热变形。

(2)易于控制杂质的浓度分布。适当控制注入剂量和能量．可能得到理论设计中所要求的理想杂质分布。

(3)可控性好。掺杂浓度、结深和杂质分布都能技预定的要求通过调节注入离子的束流、能量和注入时间得到精确控制。

(4)侧向扩散小。在热扩散中，窗口边缘处的横向扩展范围基本上等于纵向扩散深度。在离子注入时，只有当离子质量较轻或入射能员较高时，才有比较明显的侧向扩散，一般悄况下。横向扩展与纵向深度相比是很小的、常常可以忽略，这对提高IC集成密度十分重要。

(5)具有“直接写入”功能，可以不要掩模。低温掺杂和“直接写入”是离子注入技术与激光掺杂技术所共有的优势。与激光掺杂技术相比，离子注入掺杂技术还存在一定的缺点。离子注入掺杂的最大缺点是离子注入时会在晶体内产生大量的晶格缺陷，虽然这些缺陷的大部分可以通过退火来消除，但残留的二次缺陷和晶格畸变往往会给器件的电特性带来很坏的影响。此外，离子注入设备庞大、复杂、价格高昂，这也在一定程度上绍其应用带来限制或困难。

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