当P型半导体和N型半导体结合在一起时,由于交界面处存在 载流子浓度的差异 ,这样电子和空穴都要 从浓度高的地方向浓度低的地方扩散 。
电子和空穴都是带电的,它们扩散的结果就使P区和N区中原来的电中性条件破坏了。P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子,N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷 ,它们集中在P区和N区交界面附近,形成了一个很薄的空间电荷区,这就是我们所说的PN结 。
显然不一样。这些区域都存在于两半导体或者半导体-金属接触的地方,空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域,而耗尽层则相反。势垒区指由于不同费米面的半导体之间或者半导体-金属之间由于接触而引起载流子重新分配后形成势垒的区域。
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