常用什么表示半导体的掺杂浓度

SIMS。半导体的掺杂浓度，比如说掺硼、掺磷、掺砷、掺铝这些扩散，都是用D-SIMS测的。因为D-SIMS对应的叫动态匹配，低浓度到高浓度的范围还是比较广的。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在消费电子、通信系统、医疗仪器等领域有广泛应用。

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解析:

比较著名的有中国最大的晶圆代工厂之一上海先进半导体制造有限公司（ASMC）先进半导体公司前身为上海飞利浦半导体公司，成立于1988年10月。1995年更名为上海先进半导体制造有限公司。还有上海松下半导体有限公司（SIMS）成立于1994年11月，是上海仪电控股（集团）公司和日本松下电器产业株式会社共同出资组建的、主要从事大规模和超大规模集成电路封装测试的高新技术型企业，坐落于上海漕河泾地区，现有员工700人。

次级离子质谱

secondary ion mass spectrometry, SIMS

20世纪70年代以来发展起来的一种表面分析技术。它是以离子轰击固体表面，再将从表面溅射出来的次级离子引入质量分析器,经过质量分离后从检测-记录系统得出被分析表面的元素或化合物的组分。

由于离子束射入固体表面时的穿透深度要比电子来得浅，所以次级离子法是一种有效的表面分析法。又由于离子的质量较大，因而原离子束与表面原子之间有较大的动能交换，使表面原子产生一定程度的溅射。只要采用低能量、低束流密度的原离子束，这种溅射效应对表面的破坏作用是能够减小到表面分析所允许的程度的。

按不同工作模式，次级离子质谱仪器可分为静态次级离子质谱计、动态次级离子质谱计、次级离子成像质谱计和次级离子微探测束。

静态次级离子质谱计是在超高真空条件下（10-8 ～10-9帕），用低束流密度（约1×10-9安／厘米2）和较大轰击面积（典型面积为0.1厘米2）的原离子束来轰击样品表面，使样品表面的消耗率降低到一个单层以下。这种仪器的检测器通常采用按脉冲计数方式工作的通道式电子倍增器。图1示出静态次级离子质谱计的原理。这种质谱计除了可作表面的单层检测外，还可用来研究气体与固体间的化学反应。

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