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聚焦离子束(FIB)技术聚焦离子束( FIB) 技术的快速发展和实用化要归功于液态金属离子源的开发.FIB系统的工作原理:FIB 技术是利用静电透镜将离子束聚焦成极小尺寸的显微切割技术,目前商用FIB 系统的粒子束是从液态金属离子源中引出.

FIB(聚焦离子束，Focused Ion beam)是将液态金属(Ga)离子源产生的离子束经过离子q加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像.此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、

镀膜工艺一般是PVD和CVD。PVD：物理气相沉积。通过plasm轰击金属靶材（金靶，铜靶，Al，Cr.....），金属原子脱离靶材，落在wafer表明，形成薄膜。CVD：化学气相沉积。这个是通过化学反应，在晶圆表面张氧化薄膜。半导体指纹锁

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现在主要应用离子注入技术 离子注入技术又是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性高新技术。其基本原理是：用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐

改变半导体局部导电性的重要方法主要有以下几种：掺杂：在半导体材料中掺入不同的杂质原子，可以改变材料的导电性质。掺入五价元素（如磷、砷等）可以形成N型半导体，掺入三价元素（如硼、铝等）可以形成P型半导体。离子注入：通过离子注入技术，在半导体

改变半导体局部导电性的重要方法主要有以下几种：掺杂：在半导体材料中掺入不同的杂质原子，可以改变材料的导电性质。掺入五价元素（如磷、砷等）可以形成N型半导体，掺入三价元素（如硼、铝等）可以形成P型半导体。离子注入：通过离子注入技术，在半导体

聚焦离子束(FIB)技术聚焦离子束( FIB) 技术的快速发展和实用化要归功于液态金属离子源的开发.FIB系统的工作原理:FIB 技术是利用静电透镜将离子束聚焦成极小尺寸的显微切割技术,目前商用FIB 系统的粒子束是从液态金属离子源中引出.

掺杂（英语：doping）是半导体制造工艺中，为纯的本征半导体引入杂质，使之电气属性被改变的过程。引入的杂质与要制造的半导体种类有关。轻度和中度掺杂的半导体被称作是杂质半导体，而更重度掺杂的半导体则需考虑费米统计律带来的影响，这种情况被称为

FIB 是英文 Focused Ion Beam的缩写，依字面翻译为聚焦离子束。简单的说就是将Ga(镓)元素离子化成Ga+， 然后利用电场加速，再利用静电透镜(electrostatic)聚焦，将高能量(高速)的Ga+打到指定的点。基本原理

聚焦离子束(FIB)与扫描电子显微镜(SEM)耦合成为FIB-SEM双束系统后，通过结合相应的气体沉积装置，纳米 *** 纵仪，各种探测器及可控的样品台等附件成为一个集微区成像、加工、分析、 *** 纵于一体的分析仪器。其应用范围也已经从半导体行业拓展至材

SEM：材料的表面形貌，形貌特征。配合EDX可以获得材料的元素组成信息TEM：材料的表面形貌，结晶性。配合EDX可以获得材料的元素组成FTIR：主要用于测试高分子有机材料，确定不同高分子键的存在，确定材料的结构。如单键，双键等等Raman：

FEI 是一家生产、经营电镜科学仪器的业内全球领先企业。 其产品包括电子和离子束显微镜，以及可满足多个行业纳米尺度应用的相关产品，这些行业横跨： 工业和理论 材料研究、生命科学、半导体、数据存储、自然资源 等等诸多领域。凭借过去 60 年的

FEI 是一家生产、经营电镜科学仪器的业内全球领先企业。 其产品包括电子和离子束显微镜，以及可满足多个行业纳米尺度应用的相关产品，这些行业横跨： 工业和理论 材料研究、生命科学、半导体、数据存储、自然资源 等等诸多领域。凭借过去 60 年的

FIB 是英文 Focused Ion Beam的缩写，依字面翻译为聚焦离子束。简单的说就是将Ga(镓)元素离子化成Ga+， 然后利用电场加速，再利用静电透镜(electrostatic)聚焦，将高能量(高速)的Ga+打到指定的点。基本原理

镀膜工艺一般是PVD和CVD。PVD：物理气相沉积。通过plasm轰击金属靶材（金靶，铜靶，Al，Cr.....），金属原子脱离靶材，落在wafer表明，形成薄膜。CVD：化学气相沉积。这个是通过化学反应，在晶圆表面张氧化薄膜。半导体指纹锁

FIB(聚焦离子束，Focused Ion beam)是将液态金属(Ga)离子源产生的离子束经过离子q加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像.此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、

费米能级在半导体物理学中经常被认为是电子或空穴的化学势，对于电子和空穴的运动起着重要的作用。在N型半导体中，电子浓度较高，因此费米能级越靠近电子占据的导带；P型半导体中，空穴浓度较高，因此费米能级越靠近空穴占据的价带。本征半导体，处于中央。